유기 전계 발광 소자 및 전하 수송 재료 document_id 1020110027172

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 일반식(1) 로 나타내는 화합물이 하기 일반식 (2) 로 나타내는 화합물인, 유기 전계 발광 소자.[화학식 2]〔일반식 (2) 중, l2 는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다. r1 및 r2 는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, r3 ∼ r7 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r1 과 r2 는 결합하여 고리를 형성해도 된다. r3 ∼ r7 이 복수 존재하는 경우, 복수의 r3 ∼ r7 은 동일해도 되고 상이해도 된다. r8 및 r9 는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r8, r9 및 l2 중 적어도 2 개서로 결합하여고리를 형성해도 된다. a1 ∼ a3 은 각각 독립적으로 c-h, c-r7, 또는 질소 원자를 나타내는데, a1 ∼ a3 중 적어도 1 개는 질소 원자를 나타낸다. p 및 q 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. r 및 s 는 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. t 는 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. u 및 v 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.〕 [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 일반식(2) 로 나타내는 화합물이 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물인, 유기 전계 발광 소자.[화학식 3]〔일반식 (3) 중, r1 및 r2 는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, r3 ∼ r7 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r1 과 r2 는 결합하여 고리를 형성해도 된다. r3 ∼ r7 이 복수 존재하는 경우, 복수의 r3 ∼ r7 은 동일해도 되고 상이해도 된다. r8 및 r9 는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r8 과결합하여고리를 형성해도 된다. a1 ∼ a3 은 각각 독립적으로 c-h, c-r7, 또는 질소 원자를 나타내는데, a1 ∼ a3 중 적어도 1 개는 질소 원자를 나타낸다. p 및 q 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. r 및 s 는 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. t 는 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. u 및 v 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.〕 [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 발광층에 인광성 발광 재료함유하는,유기 전계 발광 소자. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 인광성 발광 재료가 하기 일반식 (t-1) 로 나타내지는, 유기 전계 발광 소자.[화학식 4]〔일반식 (t-1) 중, rt1, rt2, rt3 및 rt4 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, -cn, 퍼플루오로알킬기, 트리플루오로비닐기, -co2r, -c(o)r, -nr2, -no2, -or, 할로겐 원자, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 추가로 치환기 z 를 가지고 있어도 된다. r 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 퍼할로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다.a 는 cr' 또는 n 을 나타내고, r' 는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, -cn, 퍼플루오로알킬기, 트리플루오로비닐기, -co2r, -c(o)r, -nr2, -no2, -or, 할로겐 원자, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 또한 치환기 z 를 가지고 있어도 된다. r 은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 퍼할로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다.q 는 질소를 1 개 이상 함유하는 5 원자 혹은 6 원자의 방향족 복소고리, 또는 10 ∼ 12 원자의 축합 방향족 복소고리이며, 치환기 z 를 가지고 있어도 된다.rt1, rt2, rt3, rt4 및 r' 는 임의의 2 개가 서로 결합하여 축합 4 ∼ 7 원자 고리를 형성해도 되고, 상기 축합 4 ∼ 7 원자 고리는 시클로알킬, 아릴 또는 헤테로아릴이며, 상기 축합 4 ∼ 7 원자 고리는 추가로 치환기 z 를 가지고 있어도 된다.치환기 z 는 각각 독립적으로 할로겐 원자, -r", -or", -n(r")2, -sr", -c (o)r", -c(o)or", -c(o)n(r")2, -cn, -no2, -so2, -sor", -so2r", 또는 -so3r" 를 나타내고, r" 는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기퍼할로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다.(x-y) 는, 배위자를 나타낸다. m 은 1 ∼ 3 의 정수, n 은 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. m ＋ n 은 3 이다.〕 [청구항 6] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 일반식(1) 로 나타내는 화합물을 발광층 또는 발광층에 인접한 층함유하는,유기 전계 발광 소자. [청구항 7] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 일반식(1) 로 나타내는 화합물을 발광층에 인접한, 발광층보다 음극측의 층함유하는,유기 전계 발광 소자. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 일반식(1) 로 나타내는 화합물을 발광층 및 발광층보다 음극측의 층함유하는,유기 전계 발광 소자. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,발광층에 인접한, 발광층보다 양극측의 층에, 막 상태에서의 최저 여기 삼중항 에너지 (t1) 가 2.50 ev 이상 3.25 ev 이하인 아민계 재료함유하는,유기 전계 발광 소자. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,발광층 및 발광층의 양옆의 층에 사용하는 재료 중, 인광 재료 이외의 모든 재료가 막 상태에서의 최저 여기 삼중항 에너지 (t1) 가 2.50 ev 이상이하인,유기 전계 발광 소자. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 일반식(1) 로 나타내는 화합물을 함유하는 유기층이 웨트 프로세스에 의해형성된층인,유기 전계 발광 소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 일반식(1) 이 하기 일반식 (2) 로 나타내지는, 전하 수송 재료.[화학식 6]〔일반식 (2) 중, l2 는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다. r1 및 r2 는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, r3 ∼ r7 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r1 과 r2 는 결합하여 고리를 형성해도 된다. r3 ∼ r7 이 복수 존재하는 경우, 복수의 r3 ∼ r7 은 동일해도 되고 상이해도 된다. r8 및 r9 는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r8, r9 및 l2 중 적어도 2 개서로 결합하여고리를 형성해도 된다. a1 ∼ a3 은 각각 독립적으로 c-h, c-r7, 또는 질소 원자를 나타내는데 a1 ∼ a3 중 적어도 1 개는 질소 원자를 나타낸다. p 및 q 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. r 및 s 는 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. t 는 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. u 및 v 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.〕 [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 일반식(2) 가 하기 일반식 (3) 으로 나타내지는, 전하 수송 재료.[화학식 7]〔일반식 (3) 중, r1 및 r2 는 각각 독립적으로 알킬기를 나타내고, r3 ∼ r7 은 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r1 과 r2 는 결합하여 고리를 형성해도 된다. r3 ∼ r7 이 복수 존재하는 경우, 복수의 r3 ∼ r7 은 동일해도 되고 상이해도 된다. r8 및 r9 는 각각 독립적으로 알킬기, 아릴기, 방향족 복소고리기, 불소 원자, 시아노기, 또는 실릴기 중 어느 하나를 나타낸다. r8 과결합하여고리를 형성해도 된다. a1 ∼ a3 는 각각 독립적으로 c-h, c-r7, 또는 질소 원자를 나타내는데, a1 ∼ a3 중 적어도 1 개는 질소 원자를 나타낸다. p 및 q 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. r 및 s 는 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. t 는 0 ∼ 2 의 정수를 나타낸다. u 및 v 는 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다.〕 [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 일반식(3) 에 있어서, r1 및 r2 가메틸기인,전하 수송 재료. [청구항 20] 제 15 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,막 상태에서의 최저 여기 삼중항 에너지 (t1) 가 2.69 ev 이상이하인,전하 수송 재료. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,웨트 프로세스에의해형성된,막.