문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는박막 트랜지스터.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 활성층은 비정질 실리콘이 가열에 의해결정화된재질인박막 트랜지스터.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 불순물은불순물인박막 트랜지스터.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 활성층 위에는 그 활성층을 식각되지 않도록 보호하기 위한 에칭스탑층형성된박막 트랜지스터.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 게이트전극과 상기 활성층 사이에는 게이트절연층형성된박막 트랜지스터.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 소스/드레인전극 위에 패시베이션층형성된박막 트랜지스터.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는평판 표시 장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 활성층은 비정질 실리콘이 가열에 의해결정화된재질인평판 표시 장치.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 불순물은불순물인평판 표시 장치.
[청구항 12]
제8항에 있어서,상기 활성층 위에는 그 활성층을 식각되지 않도록 보호하기 위한 에칭스탑층형성된평판 표시 장치.
[청구항 13]
제8항에 있어서,상기 게이트전극과 상기 활성층 사이에는 게이트절연층형성된평판 표시 장치.
[청구항 14]
제8항에 있어서,상기 소스/드레인전극 위에 패시베이션층형성된평판 표시 장치.
[청구항 15]
제8항에 있어서,상기 픽셀부는, 상기 소스/드레인전극과 연결된 화소전극과, 상기 화소전극에 대향된 대향전극 및, 상기 화소전극과 대향전극 사이에 개재되어 두 전극 사이의 전압에 따라 동작하는 발광동작층구비하는평판 표시 장치.
[청구항 16]
제8항에 있어서,상기 발광동작층은 유기발광층 및 액정층 중 어느 하나포함하는평판 표시 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
평판 표시 장치에서 게이트배선은 어떠한 구조로 형성되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation평판 표시 장치 내 게이트배선의 구조적 구성을 추출하는 과업을 수행한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 평판 표시 장치의 게이트배선에 관한 기술적 구성을 확인한다.
- 상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는평판 표시 장치
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3근거 선택
evidence_selection게이트배선의 구조를 직접적으로 설명하는 청구항 9의 문구를 선택한다.
- 상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는
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4논리 통합
logical_integration게이트배선은 게이트전극과 동일 재질/동일층인 실리콘층과 그 위의 금속층으로 구성됨을 파악한다.
- 상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 게이트배선의 구조를 정리한다.
- 상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 문맥에 근거한 최종 답변을 생성한다.
- 상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층구비하는
최종 답변 (final_answer)
상기 게이트배선은 상기 게이트전극과 동일 재질로 동일층에 형성된 실리콘층과, 그 실리콘층 위에 형성된 금속층을 구비한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
평판 표시 장치의 게이트배선이 게이트전극과 동일한 재질 및 층에 형성된 실리콘층과 그 상부의 금속층으로 이루어진 적층 구조임을 나타낸다.