확산방지막을 구비한 엑스선 검출기 document_id 1020110014649

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 신호전송부는,기판 상에서 직렬로 배치된 트랜지스터 및 신호저장 커패시터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터 및 상기 커패시터를 덮는 절연층에 형성된 콘택플러그; 및상기 트랜지스터의 드레인 전극과 연결된 신호처리부;를 구비하며, 상기 픽셀전극은 상기 절연층 상에서 상기 커패시터의 상부전극연결되는엑스선 검출기. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 신호전송부는,인쇄회로기판 상에 타일링되며, 상기 인쇄회로기판과 전기적으로 연결된 복수의 주문형 반도체;상기 인쇄회로기판 상에서 상기 복수의 주문형 반도체를 덮으며, 폴리머로 이루어진 평탄화막; 및상기 평탄화막에 형성된 비아홀을 채워서 상기 픽셀전극과 상기 주문형 반도체의 콘택을 전기적으로 연결하는 콘택플러그;를 구비하며, 상기 제1 확산방지막은 상기 평탄화막 상에서 상기 복수의 픽셀전극덮는엑스선 검출기. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 비아홀에 형성된 콘택플러그 및 상기 픽셀전극 사이는 이들을 전기적으로 연결하는 연결배선더 형성된엑스선 검출기. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 평탄화막은 상기 주문형 반도체 상의 복수의 평탄화막을 구비하며, 상기 콘택플러그는 상기 각 평탄화막의 비아홀에 형성된 콘택플러그를 구비하며, 이웃하는 평탄화막 사이에는 이웃하는 평탄화막에 형성된 콘택플러그를 연결하는 제2 연결배선구비한엑스선 검출기. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 신호전송부는,인쇄회로기판 상에 타일링되며, 상기 인쇄회로기판과 전기적으로 연결된 복수의 주문형 반도체;상기 복수의 주문형 반도체 상에 순차적으로 적층된 절연층 및 기판; 및상기 기판 및 상기 절연층에 각각 형성된 비아홀을 채워서 상기 픽셀전극과 상기 주문형 반도체의 콘택을 연결하는 콘택플러그를 구비하며 상기 복수의 픽셀전극은 상기 기판 상에서 상기 각주문형 반도체대응하게형성된엑스선 검출기. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 기판에 형성된 상기 콘택플러그 및 상기 절연층에 형성된 상기 콘택플러그 사이에는 이들을 전기적으로 연결하는 연결배선더 형성된엑스선 검출기. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 절연층은 상기 주문형 반도체 상의 복수의 절연층을 구비하며, 상기 콘택플러그는 상기 각 절연층의 비아홀에 형성된 콘택플러그를 구비하며, 이웃하는 절연층 사이에는 이웃하는 절연층에 형성된 콘택플러그를 연결하는 제2 연결배선구비한엑스선 검출기. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 픽셀전극은 구리알루미늄으로 이루어진엑스선 검출기. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 제1 확산방지막은 도전성 산화물반도체로 이루어진엑스선 검출기. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 제1 확산방지막은 zno에 ga, in, hf, sn 중 선택된 적어도 하나포함하는엑스선 검출기. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 도전성 산화물 반도체는 저항인엑스선 검출기. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,제1 확산방지막은 0.1 ~ 100 ㎛ 두께가지는엑스선 검출기. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 포토컨덕터는 hgi2, pbi2, cdte, cdznte, pbo 중 선택된 적어도 하나의 물질형성된엑스선 검출기. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 포토컨덕터는 hgi2 로형성된엑스선 검출기. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 공통전극 및 상기 포토컨덕터 사이에 배치된 제2 확산방지막더 구비한엑스선 검출기. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 제2 확산방지막은 도전성 산화물반도체로 이루어진엑스선 검출기. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 제2 확산방지막은 zno에 ga, in, hf, sn 중 선택된 적어도 하나포함하는엑스선 검출기. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,상기 제2 확산방지막은 100-1000 å 두께가지는엑스선 검출기.