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EUVL 마스크 블랭크 및 EUVL 마스크의 패턴 형성 방법 document_id 1020100121237

출원번호
1020100121237
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 11] 기판; 상기 기판의 위에 형성된 반사층 상기 반사층의 위에 형성된 흡수층 상기 흡수층의 위에 형성된 cd 보정층; 및 상기 cd 보정층과 접촉하여 그 상부에 형성되며, 상기 cd 보정층을 식각하는 에쳔트(etchant)에 대하여는 상기 흡수층을 식각하는 에쳔트에 비하여 낮은 속도로 식각되어 상기 cd 보정층 식각시 상기 cd 보정층의 상부가 식각되지 않도록 보호하는 보호층을 포함하는 euvl 마스크 블랭크(mask blank) [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 보호층은, 5 내지 15nm 두께의 크롬(cr) 및 탄탈륨나이트라이드(tan) 중 적어도 어느하나이상포함하는물질로 이루어지는euvl 마스크 블랭크. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 보호층과 상기 흡수층nan은동일한물질로 이루어지는euvl 마스크 블랭크. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기cd 보정층은, 탄탈륨 옥시나이트라이드이루어지는euvl 마스크 블랭크. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 흡수층은, 탄탈륨나이트라이드이루어지는euvl 마스크 블랭크.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
EUVL 마스크 블랭크에서 보호층이 cd 보정층 식각 시 상부 식각을 방지하기 위해 수행하는 기능적 역할은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    EUVL 마스크 블랭크의 보호층이 cd 보정층 식각 시 수행하는 기능적 역할을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 11에서 보호층의 특성과 목적에 관한 정보를 추출한다.

    • 상기 cd 보정층을 식각하는 에쳔트(etchant)에 대하여는 상기 흡수층을 식각하는 에쳔트에 비하여 낮은 속도로 식각되어 상기 cd 보정층 식각시 상기 cd 보정층의 상부가 식각되지 않도록 보호하는 보호층
  3. 3근거 선택evidence_selection

    보호층이 낮은 식각 속도를 가짐으로써 상부 식각을 방지한다는 핵심 구절을 선택한다.

    • 상기 cd 보정층을 식각하는 에쳔트(etchant)에 대하여는 상기 흡수층을 식각하는 에쳔트에 비하여 낮은 속도로 식각되어 상기 cd 보정층 식각시 상기 cd 보정층의 상부가 식각되지 않도록 보호하는 보호층
  4. 4논리 통합logical_integration

    보호층이 cd 보정층 식각 에쳔트에 대해 흡수층 식각 에쳔트보다 낮은 식각 속도를 가짐으로써, cd 보정층의 상부가 깎여나가는 것을 막는다는 논리를 구성한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    보호층의 기능은 cd 보정층 식각 시 상부 식각을 방지하기 위해 낮은 식각 속도를 유지하는 것이다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 보호층의 기능적 역할을 명확히 기술하여 답변을 생성한다.

최종 답변 (final_answer)
보호층은 cd 보정층을 식각하는 에쳔트에 대하여 흡수층을 식각하는 에쳔트보다 낮은 속도로 식각됨으로써, cd 보정층 식각 시 cd 보정층의 상부가 식각되지 않도록 보호하는 역할을 수행한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
EUVL 마스크 블랭크에서 보호층은 cd 보정층 식각 공정 중 발생할 수 있는 상부 식각을 방지하기 위해, 식각 에쳔트에 대해 낮은 식각 선택비를 갖도록 설계된 구성 요소이다.