문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 핀층이, 상기 n형 페리 자성체의 자화의 온도 의존성보다 작은 자화의 온도 의존성을 나타내는 자성체를 가지는 추가 자성층을 더 포함하며, 상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 비자성층과 상기 핀층 사이에 마그네슘 또는 알루미늄을 포함하는금속층설치하는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 핀층의 두께를 규정하는 두 개의 면 중 상기 비자성층의 반대측이 되는 면에 근접하여 전류 협착(狹窄)구조설치한것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 프리층의 자화의 방향이, 온도의 상승에 따라 면내로부터 면에수직변화하는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 프리층이 gdfeco합금으로이루어지는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 8]
제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기n형 페리 자성체의 자기 보상점(tcomp)이, 하나의 기입 펄스를 인가했을 때에 도달하는 상기 페리 자성층의 온도보다 낮고, 다른 기입 펄스를 인가했을 때에 도달하는 상기 페리 자성층의 온도보다 높은 것특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 9]
제 7 항에 있어서,상기 프리층이, 상기 n형 페리 자성체의 자화의 온도 의존성보다 작은 자화의 온도 의존성을 나타내는 자성체를 가지는 추가 자성층을 더 포함하며, 상기 추가 자성층이,상기프리층중상기비자성층측배치되는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 10]
제 2 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 페리 자성층과 상기 추가 자성층이모두수직자화막인것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 11]
제 2 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 페리 자성층과 상기 추가 자성층 중어느 일방의 층이 수직 자화막이며, 다른 일방의 층이면내 자화막인것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 12]
제 7 항에 있어서,상기 비자성층과 상기 프리층 사이에 마그네슘 또는 알루미늄을 포함하는금속층설치하는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 13]
제 2 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 비자성층이 산화 마그네슘으로 이루어지고, 상기 핀층의 상기 페리 자성층이 희토류 천이 금속 합금인 tbfeco 합금 또는 gdfeco 합금으로 이루어지며,상기추가자성층합금으로이루어지는것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 14]
제 7 항에 있어서,상기 프리층의 두께를 규정하는 두 개의 면 중 상기 비자성층의 반대측이 되는 면에 근접하여전류협착구조설치한것을특징으로 하는자기 메모리 소자.
[청구항 29]
제 1항 또는 제 7 항에 기재된 자기 메모리 소자와,상기 자기 메모리 소자에 직렬로 접속된 정류 소자와,상기 자기 메모리 소자의 스핀 밸브 구조에 있어서의 프리층의 자화와 핀층의 자화의 조합을 제 1 조합 상태로 하기 위한 제 1 기입 펄스와, 상기 조합을 제 2 조합 상태로 하기 위한, 상기 제 1 기입 펄스와 동일한 극성의 제 2 기입 펄스를 생성하여, 상기 정류 소자와 상기 자기 메모리 소자에 인가하여 기입(writing) 및 소거(erasing)를 행하는 정보 재기입(overwrite) 수단과,자기 메모리 소자에 흐르는 전류량으로부터 기억된 정보를 판독하는판독수단구비하여이루어지는것을특징으로 하는불휘발성 기억장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
자기 메모리 소자에서 핀층이 n형 페리 자성체의 자화 온도 의존성보다 작은 자화 온도 의존성을 갖는 추가 자성층을 포함할 경우, 해당 추가 자성층은 핀층의 어느 측에 배치되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 n형 페리 자성체의 자화 온도 의존성보다 작은 의존성을 갖는 추가 자성층이 핀층의 어느 측에 배치되는지 묻는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 핀층이 특정 자화 온도 의존성을 갖는 추가 자성층을 포함하며, 해당 추가 자성층의 위치를 명시한다.
- 상기 핀층이, 상기 n형 페리 자성체의 자화의 온도 의존성보다 작은 자화의 온도 의존성을 나타내는 자성체를 가지는 추가 자성층을 더 포함하며, 상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection추가 자성층의 위치를 직접적으로 설명하는 '상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것' 구절을 선택한다.
- 상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것
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4논리 통합
logical_integration추가 자성층은 핀층 내에서 비자성층 측에 배치된다는 관계를 도출할 수 있다.
- 상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 추가 자성층은 핀층의 비자성층 측에 배치된다.
- 상기 추가 자성층이, 상기 핀층중상기비자성층측배치되는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변인 '비자성층 측'을 추출하여 답변을 생성한다.
- 상기비자성층측배치되는것
최종 답변 (final_answer)
비자성층 측
핵심 해석 (core_interpretation)
자기 메모리 소자의 핀층 내에 특정 자화 온도 의존성을 가진 추가 자성층을 비자성층 측에 배치함으로써 소자의 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.