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반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치 document_id 1020110003681

출원번호
1020110003681
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 플라즈마 처리 장치에 있어서 복수의 기판이 수용되어 플라즈마 처리 공정이 수행되는 공정 챔버 상기 공정 챔버에 설치되고 동일 평면상에 복수의 기판이 놓여지는 지지부재; 및 상기 지지부재와 대향되게 설치되고, 적어도 하나 이상의 반응가스 및 퍼지가스를 상기 지지부재에 놓여진 복수의 기판들 각각에 대응하는 위치에서 독립적으로 분사할 수 있도록 독립된 복수개의 배플들을 갖는 분사부재; 및 상기 분사부재의 배플들이 상기 지지부재에 놓여진 복수의 기판들 각각에 순차적으로 선회하도록 상기 지지부재 또는 상기 분사부재를 회전시키는 구동부를 포함하되 상기 분사부재는 상기 복수개의 배플들 중 반응가스를 분사하는 적어도 하나의 배플에 설치되어 기판으로 분사되는 반응가스를 플라즈마화하는 플라즈마 발생기; 및 상기 플라즈마 발생기와 상기 기판과의 간격 조절을 위해 상기 플라즈마 발생기를 승강시키는 높낮이 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 분사부재는 상기 플라즈마 발생기가 설치되는 상기 적어도 하나의 배플에 상기 플라즈마 발생기 장착을 위한 개구가 형성되며, 상기 플라즈마 발생기를 둘러싸고 기밀이 유지되도록 설치되는벨로우즈더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 기판과 마주하는 바닥면을 갖는 몸체;상기 몸체의 바닥면 내측에 설치되고, 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 인가되는 제1전극들;상기 몸체의 바닥면 내측에 설치되고, 상기 제1전극들 사이 사이에 배치되고 바이어스 전원이 인가되는제2전극들포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 제1전극들과 상기 제2전극들은상기 지지부재 또는 상기 분사부재의 회전에 따른 플라즈마 발생영역이 기판에 균등하게 통과될 수 있도록 동일평면상에방사형형성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 제1전극들과 상기 제2전극들은콤(comb)타입배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 기판과 마주하는 바닥면을 갖는 몸체;상기 몸체의 바닥면 내측에 설치되고, 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 인가되는 제1전극들;상기 몸체의 바닥면 내측에 설치되고, 상기 제1전극들 사이 사이에 배치되고 바이어스 전원이 인가되는 제2전극들을 포함하며, 상기 제1전극들과 상기 제2전극들은동일 평면상에코일형태배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 분사부재는원판 형상의 상부 플레이트; 및상기 복수개의 배플들이 구획되도록 상기 상부 플레이트의 저면에 설치되는칸막이들포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 분사부재는상기 상부 플레이트의 중앙에 설치되고, 외부로부터 공급되는 적어도 하나 이상의 반응가스 및 퍼지가스를 각각의 해당되는 상기 배플들로 분사시키는노즐부더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 2 항에 있어서,상기 분사부재는상기 플라즈마 발생기가 설치된 상기 배플 하단에 상기 플라즈마 발생기로부터 이격되고 상기 지지부재와 마주보게 설치되는샤워헤드 플레이트더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 플라즈마 처리 장치에 사용되는 분사부재에 있어서 원판 형상의 상부 플레이트; 상기 상부 플레이트의 중앙부에 설치되고, 외부로부터 공급되는 적어도 하나 이상의 반응가스 및 퍼지가스를 독립 분사하는 적어도 4개의 분사구들을 갖는 노즐부 상기 노즐부를 중심으로 상기 상부 플레이에 방사상으로 구획되며, 상기 노즐부의 적어도 4개의 분사구들과 각각 연통되고, 각각의 가스를 구획 수용하는 적어도 4개의 배플들 상기 적어도 4개의 배플들 중에서 어느 하나의 배플에 설치되어 가스를 플라즈마화하는 플라즈마 발생기; 및 상기 플라즈마 발생기의 높낮이 조절을 위한 높낮이 조절기를 포함하는 것을 특징으로 하는 분사부재 [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 분사부재는 상기 플라즈마 발생기가 설치되는 상기 배플에 상기 플라즈마 발생기 장착을 위한 개구가 형성되며, 상기 플라즈마 발생기를 둘러싸고 기밀이 유지되도록 설치되는벨로우즈더포함하는것을특징으로 하는분사부재.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 처리 장치의 분사부재 내에서 플라즈마 발생기가 설치되는 배플의 기밀을 유지하기 위해 사용되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    플라즈마 처리 장치의 분사부재 내에서 플라즈마 발생기가 설치되는 배플의 기밀을 유지하기 위한 구성 요소를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3 및 청구항 13에서 플라즈마 발생기가 설치되는 배플의 개구와 관련하여 기밀 유지를 위해 설치되는 구성 요소를 확인한다.

    • 상기 플라즈마 발생기를 둘러싸고 기밀이 유지되도록 설치되는벨로우즈
  3. 3근거 선택evidence_selection

    기밀 유지의 직접적인 수단으로 명시된 '벨로우즈'를 근거로 선택한다.

    • 상기 플라즈마 발생기를 둘러싸고 기밀이 유지되도록 설치되는벨로우즈
  4. 4논리 통합logical_integration

    배플에 형성된 개구에 플라즈마 발생기가 장착될 때, 그 주변을 벨로우즈가 둘러싸서 기밀을 유지한다는 논리적 연결을 확인한다.

    • 상기 플라즈마 발생기가 설치되는 상기 적어도 하나의 배플에 상기 플라즈마 발생기 장착을 위한 개구가 형성되며, 상기 플라즈마 발생기를 둘러싸고 기밀이 유지되도록 설치되는벨로우즈
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 기밀 유지 구성 요소는 '벨로우즈'임을 도출한다.

    • 벨로우즈
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 단어인 '벨로우즈'를 최종 답변으로 생성한다.

    • 벨로우즈
최종 답변 (final_answer)
벨로우즈
핵심 해석 (core_interpretation)
플라즈마 발생기가 설치되는 배플의 개구부를 통해 가스 누출을 방지하고 기밀을 유지하기 위해 벨로우즈를 사용하는 기술적 구성을 나타냄.