다층 금속화층과 비아를 가지는 메타물질 구조 document_id 1020107012787

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 메타물질 안테나를 형성하도록 구성되고 두가지이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,가지 이상의 주파수 공진중적어도 두 개는 광대역(wide band)을 생성하기에 충분할 정도가까이 있는메타물질 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 저대역(low bnad)에서 제1주파수 공진을 생성하고 고대역(high band)에서 제2주파수 공진을 생성하도록 구성되며, 상기 제1주파수 공진은 lh(left-handed) 모드 주파수 공진이며 상기 제2주파수 공진은 rh(right-handed) 모드 주파수공진인메타물질 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 저대역에서 제1주파수 공진을 생성하고 고대역에서 제2주파수 공진을 생성하며, 상기 제1주파수 공진과 결합할 상기 제1주파수 공진에 충분히 주파수가 근접한 제3주파 공진을 생성하여, 상기 저대역보다 넓은 결합모드(combined mode) 공진제공하는메타물질 장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제1주파수 공진은 lh 모드 주파수 공진이고, 상기 제2주파수 공진은 rh 모드 주파수 공진이고, 상기 제3주파수 공진은 또다른 rh 모드 주파수공진인메타물질 장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 결합모드 공진의 대역폭은이상인메타물질 장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기rh 모드 주파수 공진은 단일폴(monopole) 모드 주파수공진인메타물질 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 wifi 대역(band)을 감당할 수 있도록 두개이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 셀룰라 대역(cellular band) 부분과 4-대역(quad-band) 안테나 동작용 pcs/dcs 대역을 감당할 수 있도록 두가지이상의공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 셀룰라 대역(cellular band) 부분과 5-대역(penta-band) 안테나 동작용 pcs/dcs 대역을 감당할 수 있도록 두가지이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 wimax 대역을 감당할 수 있도록 두개이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 메타물질 전송 선로를 형성하도록 구성되고 두가지이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 전도성 부분들에 연결되는 집중형 회로 소자더 포함하는메타물질 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들과 전도성 비아는 복수의 메타물질 안테나를 형성하도록 구성되고 두가지이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 크기와 효율간의 트레이드오프(trade-off)를 기초로 크기결정되는메타물질 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면, 그리고 상기 제1표면 반대쪽의 제2표면을 가지고,상기 복수의 금속화층들은 상기 제1표면 위에 형성되는 제1금속화층과 상기 제2표면 위에 형성되는 제2금속화층을 가지며, 그리고상기 crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들은 ; (1) 상기 제2금속화층에 형성되는 접지 전극; (2) 상기 제1금속화층에 형성되는 셀 패치; (3) 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 전도성 비아를 연결하며 상기 제1금속화층의 셀 패치에 연결되는 비아 선로; (4) 상기 제1금속화층에 형성되는 공급 선로; (5) 상기 공급 선로의 끝단(distal end)에 형성되며 상기 셀 패치와 갭(gap)을 통하여 전자기적으로 연결되어 상기 셀 패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 저대역(low band)에서는 lh(left-handed) 모드 주파수 공진을, 그리고 고대역(high band)에서는 rh(right-handed)모드 주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,대역 안테나 동작을 위하여 상기 저대역은 셀룰라 대역의 일부를 포함하고 상기 고대역은 pcs/dcs 대역포함하는메타물질 장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들은 상기 제2금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 제1셀패치(cell patch)와 제2셀패치; 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 전도성 비아를 연결하며 상기 제1금속화층내의 상기 제1셀패치에 연결되는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 형성되고 제1갭(gap)과 제2갭(gap)을 통하여 각각 제1셀패치와 제2셀패치에 전자기적으로 연결되어 상기 제1 내지 제2셀 패치로 혹은 상기 제1 내지 제2셀패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기crlh 물질 구조는저대역에서는 lh(left-handed) 모드 주파수 공진을, 그리고 고대역에서는 rh(right-handed)모드 주파수 공진을 생성하고, 주로 상기 제2셀패치의 구성에 의하여 제어되고 충분히 상기 lh 모드 주파수 공진에 근접하여 상기 lh 모드 주파수 공진과 결합되어 상기 저대역보다 더 넓은 결합모드 공진을 제공하는 제2rh모드공진 주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,대역 안테나 동작을 위하여 상기 결합모드 공진 대역은 셀룰라 대역의 일부를 포함하고 상기 고대역은 pcs/dcs 대역포함하는메타물질 장치. