이중 플라즈마 이온 소오스 document_id 1020107011288

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 챔버는 고 진공 영역으로의 통로를 형성하는 펌핑 개구를 더 형성하고, 상기 펌핑 개구는 상기 제 1 플라즈마로부터 전자를 추출하기 위한 개구와 결합되는 면적의 치수(area dimension)보다 더 큰 면적의 치수갖는이온 소오스. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 부품은 캐소드 및 애노드포함하는이온 소오스. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 부품은 rf 안테나포함하는이온 소오스. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 챔버로부터 상기 제 2 플라즈마 챔버로 추출된 전자들을 운반시키기 위해 상기 제 1 플라즈마 챔버와 상기 제 2 플라즈마 챔버 사이에 상대 전압차(relative voltage differential)를 일으키기 위한 바이어싱 전력 공급원더 포함하는이온 소오스. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, 또는 nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스 중 하나 이상포함하는이온 소오스. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스, 또는 데카보란(b10h14) 또는 옥타데카보란(b18h22)과 같은 거대 분자 가스 중 하나 이상포함하는이온 소오스. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 추출 개구와 결합되는 추출 전극 조립체를 더 포함하며, 상기 추출 전극 조립체는 이온 빔을 일반적으로 형성하기 위해 이온 소오스로부터 이온을 추출하도록 작동가능한이온 소오스. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 챔버는 고 진공 영역으로의 통로를 형성하는 펌핑 개구를 더 형성하고, 상기 펌펑 개구는 상기 제 1 플라즈마로부터 전자를 추출하기 위한 개구와 결합되는 면적의 치수보다 더 큰 면적의 치수갖는이온 주입 시스템. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 부품은 캐소드 및 애노드포함하는이온 주입 시스템. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 플라즈마 발생 부품은 rf 안테나포함하는이온 주입 시스템. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 플라즈마 챔버로부터 상기 제 2 플라즈마 챔버로 추출된 전자들을 운반시키기 위해 상기 제 1 플라즈마 챔버와 상기 제 2 플라즈마 챔버 사이에 상대 전압차(relative voltage differential)를 일으키기 위한 바이어싱 전력 공급원더 포함하는이온 주입 시스템. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, 또는 nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스 중 하나 이상포함하는이온 주입 시스템. [청구항 17] 제 11 항에 있어서,상기 제 2 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스, 또는 데카보란(b10h14) 또는 옥타데카보란(b18h22)과 같은 거대 분자 가스 중 하나 이상포함하는이온 주입 시스템. [청구항 18] 제 11 항에 있어서,상기 추출 개구와 결합되는 추출 장치를 더 포함하며, 상기 추출 장치는 이온 빔을 일반적으로 형성하기 위해 이온 소오스로부터 이온을 추출하도록 작동가능한이온 주입 시스템. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 이온 소오스(100)는:제 1 플라즈마 챔버(102) 및 제 2 플라즈마 챔버(116)를 포함하며, 상기 제 1 플라즈마 챔버(102)는 플라즈마 발생 부품(104) 및 제 1 가스를 수용하기 위한 제 1 가스 유입구(122)를 구비하여, 상기 플라즈마 발생(104) 부품 및 상기 제 1 가스가 상기 제 1 플라즈마 챔버(102) 내에 제 1 플라즈마를 발생시키도록 상호 작용하고, 상기 제 1 플라즈마 챔버(102)는 상기 제 1 플라즈마로부터 전자를 추출하기 위한 개구(114)를 더 형성하며, 상기 제 2 플라즈마 챔버(116)는 제 2 가스를 수용하기 위한 제 2 가스 유입구(118)를 구비하며, 상기 제 1 플라즈마 챔버(102)의 개구(112)와 실질적으로 정렬되며 상기 제 1 플라즈마 챔버로부터 추출된 전자를 수용하기 위한 개구(117)를 더 형성하여서, 상기 전자 및 제 2 가스가 상기 제 2 플라즈마 챔버(116) 내에 제 2 플라즈마를 발생시키도록 상호 작용하고, 상기 제 2 플라즈마 챔버(116)는 상기 제 2 플라즈마로부터 이온을 추출하기 위한 추출 개구더 형성하는이온 주입 시스템. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 이온 소오스의 제 1 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, 또는 nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스 중 하나 이상포함하는이온 주입 시스템. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 이온 소오스의 제 2 가스는: 아르곤(ar) 또는 크세논(xe)과 같은 불활성 가스, 보론 트리플루오라이드(bf3), 비소(ash3) 또는 포스핀(ph3)과 같은 표준 주입 가스, nf3 또는 o2와 같은 반응성 가스, 또는 데카보란(b10h14) 또는 옥타데카보란(b18h22)과 같은 거대 분자 가스 중 하나 이상포함하는이온 주입 시스템. [청구항 23] 제 19 항에 있어서,상기 이온 소오스(100)는 상기 추출 개구(120)와 결합되는 추출 장치를 더 포함하며, 상기 추출 장치는 상기 이온 빔을 일반적으로 형성하기 위해 상기 이온 소오스(100)로부터 이온을 추출하도록 작동가능한이온 주입 시스템. [청구항 24] 제 19 항에 있어서,상기 이온 소오스(100)는 상기 제 1 플라즈마 챔버(102)로부터 상기 제 2 플라즈마 챔버(116)로 추출된 전자들을 운반시키기 위해 상기 제 1 플라즈마 챔버(102)와 상기 제 2 플라즈마 챔버(116) 사이에 상대 전압차를 일으키기 위한 바이어싱 전력 공급원더 포함하는이온 주입 시스템. [청구항 25] 제 19 항에 있어서,상기 이온 소오스(100)는 캐소드 히터 필라멘트, 애노드 및 rf 안테나를 구비하는 플라즈마 발생 부품더 포함하는이온 주입 시스템.