비수 전해액 및 전지 document_id 1020110015643

[청구항 1] 용매, 전해질 염, 폴리산 및/또는 폴리산 화합물, 및 모노플루오로인산염 및/또는 디플루오로인산염 을 포함하는 비수 전해액 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 폴리산및/또는 폴리산 화합물이 각각 1종 이상의 폴리원소를 갖는 폴리산 및/또는 폴리산화합물인비수 전해액. [청구항 3] 제1항에 있어서,폴리산및/또는 폴리산 화합물이 헤테로폴리산 및/또는 헤테로폴리산화합물인비수 전해액. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 헤테로폴리산및/또는 헤테로폴리산 화합물이 하기 식(i)에 의해 나타내어지는 화합물인 비수 전해액. ax[bd12o40]·yh2o(1)(식 중, a는 li, na, k, rb, cs, mg, ca, al, nh4, 4급 암모늄염 또는 포스포늄염을 나타내고; b는 p, si, as 또는 ge를 나타내고; d는 ti, v, cr, mn, fe, co, ni, cu, zn, ga, zr, nb, mo, tc, rh, cd, in, sn, ta, w, re 및 tl로 구성되는 군에서 선택되는 1종 이상의 원소를 나타내고; x 및 y는 각각 ( 0≤x≤7 ) 및 (0≤y≤50)의 범위 내애속하는값이다) [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 헤테로폴리산및/또는 헤테로폴리산 화합물의 함유량이 0.01 질량% 이상이고 3 질량이하인비수 전해액. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 모노플루오로인산염 및/또는 디플루오로인산염의 함유량이 10 ppm 이상이하인비수 전해액. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 모노플루오로인산염 및/또는 디플루오로인산염을 구성하는 양이온이 리튬 양이온, 마그네슘 양이온 또는 암모늄양이온인비수 전해액. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 용매가 불포화 환상 탄산염 및 할로겐화 환상 탄산염으로 구성되는 군에서 선택되는 1 종 이상의 화합물포함하는비수 전해액. [청구항 9] 제1항에 있어서,염이 6불화인산 리튬, 4불화붕산 리튬, 과염소산 리튬 및 6불화비소산 리튬으로 구성되는 군에서 선택되는 1 종 이상포함하는비수 전해액. [청구항 10] 정극, 부극, 비수 전해액 을 포함하며, 상기 비수 전해액은 용매, 전해질 염, 헤테로폴리산 및/또는 헤테로폴리산 화합물, 및 모노플루오로인산염 및/또는 디플루오로인산염 을 포함하는 전지 [청구항 11] 제10항에 있어서,비수 전해액을 흡수하면 겔화되는 고분자 화합물포함하는전지. [청구항 12] 정극, 부극 및 용매 및 전해질 염을 포함하는 비수 전해액 을 포함하며, 모노플루오로인산염 및/또는 디플루오로인산염에서 유래하는 화합물, 및 1종 이상의 폴리원소를 갖는 비정질 폴리산 및/또는 폴리산 화합물을 포함하는 겔 형상의 피막이 상기 부극 상에 형성된 비수 전해질 전지 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 겔 형상의 피막이 그 내부의 전해액을 흡수하면 3 차원 그물코 구조를 갖도록 석출되는 비정질 폴리산 및/또는 폴리산 화합물지는 것인비수 전해질 전지.