문맥 (context)
[청구항 1]
어느 하나의 측벽에 벌브 형태의 측벽콘택을 갖는 활성영역
상기 측벽콘택의 표면에 형성된 오믹콘택; 및
상기 오믹콘택을 통해 상기 활성영역과 연결되는 비트라인
을 포함하는 반도체장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 오믹콘택은 금속실리사이드포함하는반도체장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 비트라인은 금속 또는 폴리실리콘포함하는반도체장치.
[청구항 4]
서로 대향하는 측벽에 벌브 형태의 측벽콘택을 갖고 트렌치에 의해 분리된 복수의 활성영역
상기 측벽콘택의 표면에 형성된 오믹콘택
상기 트렌치 내부를 분할하는 분리막; 및
상기 분리막을 사이에 두고 상기 트렌치에 매립되며 상기 오믹콘택을 통해 각각의 상기 활성영역과 연결되는 복수의 매립비트라인
을 포함하는 반도체장치
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 오믹콘택은 금속실리사이드포함하는반도체장치.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 비트라인은 금속 또는 폴리실리콘포함하는반도체장치.
[청구항 7]
제4항에 있어서,상기 분리막은 절연막포함하는반도체장치.
[청구항 8]
제4항에 있어서,상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막더 포함하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 4에 기재된 반도체장치에서, 복수의 활성영역과 매립비트라인 사이의 절연을 위해 형성되는 구성요소는 무엇이며, 해당 구성요소는 어느 위치에 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 4를 바탕으로 복수의 활성영역과 매립비트라인 사이의 절연을 위한 구성요소와 그 형성 위치를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 8에서 절연과 관련된 구성요소 및 위치 정보를 추출한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '절연을 위한 구성요소'는 라이너막이며, '형성 위치'는 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥임을 확인한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막
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4논리 통합
logical_integration청구항 8에 명시된 대로, 매립비트라인과 활성영역 사이의 절연을 담당하는 것은 라이너막이며, 이는 측벽콘택을 제외한 활성영역의 측벽 및 트렌치 바닥에 위치한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막
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5결론 도출
conclusion_formulation구성요소는 라이너막이고, 위치는 측벽콘택을 제외한 나머지 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥이다.
- 상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 구성요소와 위치를 명확히 구분하여 답변을 작성한다.
- 상기 매립비트라인과 상기 활성영역의 절연을 위해 상기 측벽콘택을 제외한 나머지 상기 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥에 형성된 라이너막
최종 답변 (final_answer)
구성요소: 라이너막
형성 위치: 측벽콘택을 제외한 나머지 활성영역의 측벽 및 트렌치의 바닥
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 매립비트라인과 활성영역 사이의 전기적 절연을 확보하기 위해, 측벽콘택을 제외한 활성영역의 측벽과 트렌치 바닥에 라이너막을 형성하는 기술적 구성을 포함한다.