문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터 및 제2 트랜지스터는 동일한 구조갖는반도체 기억장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제1 비트선보다 상기 제2 비트선이 저저항인반도체 기억장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는 워드선과 비트선이 서로 교차하도록 구성되며, 워드선과 비트선의 교점에 각각 메모리 셀형성되는반도체 기억장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 메모리 셀은 1개의 제1 트랜지스터 및 1개의 용량소자로 구성되는 다이나믹메모리인반도체 기억장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 상기 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제2 트랜지스터상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자보다 하층에 형성된 제2 비트선에 접속되어 있고, 제2 비트선 사이에 제1 콘택이제2비트선과전기적분리되어형성되어 있는반도체 기억장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제2 트랜지스터상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자의 전극에 형성된 콘택홀을 통해 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층으로 구성되는 제2 비트선과접속되는반도체 기억장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 제1 비트선보다 상기 제2 비트선이 저저항인반도체 기억장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는 워드선과 비트선이 서로 교차하도록 구성되며, 워드선과 비트선의 교점에 각각 메모리 셀형성되는반도체 기억장치.
[청구항 11]
제8항에 있어서,상기 메모리 셀은 1개의 제1 트랜지스터 및 1개의 용량소자로 구성되는 다이나믹메모리인반도체 기억장치.
[청구항 12]
제8항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 상기 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제3 콘택상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자보다 하층에 형성된 제2 비트선에 접속되어 있고, 제2 비트선 사이에 제1 콘택이제2비트선과전기적분리되어형성되어 있는반도체 기억장치.
[청구항 13]
제8항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제3 콘택상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자의 전극에 형성된 콘택홀을 통해 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층으로 구성되는 제2 비트선과접속되는반도체 기억장치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 제1 비트선보다 상기 제2 비트선이 저저항인반도체 기억장치.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 메모리 셀 어레이는 워드선과 비트선이 서로 교차하도록 구성되며, 워드선과 비트선의 교점에 각각 메모리 셀형성되는반도체 기억장치.
[청구항 17]
제14항에 있어서,상기 메모리 셀은 1개의 제1 트랜지스터 및 1개의 용량소자로 구성되는 다이나믹메모리인반도체 기억장치.
[청구항 18]
제14항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 상기 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제4 콘택상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자보다 하층에 형성된 제2 비트선에 접속되어 있고, 제2 비트선 사이에 제1 콘택이제2비트선과전기적분리되어형성되어 있는반도체 기억장치.
[청구항 19]
제14항에 있어서,상기 제1 트랜지스터상에는 제1 콘택이 형성되고, 제1 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자에 접속되고, 상기 제4 콘택상에는 제2 콘택이 형성되고, 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자의 전극에 형성된 콘택홀을 통해 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층으로 구성되는 제2 비트선과접속되는반도체 기억장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 6항과 7항에 기재된 내용을 바탕으로, 제2 트랜지스터의 제2 콘택이 접속되는 제2 비트선의 위치 및 형성 층에 따른 차이점은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 6항과 7항을 비교하여 제2 콘택이 접속되는 제2 비트선의 위치와 형성 층의 차이점을 도출해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6항에서 제2 콘택은 용량소자보다 하층에 형성된 제2 비트선에 접속됨을 확인한다.
- 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자보다 하층에 형성된 제2 비트선에 접속되어 있고
-
3근거 선택
evidence_selection청구항 7항에서 제2 콘택은 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층의 제2 비트선에 접속됨을 확인한다.
- 상기 제2 콘택은 그 상부에 형성된 용량소자의 전극에 형성된 콘택홀을 통해 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층으로 구성되는 제2 비트선과접속되는
-
4논리 통합
logical_integration6항의 제2 비트선은 용량소자보다 낮은 층에 위치하는 반면, 7항의 제2 비트선은 용량소자의 상부(상층)에 위치한다는 차이점을 통합한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation제2 비트선의 위치는 용량소자 하층(6항)과 용량소자 상층(7항)으로 구분된다.
-
6답변 생성
answer_generation두 청구항의 차이점을 위치와 형성 층을 중심으로 정리하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
청구항 6항에 따른 제2 비트선은 용량소자보다 하층에 형성되어 제2 콘택이 접속되는 반면, 청구항 7항에 따른 제2 비트선은 용량소자의 전극에 형성된 콘택홀을 통해 용량소자의 상부로 인출되어 용량소자의 상층에 형성되는 제2층에 위치하여 제2 콘택과 접속된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제2 비트선의 형성 위치를 용량소자의 하층 또는 상층(제2층)으로 구분하여 반도체 기억장치의 구조적 차이를 정의하고 있다.