문맥 (context)
[청구항 1]
투명도전막(2)이 형성된 기판(1)에 에칭레지스트(3)를 형성하는 단계
상기 에칭레지스트(3)를 건조 또는 경화하는 단계
상기 건조 또는 경화된 에칭레지스트(3) 위에 에칭페이스트(5)를 형성하는 단계
상기 에칭레지스트(3)와 에칭페이스트(5)가 형성된 기판을 가열하여 에칭페이스트(5)가 투명도전막(2)을 에칭하는 단계
상기 에칭페이스트(5)와 에칭레지스트(3)를 스트리핑 및 세정을 하는 단계를 포함하는 투명도전막 에칭 방법
[청구항 2]
제1항에칭레지스트(3)를 형성하는 단계는 에칭하고자 하는 패턴을 제외한 모든 영역에에칭레지스트형성하는것을특징으로 하는투명도전막 에칭 방법
[청구항 3]
제1항에칭레지스트(3)를 건조 또는 경화하는 단계는패턴이 형성된 에칭레지스트(3)를 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것을특징으로 하는투명도전막 에칭 방법
[청구항 4]
제1항에칭페이스트(5)를 형성하는 단계는에칭하고자 하는 영역과 에칭레지스트(3)가 형성된 영역의 일부 또는 전부 상에에칭페이스트형성하는것을특징으로 하는투명도전막 에칭 방법
[청구항 5]
제1항에 에칭페이스트(5)가 투명도전막(2)을 에칭하는 단계는
에칭레지스트(3)와 에칭페이스트(5)가 형성된 기판을 50~150도의 온도를 가하여 투명도전막을 에칭하는 것을 특징으로 하는 투명도전막 에칭 방법
[청구항 6]
제1항스트리핑 및 세정을 하는 단계는스트리핑액을 이용하여 에칭레지스트(3)의 스트리핑과, 에칭페이스트(5)의세정을동시진행하는것을특징으로 하는투명도전막 에칭 방법
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
투명도전막 에칭 방법에서 에칭레지스트를 건조하거나 경화시킬 때 적용되는 온도 조건 또는 방법은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation투명도전막 에칭 방법에서 에칭레지스트를 건조하거나 경화시킬 때 적용되는 온도 조건 또는 방법을 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 에칭레지스트를 건조 또는 경화하는 단계에 대한 구체적인 조건이 명시되어 있다.
- 패턴이 형성된 에칭레지스트(3)를 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 건조 온도 범위와 경화 방법이 포함된 구절을 선택한다.
- 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것
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4논리 통합
logical_integration건조 시에는 50~150도의 온도 범위를 적용하고, 경화 시에는 자외선(UV)을 이용한다는 두 가지 조건을 결합한다.
- 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것
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5결론 도출
conclusion_formulation에칭레지스트를 50~150도 온도 범위에서 건조하거나, 자외선(UV)을 이용하여 경화시키는 것이 조건임을 도출한다.
- 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여경화시키는것
최종 답변 (final_answer)
패턴이 형성된 에칭레지스트(3)를 50~150도 온도범위에서 건조하는 공정 또는 자외선(uv)을 이용하여 경화시키는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 투명도전막 에칭 공정 중 에칭레지스트의 안정적인 형성을 위해 특정 온도 범위에서의 건조 또는 자외선을 이용한 경화 조건을 제공한다.