마이크로파 플라즈마 처리 장치 document_id 1020100110505

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 투과판의 둘레 아래쪽에 고리 형상으로 돌출하는 볼록부가형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 상부 플레이트의 내주부는 상기 챔버내 공간측으로 돌출하는 고리 형상의 지지부가 형성되고, 상기 지지부를 상기 볼록부있는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 패임부는 상기 투과판의 외주에 고리 형상형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 투과판의 아래면에 오목부가 형성되고, 상기 피처리체와 상기 투과판의 간격은 상기 오목부의 얇은 부분과 상기 피처리체의간격인플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 투과판의 오목부의 얇은 부분의 두께는 λg/4 이상의두께인플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 투과판의 외주에 패임부를 마련하고, 상기 평면 안테나의 외주부를 상기 금속재의 덮개에 고정 부재로 고정하고, 상기 고정 부재가 상기 투과판의 외주의 패임부감합되는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 패임부는 상기 투과판의 외주에 고리 형상형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 투과판의 아래면에 오목부가 형성되고, 상기 피처리체와 상기 투과판의 간격은 상기 오목부의 얇은 부분과 상기 피처리체의간격인플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 투과판의 오목부의 얇은 부분의 두께는 λg/4 이상의두께인플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 4 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 덮개에는 상기 투과판을 지지하는 지지부가 형성되고, 상기 투과판에는 아래쪽으로 늘어뜨려져 상기 지지부의 벽을 덮고 고리 형상으로 돌출된 주연 볼록부가형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 지지부의 벽과 상기 주연 볼록부의 간격은이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 1 항, 제 4 항, 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 피처리체를 질화 처리하기 위한 플라즈마 질화 처리 장치 또는, 상기 피처리체를 산화 처리하기 위한 플라즈마 산화 처리장치인플라즈마 처리 장치.