문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 p 타입이고,상기제2도전성타입타입인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입의 상기 제 1 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 에피택셜층의 상기 제 1 구역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 1 분리영역과 상기 제 2 매장층은콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기 제 2 도전성 타입의 상기 제 2 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 1 도전성 타입의 상기 제 3 영역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 3 매장층과 상기 제 2 싱커는콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,제 3 측면 바이폴라 트렌지스터, 및제 2 분리 구조체를 포함하고,상기 제 3 측면 바이폴라 트랜지스터는 제 2 도전성 타입의 제 5 매장층,상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커,상기 에피택셜층의 상기 표면에 위치하는 제 1 도전성 타입의 제 4 영역, 및상기 에피택셜층의 상기 표면에 위치하는 제 1 도전성 타입의 제 5 영역을 구비하고,상기 제 4 및 제 5 영역은 상기 에피택셜층의 제 2 구역에 의해 서로 분리되고,상기 제 2 분리 구조체는상기 인터페이스에 위치하고, 상기 제 3 및 제 5 매장층 사이에 위치하는 제 1 도전성 타입의 제 6 매장층, 및상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 6 매장층까지 아래로 연장하는 제 1 도전성 타입의 제 3 분리영역을 구비하고,각각의 상기 제 3 싱커와 상기 제 3 분리영역은 한 쌍의 트렌치에 의해 각각 측면으로 구속되고,상기트렌치유전체로채워지는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 p 타입이고,상기제2도전성타입타입인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 제 4 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 5 매장층, 상기 제 3 싱커 및 상기 에피택셜층의 제 2 구역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 5 영역은콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 매장층nan은상기제1매장층위중첩되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,각각의 상기 트렌치들의 깊이는 상기 에피택셜층의 두께의 30%내지인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 p 타입이고,상기제2도전성타입타입인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입의 상기 제 1 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 에피택셜층의 상기 제 1 구역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 1 분리영역과 상기 제 2 매장층은콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 13]
제 11 항에 있어서,상기 제 2 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 3 매장층, 상기 제 2 싱커 및 상기 에피택셜층의 상기 제 2 구역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 3 영역은콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기 제 2 매장층nan은상기제1매장층위중첩되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 15]
제 10 항에 있어서,각각의 상기 트렌치들의 깊이는 상기 에피택셜층의 두께의 30%내지인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 제 1 도전성 타입은 p 타입이고,상기제2도전성타입타입인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 제 2 도전성 타입의 상기 제 1 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 1 도전성 타입의 상기 제 2 영역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 1 매장층과 제 1 싱커는콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 19]
제 17 항에 있어서,상기 제 3 영역은 이미터의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 2 매장층, 상기 제 2 싱커 및 상기 에피택셜층의 상기 구역은 베이스의 전부 또는 일부를 형성하고, 상기 제 4 영역은콜렉터의전부또는일부형성하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
[청구항 20]
제 16 항에 있어서,각각의 상기 트렌치들의 깊이는 상기 에피택셜층의 두께의 30%내지인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제 5 항의 바이폴라 트랜지스터 장치에서 제 3 측면 바이폴라 트랜지스터의 구성 요소 중, 에피택셜층의 표면에서 제 5 매장층까지 아래로 연장되는 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 5 항의 제 3 측면 바이폴라 트랜지스터 구성 요소 중, 에피택셜층의 표면에서 제 5 매장층까지 아래로 연장되는 구성이 무엇인지 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 제 3 측면 바이폴라 트랜지스터의 구성을 확인한다.
- 상기 제 3 측면 바이폴라 트랜지스터는 제 2 도전성 타입의 제 5 매장층,상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커,상기 에피택셜층의 상기 표면에 위치하는 제 1 도전성 타입의 제 4 영역, 및상기 에피택셜층의 상기 표면에 위치하는 제 1 도전성 타입의 제 5 영역을 구비하고
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '에피택셜층의 표면에서 제 5 매장층까지 아래로 연장되는 구성'에 해당하는 구절을 선택한다.
- 상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커
-
4논리 통합
logical_integration추출된 구절에 따르면, 해당 위치 관계를 만족하는 구성은 '제 2 도전성 타입의 제 3 싱커'이다.
- 상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '제 2 도전성 타입의 제 3 싱커'를 도출한다.
- 상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
- 상기 에피택셜층의 상기 표면에서 상기 제 5 매장층까지 아래로 연장하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커
최종 답변 (final_answer)
제 2 도전성 타입의 제 3 싱커
핵심 해석 (core_interpretation)
제 3 측면 바이폴라 트랜지스터의 구조적 특징 중, 에피택셜층 표면과 제 5 매장층 사이를 수직으로 연결하는 제 2 도전성 타입의 제 3 싱커의 위치 관계를 정의하고 있다.