문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 트렌치를 감싸도록 상기 반도체 기판 내에 형성된 공통 소스더 포함하는반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 하부 선택 트랜지스터의 하부 선택 게이트는 상기 공통 소스에 형성된 상기 트렌치 내배치되는반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 트렌치에 의해 정의되는 상기 공통 소스의 일부가 상기 하부 선택 트랜지스터의 채널 영역되는반도체 메모리 장치.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 공통 소스는 n타입 불순물영역으로 이루어지는반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제 3 항에 있어서,상기 하부 선택 게이트와 상기 공통 소스의 사이에 배치되는 절연막더 포함하며,상기 절연막의 두께가 상기 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두꺼운 반도체 메모리 장치.
[청구항 7]
제 3 항에 있어서,상기 하부 선택 트랜지스터의 하부 선택 게이트가 상기 반도체 기판돌출되는반도체 메모리 장치.
[청구항 10]
제 8 항에 있어서,상기 트렌치들은,종방향으로 평행하게 상기 불순물 영역에 형성된 제1 트렌치들; 및횡방향으로 평행하게 상기 불순물 영역에 형성되며 상기 제1 트렌치들과 교차하는 제2 트렌치들포함하는반도체 메모리 장치.
[청구항 11]
제 8 항에 있어서,상기 제1 도전막과 상기 불순물 영역의 사이에 배치된 제1 절연막; 및상기 제2 도전막들과 상기 수직 도전막들 사이에 배치된 제3 절연막더 포함하는반도체 메모리 장치.
[청구항 12]
제 8 항에 있어서,상기 제2 도전막들과 상기 수직 도전막들의 사이 배치되는 전하 트랩층더 포함하는반도체 메모리 장치.
[청구항 13]
제 8 항에 있어서,상기 제1 도전막이 상기 불순물 영역의 상기 돌출부들 상에도 형성되며, 상기 수직 도전막들이 상기 제1 도전막을 관통하여 상기 돌출부들각각 연결되는반도체 메모리 장치.
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,상기 제1 도전막 및 상기 수직 도전막들의 사이와 상기 제2 도전막들 및 상기 수직 도전막들의 사이에 배치되는 전하 트랩층더 포함하는반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 장치에서 하부 선택 게이트와 공통 소스 사이에 배치되는 절연막의 두께는 트렌치의 측벽과 비교하여 어느 부분에서 더 두껍게 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation하부 선택 게이트와 공통 소스 사이의 절연막 두께가 트렌치 측벽과 비교하여 어느 부분에서 더 두꺼운지 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 하부 선택 게이트와 공통 소스 사이에 배치되는 절연막에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 하부 선택 게이트와 상기 공통 소스의 사이에 배치되는 절연막
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3근거 선택
evidence_selection절연막의 두께 조건이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 절연막의 두께가 상기 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두꺼운
-
4논리 통합
logical_integration절연막의 두께가 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두껍다는 문맥을 통해 비교 대상을 확인한다.
- 상기 절연막의 두께가 상기 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두꺼운
-
5결론 도출
conclusion_formulation절연막은 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두껍게 형성된다.
- 상기 절연막의 두께가 상기 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두꺼운
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변을 생성한다.
- 상기 절연막의 두께가 상기 트렌치의 측벽보다 저면에서 더 두꺼운
최종 답변 (final_answer)
저면
핵심 해석 (core_interpretation)
하부 선택 게이트와 공통 소스 사이의 절연막은 트렌치의 측벽 부분보다 저면 부분에서 더 두꺼운 두께를 갖도록 형성된다.