반도체 파형 발생기 document_id 1020110047262

[청구항 1] 반도체 파형 발생기에 있어서, vdd를 입력받아 기준전압(vref)을 발생시키고, 기준전압(vref)을 분압하여 삼각파의 상한값(vfb)과 하한값(vthl)을 발생시키는 기준신호 발생부(10)와 상기 기준신호 발생부(10)에서 생성된 기준전압(vref)을 바이어스로 입력받아 기준전류를 생성하고, 기준전류를 전류 미러를 이용하여 복사하여 피드백되는 충방전 인에이블신호(enp)(enn)에 의거하여 삼각파 발생 캐패시터(40)의 충방전을 제어하여 삼각파를 발생시키는 충방전 제어부(20)와 상기 충방전 제어부(20)의 삼각파 출력신호와 상기 기준신호 발생부(10)의 상한값(vfb)과 하한값(vthl)을 각각 비교하여 래치의 세트(s) 및 리세트(r)를 제어하여 래치를 통해 삼각파의 상한 및 하한 제어에 따른 진폭이 제어된 구형파 신호를 발생시켜 출력함과 아울러 상기 충방전 제어부(20)의 충전 및 방전 인에이블신호로 피드백시키는 삼각파 진폭제어부(30)로 구성되되, 상기 충방전 제어부(20)는, 상기 기준신호 발생부(10)의 기준전압(vref)을 게이트에 입력받는 피모스트랜지스터(pm1)(pm2)와, 상기 피모스트랜지스터(pm1)(pm2)에 각각 드레인과 게이트가 공통연결되어 전류미러를 이루는 앤모스트랜지스터(nm1, nm2)로 이루어져 상기 기준전압(vref)을 바이어스 전압으로 입력받아 기준전류를 발생하여 전류미러에 의해 기준전류를 복사하는 기준전류 발생부(21)와 상기 기준전류 발생부(21)의 피모스트랜지스터(pm2)와 공통 게이트로 연결된 피모스트랜지스터(pm3)에 드레인과 게이트가 공통연결된 앤모스트랜지스터(nm3), 충전인에이블신호(enp)를 게이트에 인가받는 피모스트랜지스터(pm7)의 출력을 게이트와 드레인에 공통 입력받는 피모스트랜지스터(pm5), 상기 피모스트랜지스터(pm5)에 드레인이 연결되고 상기 앤모스트랜지스터(nm3)와 공통게이트로 연결되어 전류미러를 이루는 앤모스트랜지스터(nm4) 및 상기 피모스트랜지스터(pm5)와 공통게이트로 연결된 피모스트랜지스터(pm6)로 이루어져, 상기 기준전류 발생부(21)의 기준전류를 전류미러를 이용하여 충전 바이어스로서 복사하여 상기 충전 인에이블신호(enp)에 따라 상기 삼각파 발생 캐패시터(40)의 충전 전압으로 상기 피모스트랜지스터(pm6)를 통해 출력하는 충전제어부(22)와 상기 기준전류 발생부(21)의 피모스트랜지스터(pm2)와 공통 게이트로 연결된 피모스트랜지스터(pm4)에 드레인과 게이트가 공통연결된 앤모스트랜지스터(nm5), 상기 충전제어부(22)의 출력이 연결된 삼각파 발생 캐패시터(40)에 연결되고 방전인에이블신호(enn)를 게이트에 인가받는 앤모스트랜지스터(nm7)와, 상기 앤모스 트랜지스터(nm7)에 드레인이 연결되고 상기 앤모스트랜지스터(nm5)와 공통 게이트로 연결되어 전류미러를 이루는 앤모스 트랜지스터(nm6)로 이루어져 상기 기준전류 발생부(21)에서 발생된 기준전류를 전류미러에 의해 방전 바이어스로서 복사하여 상기 방전인에이블 신호에 따라 상기 삼각파 발생 캐패시터(40)의 방전 제어를 하는 방전 제어부(23)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 파형 발생기 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 기준신호 발생부(10)는, 입력전압(vdd)으로부터 기준전압(vref)을 생성하는 레귤레이터(11)와;상기 레귤레이터(11)의 기준전압(vref)을 (+)입력단에, 피드백되는 삼각파 상한값(vfb)을 (-)입력단에 입력받아 차이를 비교증폭하는 제1연산증폭기(op1)와;상기 제1연산증폭기(op1)의 출력에 의해 게이트가 제어되는 피모스트랜지스터(pm)를 통해 입력전압을 인가받아 직렬 연결된 복수의 저항(r1, r2, r3)에 의해 분압하여 삼각파 상한값(vfb)과, 삼각파 하한값(vhtl)을 생성하는 상하한값생성부구성된것을특징으로 하는반도체 파형 발생기. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 삼각파 진폭제어부(30)는,상기 기준신호 발생부(10)의 삼각파 상한값(vfb)을 (+)입력단에, 상기 삼각파 발생 캐패시터(40)의 출력(ct)을 (-)입력단에 입력받아 비교하는 제2연산증폭기(op2)와;상기 기준신호 발생부(12)의 삼각파 하한값(vhtl)을 (-)입력단에, 상기 삼각파 발생 캐패시터(40)의 출력(ct)을 (+)입력단에 입력받아 비교하는 제3연산증폭기(op3)와;상기 제2연산증폭기(op2)의 출력을 세트바 단자(/s)에, 상기 제3연산증폭기(op3)의 출력을 리세트바 단자(/r)에 각각 입력받아 반전출력(/q)을 하는 래치(31)와;상기 래치(31)의 반전출력(/q)을 게이트에 입력받는 앤모스 트랜지스터(nm)를 통해서 펄스신호를 출력하는 구형파 출력부(32)와;상기 래치(31)의 반전출력(/q)을 제1인버터(inv 1)를 통해 반전 버퍼링하여 상기 충방전 제어부(20)의 충전 인에이블신호(enp)로 피드백시키고, 상기 제1인버터(inv 1)의 출력을 제2인버터(inv 2)를 통해 반전시켜 상기 충방전 제어부(20)의 방전 인에이블신호(enn)로 피드백시키는 충방전 인에이블제어부구성된것을특징으로 하는반도체 파형 발생기.