스페이서층을 가지는 발광 다이오드 document_id 1020100113666

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 스페이서층은 in을 포함하되, 상기 in의 함량은 상기 활성영역의 장벽층에서의 in 함량보다는 낮고 상기 우물층에서의 in 함량보다는 높은 것특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 활성영역은 ingan층을 포함하는다중양자우물구조인것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 스페이서층nan은포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 5] 청구항 4에 있어서,상기 스페이서층은 inxga11-xn(0≤x003c#1)과 inyga1-yn(0≤y003c#1)이교대적층된것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 스페이서층은 서로 교대로 적층된초격자층포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 7] 청구항 1에 있어서,상기 스페이서층은 복수의 층으로 이루어지되, 상기 활성영역과 인접하는 적어도 하나의 층에는 n형 불순물이 도핑되어 있고, 그 나머지 층들은 n형 불순물이 언도핑되어 있되, 상기 n형 불순물의 도핑 농도는 상기 n형 콘택층의 불순물 도핑 농도보다 상대적으로 높은 것특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,상기 스페이서층과 상기n형 콘택층사이에 형성된 중간층을 더 포함하되,상기 중간층은 상기 n형 콘택층의 불순물 도핑 농도보다 상대적으로 높고, 상기 스페이서층에서의 상기 n형 불순물 농도보다는 상대적으로 낮게 n형 불순물이 도핑된층포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 중간층nan은포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 10] 청구항 9에 있어서,상기n형 algan층은 상기 활성영역에 가까울수록 al의 조성이 점차로또는단계적지는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 11] 청구항 9에 있어서,상기n형 algan층은 algan/gan 또는 algan/ingan의다층막구조형성된것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 12] 청구항 9에 있어서,상기 중간층은 상기 스페이서층과 n형 algan층사이더포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 13] 청구항 9에 있어서,상기 중간층은 상기 n형 algan층과 상기 n형 콘택층 사이에 언도핑된 gan층, 로우 도핑된 n-gan층중적어도하나더포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 14] 청구항 1에 있어서,상기 활성영역과 상기p형 콘택층 사이에 형성된 p형 클래드층더포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 15] 청구항 13에 있어서,상기p형클래드층포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 16] 청구항 15에 있어서,상기p형 algan층은 algan/gan 또는 algan/ingan의다층막구조형성된것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 17] 청구항 16에 있어서,상기p형 algan층은 상기 활성영역에 인접한층형성된것을특징으로 하는발광 다이오드, [청구항 18] 청구항 16에 있어서,상기p형 algan층은 상기 활성영역에 인접한 상기 algan층이 상기 p형 클래드층내의 다른 층들에 비하여 얇은 것특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 19] 청구항 15에 있어서,상기p형 algan층은 상기 p형 콘택층으로 가면서 al의 조성이 점차로또는단계적지는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 20] 청구항 14에 있어서,상기 활성영역과 상기p형 클래드층사이더포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 21] 청구항 20에 있어서,상기inaln층은 inn/aln의초격자구조형성된것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 22] 청구항 21에 있어서,의 초격자 구조에서 inn층에 p형불순물도핑된것을특징으로 하는발광 다이오드.