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 제2금속화층에 형성되고 매칭(matching)을 향상시키기 위하여 상기 비아 선로에 연결되는 비아 선로 확장포함하는메타물질 장치. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 기판은 주기판 그리고 자신과 상기 주기판 사이에 공간을 가지면서 상기 주기판 위에 위치한 상향된 기판(elevated substrate)을 포함하며, 상기 상향된 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면 반대쪽의 제2표면을 가지며, 상기 주기판은 제3표면 그리고 상기 제3표면 반대쪽의 제4표면을 가지며, 상기 제2 내지 제3표면은 서로 공간을 두고 마주보고 있으며,상기 복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층, 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층, 상기 제3표면 위에 형성된 제3금속화층, 상기 제4표면 위에 형성된 제4금속화층을 포함하며,상기 전도성 비아는 제1비아, 제2비아, 그리고 제3비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들은 상기 제4금속화층에 형성된 접지 전극;상기 제1금속화층에 형성된 제1셀패치 및 제2셀패치;상기 제2금속화층에 형성되고 상기 상향된 기판에 형성된 제1비아에 의하여 상기 제1셀패치에 연결되는 제1비아선로;상기 제4금속화층에 형성되고 상기 제2금속화층내의 상기 제1비아선로에 상기 기판과 공간을 관통하는 상기 제2비아에 의하여 연결되는 제2비아선로;상기 제3금속화층에 형성되는 제1공급선로;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 제3금속화층내의 상기 제1비아선로에 상기 상향된 기판과 공간을 관통하는 상기 제3비아에 의하여 연결되는 제2공급선로;상기 공급 선로의 끝단(distal end)에 형성되며 상기 제1 내지 제2갭(gap)을 통하여 각각 제1 내지 제2셀패치로 연결되어 상기 제1내지 제2셀패치로 혹은 상기 제1내지 제2셀패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는저대역에서는 lh모드 주파수 공진을, 그리고 고대역에서는 제1rh모드 주파수 공진을 생성하고, 주로 상기 제2셀패치의 구성에 의하여 제어되고 충분히 상기 lh 모드 주파수 공진에 근접하여 상기 lh 모드 주파수 공진과 결합되어 상기 저대역보다 더 넓은 결합모드 공진을 제공하는 제2rh모드공진 주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 주기판과 상향된 기판사이의 공간은 저대역과 고대역 사이의 주파수 범위에서의매칭향상시키기증가되는메타물질 장치. [청구항 27] 제24항에 있어서,상기 제2금속화층에 형성되고 매칭을 향상시키기 위하여 상기 비아 선로에 연결되는 비아 선로 확장더 포함하는메타물질 장치. [청구항 28] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조는 제1메타물질 안테나와 제2메타물질 안테나를 포함하며, 상기 제1 내지 제2메타물질 안테나는 상기 제2금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 셀패치; 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 전도성 비아를 연결하며 상기 제1금속화층내의 상기 셀패치에 연결되는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 형성되고 갭을 통하여 셀패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 또는 셀패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 제1메타물질 안테나는 저대역에서 저주파수 공진을 생성하도록 구성되고, 상기 제2메타물질 안테나는 고대역에서고주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 30] 제29항에 있어서,주파수 공진은 lh 모드 공진이며, 상기 제1메타물질 안테나의 상기 공급 선로는 lh 모드 공진에 결합되도록 lh 모드 공진에 근접하거나 더 높은 단일폴 모드 공진을 생성하기에 충분히 길도록 형성되어 상기 저대역보다 더 넓은 결합 모드 공진 대역제공하는메타물질 장치. [청구항 31] 제1항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들과 전도성 비아는 상이한 주파수 공진을 생성하기 위하여 구성되는 복수의 메타물질 안테나를 포함하는수신 다이버시티안테나배열형성하기구성되는메타물질 장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 수신 다이버시티 안테나 배열의 상기 복수의 메타물질 안테나는 크기와 효율간의 트레이드오프(trade-off)를 기초로소형화되도록구성되는메타물질 장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 복수의 메타물질 안테나는 제1메타물질 안테나, 제2메타물질 안테나, 및 제3메타물질 안테나를 포함하며, 상기 제1 내지 제3메타물질 안테나는상기 제2금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 셀패치; 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 전도성 비아를 연결하며 상기 제1금속화층내의 상기 셀패치에 