문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 칩은 마스터 칩이고, 상기 제 2 칩은 슬레이브칩인반도체 집적회로.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역과 상기 제 2 메모리 영역은 서로 다른 종류의 메모리구성되는반도체 집적회로.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역과 상기 제 2 메모리 영역은 서로 다른 종류의 메모리구성되는반도체 집적회로.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역은구성되는반도체 집적회로.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은구성되는반도체 집적회로.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 칩과 상기 제 2 칩nan은쓰루실리콘비아통해연결되는반도체 집적회로.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 마스터는상기 제 1 메모리 영역의 메모리 셀을 상기 제 2 메모리 영역의 메모리 셀로 대체함을 정의하는 리페어플래그신호를상기슬레이브제공하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 슬레이브는상기 리페어 플래그 신호에 응답하여상기불량메모리 셀의활성화차단하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 11]
제 8 항에 있어서,상기 마스터는리프레시동작시상기제1메모리영역의활성화차단하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 12]
제 8 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역과 상기 제 2 메모리 영역은 서로 다른 종류의 메모리구성되는반도체 집적회로.
[청구항 13]
제 8 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은구성되는반도체 집적회로.
[청구항 14]
제 8 항에 있어서,상기 마스터와 상기 슬레이브 사이에 연결된 쓰루 실리콘 비아더 포함하는반도체 집적회로.
[청구항 16]
제 15 항에 있어서,상기 마스터는상기 로우 어드레스 신호와 리페어 어드레스 신호가 일치함을 정의하는 리페어플래그신호를상기슬레이브제공하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 슬레이브는상기 리페어 플래그 신호에 응답하여 상기 로우 어드레스 신호에 해당하는노멀셀의활성화차단하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 18]
제 15 항에 있어서,상기 마스터는리프레시동작시상기제2메모리영역의활성화차단하도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 19]
제 15 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역과 상기 제 2 메모리 영역은 서로 다른 종류의 메모리구성되는반도체 집적회로.
[청구항 20]
제 15 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은구성되는반도체 집적회로.
[청구항 21]
제 15 항에 있어서,상기 마스터와 상기 슬레이브 사이에 연결된 쓰루 실리콘 비아더 포함하는반도체 집적회로.
[청구항 22]
제 15 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역은복수의 메모리 뱅크구분되는반도체 집적회로.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역nan은상기복수의메모리뱅크동일한수구분되는반도체 집적회로.
[청구항 24]
제 22 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은상기 복수의 메모리 뱅크(bank)와 동일한 수만큼 구분되고, 구분된 각각은 랭크(rank) 단위구분되는반도체 집적회로.
[청구항 25]
제 16 항에 있어서,상기 마스터는액티브 신호와 리프레시 신호에 응답하여 외부 어드레스 신호와 카운터 어드레스 신호 중에서 하나를 상기 로우 어드레스 신호로서 출력하도록 구성된 어드레스 스위칭부, 및상기 로우 어드레스 신호와 랭크 리프레시 신호에 응답하여 상기 제 2 메모리 영역의 리던던트 워드 라인들을 선택적으로 구동하고, 상기 리페어 플래그 신호를 생성하도록 구성된 리던던시 블록포함하는반도체 집적회로.
[청구항 26]
제 25 항에 있어서,상기 리던던시 블록은상기 로우 어드레스 신호와 각각 저장된 상기 리페어 어드레스 신호를 비교하여 비교 신호를 생성하도록 구성된 복수의 퓨즈 블록,상기 비교 신호 및 상기 랭크 리프레시 신호에 응답하여 리페어 판단 신호를 생성하도록 구성된 판단부, 및상기 리던던트 워드 라인들 중에서 상기 리페어 판단 신호에 해당하는 리던던트 워드 라인을 구동하도록 구성된 드라이버 블록포함하는반도체 집적회로.
[청구항 27]
제 26 항에 있어서,상기 판단부는상기 랭크 리프레시 신호가 활성화되면 상기 리페어판단신호를비활성화시키도록구성되는반도체 집적회로.
[청구항 28]
제 16 항에 있어서,상기 마스터는액티브 신호와 리프레시 신호에 응답하여 외부 어드레스 신호와 카운터 어드레스 신호 중에서 하나를 상기 로우 어드레스 신호로서 출력하도록 구성된 어드레스 스위칭부,상기 로우 어드레스 신호, 랭크 리프레시 신호 및 디코딩 신호에 응답하여 상기 제 2 메모리 영역의 리던던트 워드 라인들을 선택적으로 구동하고, 상기 리페어 플래그 신호를 생성하도록 구성된 리던던시 블록, 및랭크 신호에 응답하여 랭크 로우 액티브 신호를 디코딩하여 상기 디코딩 신호를 생성하도록 구성된랭크스위칭부를포함하는반도체 집적회로.
[청구항 29]
제 28 항에 있어서,상기 리던던시 블록은상기 로우 어드레스 신호와 각각 저장된 상기 리페어 어드레스 신호를 비교하여 비교 신호를 생성하도록 구성된 복수의 퓨즈 블록,상기 비교 신호, 상기 랭크 리프레시 신호 및 상기 디코딩 신호에 응답하여 리페어 판단 신호를 생성하도록 구성된 판단부, 및상기 리던던트 워드 라인들 중에서 상기 리페어 판단 신호에 해당하는 리던던트 워드 라인을 구동하도록 구성된 드라이버 블록포함하는반도체 집적회로.
[청구항 30]
제 29 항에 있어서,상기 판단부는상기 랭크 리프레시 신호가 활성화되면 상기 리페어판단신호를비활성화시키도록구성되는반도체 집적회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
마스터 칩이 리페어 플래그 신호를 생성할 때, 리던던시 블록 내의 판단부가 리페어 판단 신호를 비활성화시키기 위해 참조하는 신호는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation마스터 칩의 리던던시 블록 내 판단부가 리페어 판단 신호를 비활성화하기 위해 참조하는 신호가 무엇인지 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 26 및 27을 통해 리던던시 블록의 판단부 구성과 리페어 판단 신호 비활성화 조건을 확인한다.
- 상기 판단부는상기 랭크 리프레시 신호가 활성화되면 상기 리페어판단신호를비활성화시키도록구성되는
-
3근거 선택
evidence_selection판단부가 리페어 판단 신호를 비활성화시키는 직접적인 조건인 '랭크 리프레시 신호'를 선택한다.
- 상기 랭크 리프레시 신호가 활성화되면 상기 리페어판단신호를비활성화시키도록구성되는
-
4논리 통합
logical_integration청구항 27(또는 30)에 따르면, 판단부는 랭크 리프레시 신호가 활성화될 때 리페어 판단 신호를 비활성화하므로, 참조하는 신호는 랭크 리프레시 신호이다.
- 상기 랭크 리프레시 신호가 활성화되면 상기 리페어판단신호를비활성화시키도록구성되는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 랭크 리프레시 신호를 도출한다.
- 상기 랭크 리프레시 신호
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 랭크 리프레시 신호
최종 답변 (final_answer)
랭크 리프레시 신호
핵심 해석 (core_interpretation)
리던던시 블록의 판단부가 랭크 리프레시 동작 시 리페어 판단 신호를 비활성화함으로써, 리프레시 동작과 리페어 동작 간의 간섭을 제어하는 기술을 포함한다.