반도체 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020110054447

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기둥들은 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 경사진 하부면들갖는반도체 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기둥의 상면은 단결정 실리콘의 (100) 면 또는 (110) 면갖는반도체 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 하부 배선들각각은 상기 반도체 기둥들과 접촉하는 제 1 부분들과, 상기 반도체 기둥들 사이의 제 2 부분들포함하되,상기 제 1 부분들과 상기 제 2 부분들의 수직적 두께가 다른 반도체 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 하부 배선들은 상기 제 2 부분들 내에 국소적으로 형성된 보이드갖는반도체 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 하부 배선들의 상기 제 2 부분들은 상기 반도체 기둥들 사이돌출되는반도체 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기둥은 (100)면을 상부면으로 갖는 단결정 실리콘 기판이고, 상기 하부 배선들은 상기 단결정 실리콘 기판의 (111) 면직접 접촉하는반도체 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기둥은 (110)면을 상부면으로 갖는 단결정 실리콘 기판이고, 상기 반도체 기둥은 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 라운드진 표면갖는반도체 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,인접하는 상기 하부 배선들 사이에서 상기 반도체 기둥들의 측벽들로 수직적으로 연장되며, 상기 반도체 기둥들의 측벽들과 직접 접촉하는 소자 분리막들더 포함하는반도체 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 하부 배선들 상에서 상기 반도체 기둥들의 측벽들을 덮는 측벽 스페이서더 포함하는반도체 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기둥들과 상기 상부 배선들 사이에 연결된 메모리 요소더 포함하는반도체 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 메모리 요소는 칼코겐 화합물들, 페로브스카이트(perovskite) 화합물들, 전이금속 산화물들, 강자성 물질들 또는 반강자성 물질들 중의 적어도 하나의 물질포함하는반도체 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 하부 배선은 상기 제 2 부분들 내에 국소적으로 형성된 보이드갖는반도체 장치. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 하부 배선의 상기 제 2 부분들은 상기 반도체 기둥들 사이돌출되는반도체 장치. [청구항 16] 제 13 항에 있어서,상기 하부 배선들은 도전성 금속질화물, 도전성 금속산화질화물, 금속 및 도전성 탄소화합물 중에서 선택된 적어도 하나포함하는반도체 장치. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 반도체 기둥들각각은 서로 다른 도전형으로 도핑된 상부 불순물 영역 및 하부 불순물 영역을 포함하고, 상기 하부 및 상부 불순물 영역은 피엔 또는 피아이엔 다이오드구성하는반도체 장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 하부 불순물 영역은, 상기 상부 불순물 영역과 인접한 저농도 불순물 영역 및 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 고농도 불순물 영역포함하는반도체 장치. [청구항 19] 제 13 항에 있어서,상기 반도체 기둥들은 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 경사진 하부면들갖는반도체 장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 반도체 기둥들각각은 서로 다른 도전형으로 도핑된 상부 불순물 영역 및 하부 불순물 영역을 포함하고, 상기 하부 및 상부 불순물 영역들은 피엔 또는 피아이엔 다이오드구성하는반도체 장치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 하부 불순물 영역은, 상기 상부 불순물 영역과 인접한 저농도 불순물 영역 및 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 고농도 불순물 영역포함하는반도체 장치. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 반도체 기둥들은 상기 하부 배선들과 직접 접촉하는 경사진 하부면들갖는반도체 장치. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 반도체 기둥들의 상면들은 단결정 실리콘의 (100) 면 또는 (110) 면갖는반도체 장치.