연결되는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 형성되고 갭을 통하여 셀패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 접지 전극은 상기 제1메타물질 안테나, 제2메타물질 안테나, 제3메타물질 안테나에 공통이며, 그리고 매칭과 분리(isolation)를 향상시키기 위하여 확장된 부분가지는메타물질 장치. [청구항 35] 제33항에 있어서,상기 제1메타물질 안테나는 us cell rx 869-894mhz 대역을 감당하기 위한 제1lh주파수 공진을 생성하도록 구성되고, 상기 제2메타물질 안테나는 gps 1570-1580mhz 대역을 감당하기 위한 제2lh주파수 공진을 생성하도록 구성되고, 상기 제3메타물질 안테나는 pcs rx 1930-1990mhz 대역을 감당하기 위한 제3lh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 36] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 전도성 비아는 제1비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제2금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 제1셀패치;상기 제2금속화층에 형성되고 상기 제1비아에 의하여 상기 제1셀패치에 연결되는 제2셀패치;상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제2셀패치를 연결하는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 형성되고 제1갭을 통하여 상기 제1셀패치에 전자기적으로 연결되어 상기 제1셀패치로 혹은 상기 제1셀패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 공급선로 또는 상기 런치패드에 부착되는 제1전도성 선로;상기 제2금속화층에 형성되고, 상기 제1전도성 선로와 충분히 겹치도록(overlay) 위치하며, 제2갭을 통하여 상기 제2셀패치와 전자기적으로 결합하는 제2전도성 선로포함하는메타물질 장치. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 전도성 비아는 매칭을 향상시키기 위하여 상기 상부 전도성 선로와 하부 전도성 선로를 연결하는 제2비아더 포함하는메타물질 장치. [청구항 38] 제36항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 저대역에서 lh 모드 공진을 생성하도록 구성되고, 상기 상부 전도성 선로는 lh 모드 주파수 공진에 가깝고 높은 주파수에서단일폴 모드공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 39] 제36항에 있어서,상기 상부 전도성 선로와 하부 전도성 선로는 나선형인메타물질 장치. [청구항 40] 제36항에 있어서,상기 상부 전도성 선로와 하부 전도성 선로는 사행형인메타물질 장치. [청구항 41] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면n위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 전도성 비아는 제1비아 및 제2비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제1금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 제1셀패치;상기 제2금속화층에 형성되고 상기 제1비아에 의하여 상기 제1셀패치에 연결되는 제2셀패치;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제1셀패치를 연결하는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 형성되고 갭을 통하여 상기 제1셀패치에 전자기적으로 연결되어 상기 제1셀패치로 혹은 상기 제1셀패치부터 신호를 유도하는 런치 패드;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 공급선로 또는 상기 런치패드에 부착되는 제1전도성 선로;상기 제2금속화층에 형성되고, 상기 제2비아에 의하여 상기 제1셀패치에 연결되는 제2전도성 선로포함하는메타물질 장치. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 저대역에서는 lh모드 주파수 공진을, 그리고 고대역에서는 제1단일폴모드 주파수 공진을 생성하고, 주로 상기 상부 전도성 선로의 구성에 의하여 제어되고 충분히 상기 lh 모드 주파수 공진에 근접하여 상기 lh 모드 주파수 공진과 결합되어 상기 저대역보다 더 넓은 결합모드 공진 대역을 제공하는제2단일폴모드공진 주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,대역 안테나 동작을 위하여 상기 결합모드 공진 대역은 셀룰라 대역을 포함하고 상기 고대역은 pcs/dcs 대역포함하는메타물질 장치. [청구항 44] 제41항에 있어서,상기 상부 전도성 선로는 나선형인메타물질 장치. [청구항 45] 제41항에 있어서,상기 상부 전도성 선로는 사행형인메타물질 장치. [청구항 46] 제17항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은 상기 제1금속화층에 형성되고 상기 공급 선로 혹은 상기 런치 패드에 부착되는 전도성 선로더 포함하는메타물질 장치. [청구항 47] 제46항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 저대역에서는 lh모드 주파수 공진을, 그리고 고대역에서는 제1단일폴모드 주파수 공진을 생성하고, 주로 상기 전도성 선로의 구성에 의하여 제어되고 충분히 상기 lh 모드 주파수 공진에 근접하여 상기 lh 모드 주파수 공진과 결합되어 상기 저대역보다 더 넓은 결합모드 공진 대역을 제공하는 제2단일폴모드 공진 주파수 공진을 생성하며,5-대역 안테나 동작을 위하여 상기 결합모드 공진 대역은 셀룰라 대역을 포함하고 상기 