플라즈마 처리 장치 및 그것에 이용되는 전극 document_id 1020100135879

[청구항 1] 감압 가능한 처리용기와, 상기 처리용기내에 마련된 전극과, 플라즈마를 생성하도록 상기 처리용기내로 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원 을 포함하고, 상기 전극은 유전체로 형성된 기재와, 상기 기재와 동일 재질로 이루어지고 상기 기재에 매설되는 유전체와, 상기 기재와 상기 유전체 사이의 접합부에 마련되어 상기 기재와 상기 유전체를 함께 접착하여 고정하는 도전성 접착층을 구비하고, 상기 기재는 오목부를 갖고, 상기 유전체는 상기 기재의 오목부에 매설되며, 상기 전극은 상기 기재를 덮고, 상기 도전성 접착층과 전기적으로 접속되며, 상기 도전성 접착층과 동일 전위의 금속층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 도전성 접착층을 그라운드 전위로 하는 것에 의해, 상기 고주파 전력의 파워를 상기 유전체의 위치에 근거하여변화시키는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 도전성 접착층을 원하는 전위로 하는 것에 의해, 상기 고주파 전력의 파워를 상기 유전체의 위치에 근거변화시키는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전성 접착층의 저항율은인플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재 및 상기 유전체는 알루미나(al2o3), 질화 규소(si3n4), 질화 알루미늄(aln) 중의 어느 하나형성되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체는 플라즈마 밀도가 높아지는 위치에패턴화되어배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체는 그 중심이상기기재의중심일치하도록배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체는 테이퍼 형상갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 처리용기의 내부에서 상기 전극에 대향해서 배치되는 대향 전극을 더 구비하고, 상기 전극 및 상기 대향 전극 중의 어느 하나에 상기 고주파 전력이 공급되고, 상기 전극 및 상기 대향 전극 중의 어느 하나에 피처리체가탑재되는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극의 플라즈마측의 면은 교환 가능한소모천판부에의해커버되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전극은 상부 전극이며, 상기 상부 전극에는 복수의 가스 도입관이관통되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 상부 전극의 유전체 위쪽에는 상기 복수의 가스 도입관과 연통되고, 가스를 확산하는 가스 확산부가마련되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 기재의 상면 및 하면을 각각 덮고, 상기 기재를 관통하는 도전 기둥에 전기적접속되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 기재의 상면 및 하면을 각각 덮고, 상기 기재의 외주측면측으로부터 상기 기재를 상기 처리용기에 고정시키는 클램프에 전기적접속되어 있는플라즈마 처리 장치.