반도체 장치 document_id 1020100118954

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 온도측정장치는 상기 패키지 기판에 임베딩되고, 상기 온도제어회로는 상기 반도체 칩내장된반도체 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 온도측정장치는:상기 패키지 기판 내에서 상기 반도체 칩의 아래에 배치되어 상기 반도체 칩의 온도에 따라 저항이 변하는 써미스터와; 그리고상기 써미스터와 전기적으로 연결되어 상기 써미스터의 자체 발열을 막는 저항기포함하는반도체 장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 온도제어회로는:상기 저항기에 전기적으로 연결되어 상기 온도측정장치에 전원전압을 인가하는 파워부와;상기 써미스터와 전기적으로 연결되어 상기 써미스터에서 출력되는 아날로그 신호를 인가받아 디지털 신호로 변환하는 변환부와; 그리고상기 변환부와 전기적으로 연결되어 상기 디지털 신호를 기준으로 상기 반도체 칩에 인가되는 파워를 변화시키는 처리부포함하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 반도체 패키지는 상기 반도체 칩에서 발생된 열을 외부로 방출하는 히트 스프레더더 포함하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 반도체 칩은 상기 온도제어회로가 내장된 로직 칩과 상기 로직 칩 상에 실장된 메모리 칩을 포함하고, 상기 온도제어회로는 상기 로직 칩과 상기 메모리 칩의 동작 속도변화시키는반도체 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 처리부는 상기 반도체 칩의 온도가 기준 온도보다 낮으면 상기 반도체 칩의 동작속도를 증대시키고, 상기 반도체 칩의 온도가 상기 기준 온도보다 높으면 상기 반도체 칩의 동작속도감소시키는반도체 장치. [청구항 9] 제7항에 있어서,미스터 및 저항기 중에서 적어도 어느 하나는 상기 패키지 기판에 임베딩되거나 표면 실장되고, 또는 상기 써미스터 및 저항기 중에서 적어도 어느 하나는 상기 반도체 칩 상에 표면실장된반도체 장치. [청구항 10] 제7항에 있어서,미스터는 상기 패키지 기판의 하면에 표면 실장된 제1 써미스터와 상기 패키지 기판의 상면에 표면 실장된 제2 써미스터를 포함하고, 상기 제1 및 제2 써미스터들은 상기 저항기에 공통연결된반도체 장치. [청구항 11] 제7항에 있어서,상기 패키지 기판은 그 상면이나 하면에 캐비티를 포함하고, 상기 써미스터 및 저항기 중 적어도 어느 하나는 상기 캐비티삽입된반도체 장치. [청구항 12] 제7항에 있어서,상기 패키지 기판은 상기 반도체 칩의 하면을 개방하는 개방홀을 포함하고, 상기 써미스터는 상기 개방홀에 삽입되어 상기 반도체 칩직접 연결된반도체 장치. [청구항 13] 제7항에 있어서,상기 반도체 칩을 몰딩하는 몰딩막과, 상기 몰딩막과 상기 반도체 칩 사이에 배치되어 상기 반도체 칩에서 발생되는 열을 방출하는 히트 스프레더더 포함하는반도체 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 히트 스프레더는 상기 반도체 칩을 감싸며 상기 패키지 기판으로 연장되어 상기 패키지 기판에 접속되고, 상기 패키지 기판은 상기 패키지 기판을 관통하여 상기 히트 스프레더에 접속되고 상기 열의 방출 경로를 제공하는 열 비아더 포함하는반도체 장치. [청구항 15] 제7항에 있어서,상기 반도체 칩을 몰딩하되 상기 반도체 칩의 상면을 개방시키고 상기 반도체 칩의 상면과 동일 레벨을 이루는 개방 몰딩막과, 상기 반도체 칩의 상면 및 개방 몰딩막 상에 배치된 히트 스프레더더 포함하는반도체 장치. [청구항 16] 제7항에 있어서,상기 반도체 칩이 실장된 상기 패키지 기판이 실장되는 모듈 기판을 더 포함하고, 상기 모듈 기판은 상기 모듈 기판의 온도를 측정하는 제2 써미스터와 상기 제2 써미스터에 연결된 제2 저항기포함하는반도체 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 온도제어회로는 상기 부특성 써미스터의 저항값이 상기 기준 저항값보다 낮으면 상기 파워감소시키는반도체 장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 온도제어회로는:상기 온도측정장치에 전원전압을 인가하는 파워부와;상기 부특성 써미스터와 전기적으로 연결되어 상기 부특성 써미스터의 저항값을 전달받고, 상기 저항값을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환기와; 그리고상기 아날로그-디지털 변환기와 전기적으로 연결되어 상기 디지털 신호를 전달받고, 상기 디지털 신호에 근거하여 상기 반도체 칩에 인가되는 파워를 증감 처리하는 처리부포함하는반도체 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 온도제어회로는 상기 써미스터 온도가 상기 기준 온도보다 낮으면 상기 반도체 칩의 동작속도높이는반도체 장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 부특성써미스터는 제1 및 제2 전극들 사이에 배치된 제1 저항체를 포함하고, 상기 저항기는 제3 및 제4 전극들 사이에 제2 저항체를 포함하고;상기 제2 전극은 상기 제3 전극과 전기적으로 연결되어 상기 부특성 써미스터는 상기 저항기에 직렬연결된반도체 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 제4 전극은 상기 파워부에 전기적으로 연결되어 상기 저항기는 상기 파워부로부터 상기 전원전압을 인가받고, 상기 제1 전극접지되는반도체 장치. [청구항 25] 제23항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 아날로그-디지털 변환기에 전기적으로 연결되어 상기 부특성 써미스터의 저항값이 상기 아날로그-디지털 변환기입력되는반도체 장치. [청구항 26] 제22항에 있어서,상기 패키지 기판은 상기 연결단자와 접속되는 상부 금속막이 배치된 상면과, 상기 상면과 반대면으로서 외부단자가 접속되는 하부 금속막이 배치된 하면을 갖는 코어를 포함하고; 상기 코어는 상기 부특성 써미스터 및 저항기가 임베딩되는 장소를 제공하는 홀포함하는반도체 장치. [청구항 27] 제22항에 있어서,상기 부특성써미스터는 상기 반도체 칩의 온도를 센싱하여 상기 반도체 칩의 온도에 대응되는 상기 저항값출력하는반도체 장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 처리부는 상기 저항값이 기준 저항값보다 높으면 상기 반도체 칩에 인가되는 파워를 증대시켜 상기 반도체 칩의 동작속도를 높이고, 상기 저항값이 상기 기준 저항값보다 낮으면 상기 반도체 칩에 인가되는 파워를 감소시켜 상기 반도체 칩의 동작속도낮추는반도체 장치.