고대역은 pcs/dcs 대역포함하는메타물질 장치. [청구항 48] 제17항에 있어서,패치와 런치 패드를 결합하는 캐패시터를 더 포함하되, 캐패시터의 캐패시턴스값을 기초로 캐패시터가 없는 경우의 갭의 폭 그리고/또는 길이에 비하여 상기 갭의 폭은 증가 그리고/또는 상기 갭의 길이감소하는메타물질 장치. [청구항 49] 제17항에 있어서,상기 비아 선로에 삽입되는 인덕터를 더 포함하며, 상기 비아 선로의 길이는 상기 인덕터의 인덕턴스값을 기초로 상기 인덕터가 없는 경우의 상기 비아 선로의 길이짧아지는메타물질 장치. [청구항 50] 제46항에 있어서,상기 전도성 선로에 삽입되는 인덕터를 더 포함하며, 상기 전도성 선로의 길이는 상기 인덕터의 인덕턴스값을 기초로 상기 인덕터가 없는 경우의 상기 전도성 선로의 길이짧아지는메타물질 장치. [청구항 51] 제17항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조의 전도성 부분들은 상기 공급 선로 또는 런치 패드에 부착된 3차원 전도성 선로를 더 포함하며, 상기 3차원 전도성 선로는상기 제1금속화층에 형성된 제1전도성 선로 부분;상기 제2금속화층에 형성된 제2전도성 선로 부분;상기 기판에 형성되고 상기 제1전도성 선로 부분과 제2전도성 선로 부분을 연결하는 전도성 선로 비아 부분포함하는메타물질 장치. [청구항 52] 제51항에 있어서,상기 3차원 전도성 선로는 나선형인메타물질 장치. [청구항 53] 제51항에 있어서,상기 3차원 전도성 선로는 사행형인메타물질 장치. [청구항 54] 제51항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 cdma 대역을 감당하기 위하여 두가지이상의주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 55] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 비아는 제1비아 및 제2비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제1금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구(internal opening)를 정의하기 위하여 패턴처리된 셀 패치;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제1비아를 연결하고, 상기 제2금속화층의 셀 패치에 연결되는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 내부 개구내에서 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 제2비아에 의하여 상기 공급 라인에 연결되는 런치패드를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 셀 패치가 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 56] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제2금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구(internal opening)를 정의하기 위하여 패턴처리된 셀 패치;상기 제2금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 셀 패치를 연결하는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 내부 개구내에서 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 비아에 의하여 상기 공급 라인에 연결되는 런치패드를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 셀 패치가 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 57] 제1항에 있어서,상기 기판은 다층(multilayer) 기판이며,복수의 금속화층은 상기 다층 기판과 연관된 제1금속화층, 제2금속화층, 그리고 제3금속화층을 포함하며,상기 비아는 제1비아 및 제2비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제3금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구(internal opening)를 정의하기 위하여 패턴처리된 셀 패치;상기 제3금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제1비아를 연결하고, 상기 제2금속화층의 셀 패치에 연결되는 비아 선로; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로; 및 상기 내부 개구내 상기 제2금속화층에 형성되고 상기 제2비아에 의하여 상기 공급 라인에 연결되는 런치패드를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 셀 패치가 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 58] 제55항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 저대역에서 lh 주파수 공진을 생성하고 고대역에서 rh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 59] 제58항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 wifi 대역을 감당하기 위하여 lh 주파수 공진과 rh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 60] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 비아는 제1비아 및 제2비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제1금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로;상기 내부 개구내 