문맥 (context)
[청구항 11]
반도체 기판 상부에 형성된 비트라인 콘택플러그
상기 비트라인 콘택플러그와 연결된 비트라인; 및
상기 비트라인 측벽에 형성된 팽창부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 12]
청구항 11에 있어서,상기 반도체 기판 내에매립형게이트더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
청구항 11에 있어서,상기 비트라인 콘택플러그는폴리실리콘층포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 14]
청구항 11에 있어서,상기 비트라인은 배리어금속층,비트라인도전층및하드마스크층포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기 배리어 금속층은 티타늄, 티타늄질화막 및 이들의 조합 중 어느하나포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 16]
청구항 14에 있어서,상기 비트라인 도전층nan은텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
청구항 11에 있어서,상기 팽창부는 상기 비트라인 도전층 측벽에 형성되며, pe-teos막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 18]
청구항 14에 있어서,상기 비트라인 하드마스크층 측벽 및 상부에절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 19]
청구항 18에 있어서,상기 절연막은 lp-teos막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 20]
청구항 18에 있어서,상기 팽창부의 선폭은 상기 절연막의 선폭보다 큰 것특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 11 내지 청구항 20의 내용을 종합할 때, 비트라인의 구성 요소 중 배리어 금속층과 도전층, 그리고 하드마스크층이 포함된 비트라인의 측벽 및 상부에 형성되는 절연막의 재질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 11 내지 20을 종합하여 비트라인의 구성 요소(배리어 금속층, 도전층, 하드마스크층)의 측벽 및 상부에 형성되는 절연막의 재질을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 비트라인이 배리어 금속층, 비트라인 도전층 및 하드마스크층을 포함함을 확인하고, 청구항 18에서 하드마스크층 측벽 및 상부에 절연막이 형성됨을 확인한다.
- 상기 비트라인은 배리어금속층,비트라인도전층및하드마스크층포함하는것을특징으로 하는반도체 소자
- 상기 비트라인 하드마스크층 측벽 및 상부에절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
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3근거 선택
evidence_selection절연막의 구체적인 재질을 명시하고 있는 청구항 19의 내용을 선택한다.
- 상기 절연막은 lp-teos막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
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4논리 통합
logical_integration청구항 14(비트라인 구성) -> 청구항 18(하드마스크층 상부/측벽에 절연막 형성) -> 청구항 19(해당 절연막은 lp-teos막임)의 계층적 구조를 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation비트라인의 하드마스크층 측벽 및 상부에 형성되는 절연막의 재질은 lp-teos막임을 도출한다.
- 상기 절연막은 lp-teos막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 lp-teos막을 제시한다.
- lp-teos막
최종 답변 (final_answer)
lp-teos막
핵심 해석 (core_interpretation)
비트라인의 구성 요소 중 하드마스크층의 측벽 및 상부에 형성되어 구조를 보호하거나 절연하는 절연막의 재질이 lp-teos막임을 명시하고 있다.