플라즈마 처리 장치 document_id 1020107025683

[청구항 2] 플라즈마 처리되는 기판을 수납하는 금속제의 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 플라즈마를 여기시키기 위해 필요한 전자파를 공급하는 전자파원을 구비하고, 상기 전자파원으로부터 공급되는 전자파를 상기 처리 용기의 내부에 투과시키는, 상기 처리 용기의 내부에 일부를 노출시킨 복수의 유전체를, 상기 처리 용기의 덮개체 하면에 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 상기 유전체의 하면에 금속 전극이 형성되고, 상기 금속 전극과 상기 덮개체 하면의 사이에 노출되는 상기 유전체의 부분의 적어도 일부에 인접하여 전자파를 전반시키는 표면파 전반부가 형성되며, 상기 인접하는 표면파 전반부는 상기 유전체의 형상과 닮은꼴을 이루는 형상을 갖거나, 또는 상기 유전체의 형상과 대칭이 되는 형상을 갖는 플라즈마 처리 장치 [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 유전체는 사각형의 판형상인플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 사각형은, 정사각형, 마름모형, 모서리가 둥근 정사각형 또는 모서리마름모형인플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 유전체는 삼각형의 판형상인플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 삼각형은 정삼각형 또는 모서리정삼각형인플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내부로부터 보아, 상기 복수의 유전체로 둘러싸여 있는 상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 덮개체 하면의 형상과, 상기 금속 전극 하면의 형상동일한플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내부로부터 보아, 상기 유전체의 외연(外緣)이, 상기 금속 전극의 외연외측에 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내부로부터 보아, 상기 유전체의 외연이, 상기 금속 전극의 외연과 동일하거나, 또는 내측에 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 유전체의 두께가, 서로 이웃하는 상기 유전체의 중심 간의 거리29 이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 유전체의 두께가, 서로 이웃하는 상기 유전체의 중심 간의 거리40 이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 유전체는, 상기 덮개체 하면에 형성된 오목부삽입되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 덮개체 하면과, 상기 금속 전극 하면이 동일면배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 덮개체 하면과 상기 금속 전극 하면은,부동태보호막으로덮여있는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 덮개체 하면과 상기 금속 전극 하면의 중심선 평균 거칠기이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 덮개체 하면과 상기 금속 전극 하면의 중심선 평균 거칠기이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 덮개체 하면에 있어서, 상기 유전체에 인접하는 영역에, 상기 덮개체와 전기적으로 접속된 금속 커버가 부착되고,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 금속 커버 하면에, 전자파를 전반시키는 표면파 전반부형성되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 유전체의 측면이 상기 금속 커버의 측면인접하고 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 금속 커버 하면과, 상기 금속 전극 하면이 동일면배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 처리 용기의 내부로부터 보아, 상기 금속 커버 하면의 형상과, 상기 금속 전극 하면의 형상동일한플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 금속 커버 하면과 상기 금속 전극 하면의 중심선 평균 거칠기이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출된 상기 금속 커버 하면과 상기 금속 전극 하면의 중심선 평균 거칠기이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제1항에 있어서,상기 유전체에 형성된 구멍을 관통하고, 상기 금속 전극을 상기 덮개체에 고정하는 복수의 접속 부재구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 유전체에 형성된 구멍의 적어도 일부에는, 상기 덮개체와 상기 금속 전극을 전기적으로 접속시키는 탄성 부재형성되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 접속 부재는금속으로 이루어지는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제24항에 있어서,상기 처리 용기의 내부에 노출되는 상기 접속 부재의 하면이, 상기 금속 전극의 하면과 동일면배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 유전체는 사각형의 판 형상이고, 상기 접속 부재는 상기 사각형의 대각선 상배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 접속 부재는, 1개의 상기 유전체당 4개형성되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제1항에 있어서,상기 유전체 및 상기 금속 전극을, 상기 덮개체를 향하여 탄성 지지하는 탄성 부재갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제1항에 있어서,상기 덮개체 하면에는, 연속하는 홈이 형성되어 있고, 상기 표면파 전반부 및 상기 복수의 유전체는, 홈으로 둘러싸인 영역 내배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 홈에 의해 상기 표면파 전반부구획되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제1항에 있어서,상기 처리 용기의 내면에는, 연속하는 볼록부가 형성되어 있고, 상기 표면파 전반부 및 상기 복수의 유전체는, 볼록부로 둘러싸인 영역 내배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 볼록부에 의해 상기 표면파 전반부구획되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제1항에 있어서,상기 유전체의 상부에는, 상기 유전체를 관통하지 않고, 상기 유전체의 상면에 하단이 인접 또는 근접한, 전자파를 상기 유전체에 전하는 1개 또는 복수의 금속 막대구비하고 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 금속 막대는 상기 유전체의 중앙부배치되어 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 37] 제35항에 있어서,상기 유전체와 상기 덮개체와의 사이에, 상기 처리 용기의 내부와 외부와의 분위기를 갈라 놓는 봉지(封止) 부재구비하고 있는플라즈마 처리 장치. [청구항 38] 제1항에 있어서,상기 유전체의 노출 부분의 면적이 상기 표면파 전반부의 면적2 이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 39] 제1항에 있어서,상기 유전체의 노출 부분의 면적이 상기 표면파 전반부의 면적5 이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 40] 제1항에 있어서,상기 표면파 전반부에, 처리 용기에 소정의 가스를 방출시키는가스 방출부를갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 41] 제1항에 있어서,상기 유전체의 노출 부분의 면적이 기판 상면의 면적5 이하인플라즈마 처리 장치. [청구항 42] 제1항에 있어서,상기 전자파원으로부터 공급되는 전자파의 주파수이하인플라즈마 처리 장치.