상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구를 정의하기 위하여 패턴처리되며 상기 제1비아에 의하여 상기 공급 선로에 연결되는 런치 패드;상기 내부 개구내에서 제2금속화층에 형성된 셀 패치;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제1비아를 연결하며, 상기 제2금속화층내 셀 패치에 연결되는 비아 선로;를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 셀 패치를 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 신호를 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 61] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제1금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제2금속화층에 형성된 공급 선로;상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구를 정의하기 위하여 패턴처리되는 런치 패드;상기 내부 개구내에서 제2금속화층에 형성된 셀 패치;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 비아를 연결하며, 상기 제2금속화층내 셀 패치에 연결되는 비아 선로;를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 셀 패치를 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 62] 제1항에 있어서,상기 기판은 다층 기판이며,복수의 금속화층은 상기 다층 기판과 연관된 제1금속화층, 제2금속화층, 그리고 제3금속화층을 포함하며,상기 비아는 제1비아 및 제2비아를 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제3금속화층에 형성된 접지 전극;상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로;상기 제2금속화층에 형성되고 내부 개구(internal opening)를 정의하기 위하여 패턴처리되고, 상기 제1비아에 의하여 상기 공급 라인에 연결되는 런치 패드;상기 내부개구내에서 상기 제2금속화층에 형성된 셀 패치;상기 제3금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 제2비아를 연결하고, 상기 제2금속화층의 셀 패치에 연결되는 비아 선로; 를 포함하며상기 런치 패드는 상기 셀 패치를 에워싸고 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 63] 제60항에 있어서,상기crlh 메타물질 구조는 저대역에서 lh 주파수 공진을 생성하고 고대역에서 rh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 64] 제63항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 상호 결합될 수 있을만큼 충분히 가까운 저대역과 고대역을 생성하여 약 2.5ghz 이상의 대역폭을 가지는 넓은 대역제공하는메타물질 장치. [청구항 65] 제1항에 있어서,상기 기판은 다층 기판이며,복수의 금속화층은 상기 다층 기판과 연관된 제1금속화층, 제2금속화층, 그리고 제3금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제3금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로;상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 상기 제1금속화층에 형성된 런치 패드;상기 제2금속화층에 형성된 셀 패치;상기 제3금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 비아를 연결하며, 상기 제2금속화층내 셀 패치에 연결되는 비아 선로;를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 제1금속화층과 제2금속화층 사이에서 상기 런치 패드 아래의 수직 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 66] 제1항에 있어서,상기 기판은 제1표면 그리고 상기 제1표면의 반대쪽에 제2표면을 가지며,복수의 금속화층은 상기 제1표면 위에 형성된 제1금속화층 그리고 상기 제2표면 위에 형성된 제2금속화층을 포함하며,상기 crlh 메타물질 구조의 상기 전도성 부분들은상기 제1금속화층에 형성된 접지 전극; 상기 제1금속화층에 형성된 공급 선로;상기 공급 선로의 한쪽 끝에서 상기 제1금속화층에 형성된 런치 패드;상기 제2금속화층에 형성된 셀 패치;상기 제1금속화층에 형성되고 상기 접지 전극과 비아를 연결하며, 상기 제2금속화층내 셀 패치에 연결되는 비아 선로;를 포함하며, 상기 런치 패드는 상기 제1금속화층과 제2금속화층 사이에서 상기 런치 패드 아래의 수직 갭을 통하여 상기 셀 패치에 전자기적으로 연결되어 상기 셀패치로 혹은 상기 셀 패치로부터 신호를 유도하는 런치 패드포함하는메타물질 장치. [청구항 67] 제65항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 저대역에서 lh 주파수 공진을 생성하고 고대역에서 rh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 68] 제67항에 있어서,상기crlh 물질 구조는 4-대역을 감당하기 위하여 lh 주파수 공진과 rh주파수공진생성하도록구성되는메타물질 장치. [청구항 70] 제69항에 있어서,비아 패드는상기 셀패치보다 면적이 작은 메타물질 장치. [청구항 71] 제69항에 있어서,패치는 개구를 가지도록 모양이 형성되고 상기 런치 패드는 상기 개구내위치하는메타물질 장치. [청구항 72] 제69항에 있어서,상기 런치 패드는 상기 개구를 가지도록 모양이 형성되고 상기 셀 패치는 상기 개구내위치하는메타물질 장치.