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박막 에피 공정을 이용한 트렌치 슈퍼정션 ＭＯＳＦＥＴ document_id 1020110072643

출원번호
1020110072643
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 13] 제1 도전형의 기판 상에 배치되는 제2 도전형의 제1 에피택셜층; 및 상기 제1 에피택셜층 내에 형성되는 트렌치를 포함하고, 상기 트렌치는, 상기 트렌치의 측벽들 및 바닥을 따라 성장된 제2 에피택셜층 상기 제2 에피택셜층 안쪽 사이에 상기 트렌치 내에 배치되고 상기 트렌치의 일부분을 매립하는 유전체 물질 게이트 산화물층; 및 상기 게이트 산화물층에 인접하게 배치되는 게이트를 포함하고, 상기 제2 에피택셜층은 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 14] 제13 항에 있어서,상기 게이트 산화물은 상기 유전체에 의해 덮이지 않은 상기 트렌치의 측벽들을 따라상기제2에피택셜층상배치되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 15] 제13 항에 있어서,상기 게이트 산화물은 상기 제1 에피택셜층의 상부 표면에 인접하게배치되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 16] 제13 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 제1 에피택셜층을 따라상기기판안연장되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 17] 제13 항에 있어서,복수의 트렌치들 사이에 배치되는 메사를 더 포함하고,상기 메사는 상기 반도체 소자의 p/n 슈퍼정션에서 전하 균형을 달성하기 위해상기제2에피택셜층의도펀트들확산되는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 18] 제13 항에 있어서,상기 제1 에피택셜층과 상기 기판 사이에 배치되는 저농도 도핑된제1 도전형의에피택셜층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 19] 제1 도전형의 기판 상에 배치되는 제1 도전형의 제1 에피택셜층; 및 상기 제1 에피택셜층 내에 형성되는 트렌치를 포함하고, 상기 트렌치는, 상기 트렌치의 측벽들 및 바닥을 따라 성장된 제2 에피택셜층 상기 제2 에피택셜층 안쪽 사이에 상기 트렌치 내에 배치되고 상기 트렌치의 일부분을 매립하는 유전체 물질 게이트 산화물층; 및 상기 게이트 산화물층에 인접하게 배치되는 게이트를 포함하고, 상기 제2 에피택셜층은 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 20] 제19 항에 있어서,상기 게이트 산화물은 상기 유전체에 의해 덮이지 않은 상기 트렌치의 측벽들을 따라상기제2에피택셜층상배치되는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 13 및 17에 기재된 반도체 소자에서, 복수의 트렌치 사이에 배치되는 메사가 수행하는 역할과 이를 위해 제2 에피택셜층에서 일어나는 현상은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 13 및 17을 바탕으로 메사의 역할과 제2 에피택셜층에서 발생하는 현상을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 17에서 메사의 목적과 제2 에피택셜층의 변화에 관한 기술적 내용을 추출한다.

    • 상기 메사는 상기 반도체 소자의 p/n 슈퍼정션에서 전하 균형을 달성하기 위해 상기 제2 에피택셜층의 도펀트들 확산되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
  3. 3근거 선택evidence_selection

    메사의 역할인 '전하 균형 달성'과 현상인 '도펀트 확산'을 핵심 근거로 선택한다.

    • 상기 메사는 상기 반도체 소자의 p/n 슈퍼정션에서 전하 균형을 달성하기 위해 상기 제2 에피택셜층의 도펀트들 확산되는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    메사는 p/n 슈퍼정션의 전하 균형을 맞추는 역할을 수행하며, 이를 위해 제2 에피택셜층 내의 도펀트들이 확산되는 현상이 일어난다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 따라 메사의 역할과 제2 에피택셜층의 현상을 정리하여 결론을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
메사는 반도체 소자의 p/n 슈퍼정션에서 전하 균형을 달성하는 역할을 수행하며, 이를 위해 제2 에피택셜층에서는 도펀트들이 확산되는 현상이 일어난다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 메사를 통해 p/n 슈퍼정션의 전하 균형을 조절하며, 제2 에피택셜층의 도펀트 확산을 이용하여 이를 구현하는 기술을 포함한다.