문맥 (context)
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 복수의 메모리 어레이 레벨은 상기 주변 회로의 적어도 일부덮는메모리 디바이스.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 층간 유전체층을 적어도 부분적으로 덮는 폴리실리콘 박막;상기 폴리실리콘 박막을 적어도 부분적으로 덮는 ono(oxide-nitride-oxide) 스택 및 금속층;상기 폴리실리콘 박막의 일부를 노출시키는 상기 금속층 및 상기 ono 스택의 일부에 있는 개구부; 및상기 개구부에 배치된 상기 콘택들의 제2 세트 중 적어도 하나의 콘택더 포함하는메모리 디바이스.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 메모리 어레이는 개별 메모리 셀들에 있는 전하 캐리어를 포획하는 상기 ono 스택포함하는메모리 디바이스.
[청구항 12]
제8항에 있어서,2개의 연속적인 메모리 어레이 레벨들 사이의 상기 콘택들의 제2 세트 중 제1 콘택; 및상기 2개의 연속적인 메모리 어레이 레벨들 중 하나의 메모리 어레이 레벨의 폴리실리콘 비트 라인과 제3의 연속적인 메모리 어레이 레벨 사이의 상기 콘택들의 제2 세트 중 제2 콘택더 포함하는메모리 디바이스.
[청구항 13]
제8항에 있어서,2개 이상의 상기 메모리 어레이 레벨들을 가로질러 연장하는 상기 콘택들의 제2 세트 중 적어도 하나의 콘택더 포함하는메모리 디바이스.
[청구항 14]
제10항에 있어서,상기 복수의 메모리 어레이 레벨 상의 평행한 게이트 라인들더 포함하는메모리 디바이스.
[청구항 15]
제8항에 있어서,상기 메모리 어레이는 전하 포획 nand 메모리 셀 어레이들포함하는메모리 디바이스.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 메모리 디바이스는,상기 층간 유전체층을 적어도 부분적으로 덮는 폴리실리콘 박막;ono(oxide-nitride-oxide) 스택 및 상기 ono 스택을 적어도 부분적으로 덮는 금속층;상기 폴리실리콘 박막의 일부를 노출시키는 상기 금속층 및 상기 ono 스택의 일부에 있는 개구부; 및상기 개구부에 배치된 상기 콘택들의 제2 세트 중 적어도 하나의 콘택더 포함하는시스템.
[청구항 18]
제16항에 있어서,상기 메모리 디바이스는,2개의 연속적인 메모리 어레이 레벨들 사이의 상기 콘택들의 제2 세트 중 제1 콘택; 및상기 2개의 연속적인 메모리 어레이 레벨들 중 하나의 메모리 어레이 레벨의 폴리실리콘 비트 라인과 제3의 연속적인 메모리 어레이 레벨 사이의 상기 콘택들의 제2 세트 중 제2 콘택더 포함하는시스템.
[청구항 19]
제16항에 있어서,상기 메모리 디바이스는,2개 이상의 상기 메모리 어레이 레벨들을 가로질러 연장하는 상기 콘택들의 제2 세트 중 적어도 하나의 콘택더 포함하는시스템.
[청구항 20]
제16항에 있어서,상기 메모리 어레이는 전하 포획 nand 메모리 셀 어레이들포함하는시스템.
[청구항 25]
제24항에 있어서,적어도 하나의 콘택은 인접하는 층들 사이에서 연장되는 복수의 레벨간 콘택을 포함하며, 상기 레벨간 콘택들은 수직으로 정렬되고 서로 전기적접속되는메모리 디바이스.
[청구항 26]
제25항에 있어서,콘택들 사이의 상기 접속은 폴리실리콘포함하는메모리 디바이스.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 10항 및 11항에 기재된 메모리 디바이스에서, 개별 메모리 셀의 전하 캐리어를 포획하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 10항 및 11항을 바탕으로 개별 메모리 셀의 전하 캐리어를 포획하는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11항에서 메모리 어레이의 구성 요소 중 전하 캐리어를 포획하는 주체를 확인한다.
- 상기 메모리 어레이는 개별 메모리 셀들에 있는 전하 캐리어를 포획하는 상기 ono 스택포함하는메모리 디바이스
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3근거 선택
evidence_selection전하 캐리어 포획 기능과 직접 연결된 'ono 스택' 구절을 선택한다.
- 상기 ono 스택포함하는메모리 디바이스
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4논리 통합
logical_integration청구항 11항은 청구항 10항을 인용하며, 해당 항에서 ono 스택이 전하 캐리어를 포획한다고 명시하고 있다.
- 제10항에 있어서,상기 메모리 어레이는 개별 메모리 셀들에 있는 전하 캐리어를 포획하는 상기 ono 스택포함하는메모리 디바이스
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 전하 캐리어를 포획하는 구성 요소는 ono 스택이다.
- 상기 ono 스택
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6답변 생성
answer_generation추출된 답변인 'ono 스택'을 최종 답변으로 생성한다.
- ono 스택
최종 답변 (final_answer)
ono 스택
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 메모리 어레이 내의 ono(oxide-nitride-oxide) 스택이 개별 메모리 셀에서 전하 캐리어를 포획하는 역할을 수행하는 구조를 정의하고 있다.