문맥 (context)
[청구항 1]
하부 배선들, 상기 하부 배선들을 가로지르는 상부 배선들, 상기 하부 배선들과 상기 상부 배선들의 교차 영역들 각각에 배치되는 선택 소자들, 및 상기 선택 소자와 상기 상부 배선 사이에 배치되는 메모리 요소를 포함하되,
상기 선택 소자들 각각은, 상기 하부 배선에 평행하면서 상기 상부 배선에 수직한 평면에 대해, 실질적으로 거울 비대칭성(mirror asymmetry)을 갖는 반도체 패턴 내에 구현되는 반도체 장치
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 상부 배선들 중의 하나에 접속하는 선택 소자들 중의 인접하는 둘은, 병진 대칭성(translational symmetry)없이, 이들 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성갖는반도체 장치.
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 패턴들각각은, 상기 하부 배선에 수직하면서 상기 상부 배선에 평행한 평면에 대해, 실질적으로 거울 대칭성갖는반도체 장치.
[청구항 6]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 패턴은 실질적으로 사각형의 수평 단면을 갖고, 상기 수평 단면의 모서리는 상기 반도체 패턴의 폭의 1/4보다 작은 곡률 반경갖는반도체 장치.
[청구항 7]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 패턴은 그것의 하부 측벽으로부터 수평적으로 돌출되는 돌출부을 갖되, 상기 돌출부는 상기 하부 배선의 장축에 수직한 일 방향을 따라 돌출됨으로써 상기 반도체 패턴은 l자 모양의 수직 단면갖는반도체 장치.
[청구항 8]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 패턴들각각은 심-프리(seam-free) 또는 보이드-프리(void-free) 구조형성되는반도체 장치.
[청구항 9]
청구항 1에 있어서,상기 반도체 패턴은 서로 다른 도전형으로 도핑된 상부 불순물 영역 및 하부 불순물 영역을 포함하고, 상기 상부 및 하부 불순물 영역은 피엔 또는 피아이엔 다이오드를 구성함으로써 상기 선택 소자기능하는반도체 장치.
[청구항 10]
청구항 1에 있어서,상기 메모리 요소는, 이를 통과하는 전류에 의해 그것의 저항을 선택적으로 변화시킬 수 있는, 가변저항 특성을 갖는 물질들 중의 적어도 하나포함하는반도체 장치.
[청구항 11]
청구항 1에 있어서,상기 메모리 요소는 칼코겐 화합물들, 페로브스카이트(perovskite) 화합물들, 전이금속 산화물들, 강자성 물질들 또는 반강자성 물질들 중의 적어도 하나의 물질포함하는반도체 장치.
[청구항 12]
청구항 1에 있어서,상기 하부 배선은 도핑된 반도체 또는 금속들 중의 적어도 하나형성되는반도체 장치.
[청구항 13]
청구항 1에 있어서,상기 상부 배선의 아래에는, 상기 반도체 패턴들 사이에 배치되는 제 1 절연 패턴들 및 제 2 절연 패턴들을 더 포함하되, 상기 제 1 절연 패턴 및 상기 제 2 절연 패턴은 하나의 상기 반도체 패턴의 마주보는 두 측벽들각각 덮는반도체 장치.
[청구항 14]
청구항 13에 있어서,상기 제 1 절연 패턴의 폭은 위쪽으로 갈수록 가늘어지고, 상기 제 2 절연 패턴의 폭은 아래쪽지는반도체 장치.
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기 제 1 절연 패턴은 수직하게 연장되어 상기 하부 배선의 하부면보다 낮은 하부면을 갖고, 상기 하부 배선들은 상기 제 1 절연 패턴들에 의해 수평적분리되는반도체 장치.
지시문 (instruction)
본문에서 필요한 정보를 찾아 질문에 답변하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2를 참조할 때, 상부 배선 중 하나에 접속하는 인접한 두 선택 소자의 대칭성 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 2를 결합하여 상부 배선에 접속하는 인접한 두 선택 소자의 대칭성 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 상부 배선 중 하나에 접속하는 인접한 두 선택 소자의 대칭 특성을 추출한다.
- 상기 상부 배선들 중의 하나에 접속하는 선택 소자들 중의 인접하는 둘은, 병진 대칭성(translational symmetry)없이, 이들 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성갖는
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3근거 선택
evidence_selection인접한 두 선택 소자가 병진 대칭성은 없으나, 그들 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성을 가진다는 구절을 선택한다.
- 상기 상부 배선들 중의 하나에 접속하는 선택 소자들 중의 인접하는 둘은, 병진 대칭성(translational symmetry)없이, 이들 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성갖는
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로, 두 소자는 서로 병진 대칭을 이루지는 않지만, 두 소자 사이의 평면을 기준으로 거울 대칭 관계에 있음을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation인접한 두 선택 소자는 병진 대칭성 없이, 두 소자 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성을 갖는 관계이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상부 배선 중 하나에 접속하는 인접한 두 선택 소자는 병진 대칭성(translational symmetry)은 없으나, 이들 사이를 지나는 평면에 대해 거울 대칭성을 갖는 관계이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 상부 배선에 연결된 인접한 선택 소자들이 병진 대칭이 아닌, 특정 평면을 기준으로 한 거울 대칭 구조를 가짐으로써 반도체 패턴의 비대칭성을 활용하는 기술을 포함한다.