파워 반도체 소자 document_id 1020110074686

[청구항 1] 소자 활성 영역 상에 형성되고, 제1측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 테이퍼 구조를 갖는 소스 전극 상기 소자 활성 영역 상에서 상기 소스 전극과 교대로 형성되고, 상기 제1측에 대향하는 제2측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 테이퍼 구조를 갖는 드레인 전극 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 형성되고, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 접촉된 복수의 비아 컨택을 포함하는 절연층 상기 절연층 상의 제1 영역에 형성되어 상기 소스 전극에 접촉된 상기 비아 컨택과 연결되는 소스 전극 패드; 및 상기 절연층 상에서 상기 제1 영역과 이격된 제2 영역에 형성되어 상기 드레인 전극에 접촉된 상기 비아 컨택과 연결되는 드레인 전극 패드 를 포함하는 파워 반도체 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소자 활성 영역 상에서 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성된 복수의 게이트 전극선과 연결되고, 상기 소자 활성 영역 상의 적어도 일 측에 형성된 게이트 전극; 및상기 절연층 상에서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역과 이격된 제3 영역에 형성되어 상기 게이트 전극과 접촉된 상기 비아 컨택과 연결되는 게이트 전극 패드더 포함하는파워 반도체 소자. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 절연층은,상기 제1 영역에 위치한 상기 소스 전극을 노출시키는 복수의 제1 비아홀;상기 제2 영역에 위치한 상기 드레인 전극을 노출시키는 복수의 제2 비아홀; 및상기 제3 영역에 위치한 상기 게이트 전극을 노출시키는 복수의 제3 비아홀포함하는파워 반도체 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 절연층은, 상기 복수의 제1 비아홀에 형성되어 상기 소스 전극에 접촉되고, 상기 소스 전극 패드와 연결되는 복수의 제1 비아 컨택;상기 복수의 제2 비아홀에 형성되어 상기 드레인 전극에 접촉되고, 상기 드레인 전극 패드와 연결되는 복수의 제2 비아 컨택; 및상기 복수의 제3 비아홀에 형성되어 상기 게이트 전극에 접촉되고, 상기 케이드 전극 패드와 연결되는 복수의 제3 비아 컨택더 포함하는파워 반도체 소자. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 복수의 제1 비아홀은, 상기 소스 전극의 테이퍼 구조에 대응하여 상기 제1 영역 내에서 상기 제1측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상갖는파워 반도체 소자. [청구항 6] 제3항에 있어서,상기 복수의 제2 비아홀은, 상기 드레인 전극의 테이퍼 구조에 대응하여 상기 제2 영역 내에서 상기 제2측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상갖는파워 반도체 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 소자 활성 영역은, 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 언도프드(undopped) 질화물 반도체층 및 질화물 반도체층포함하는파워 반도체 소자. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 질화물 반도체층은,상기 언도프드 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 질화물 반도체층; 및상기 제1 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 질화물 반도체층포함하는파워 반도체 소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 알루미늄 질화물(aluminum nitride, aln)을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층은 갈륨 알루미늄 질화물포함하는쇼트키 다이오드. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극은,니켈(ni), 알루미늄(al), 티타늄(ti), 티타늄 질화물(tin), 백금(pt), 금(au), 이산화루테늄(ruo2), 바나듐(v), 텅스텐(w), 텅스텐 질화물(wn), 하프늄(hf), 하프늄 질화물(hfn), 몰리브덴(mo), 니켈 실리사이드(nisi), 코발트 실리사이드(cosi2), 텅스텐 실리사이드(wsi), 백금 실리사이드(ptsi), 이리듐(ir), 지르코늄(zr), 탄탈늄(ta), 탄탈늄 질화물(tan), 구리(cu), 루테늄(ru), 코발트(co) 중 적어도 하나 이상의 금속 물질포함하는파워 반도체 소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 절연층은,상기 제1 영역에 위치한 상기 애노드 전극을 노출시키는 복수의 제1 비아홀; 및상기 제2 영역에 위치한 상기 캐소드 전극을 노출시키는 복수의 제2 비아홀포함하는파워 반도체 소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 절연층은, 상기 복수의 제1 비아홀에 형성되어 상기 애노드 전극에 접촉되고, 상기 애노드 전극 패드와 연결되는 복수의 제1 비아 컨택; 및상기 복수의 제2 비아홀에 형성되어 상기 캐소드 전극에 접촉되고, 상기 캐소드 전극 패드와 연결되는 복수의 제2 비아 컨택더 포함하는파워 반도체 소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 복수의 제1 비아홀은, 상기 애노드 전극의 테이퍼 구조에 대응하여 상기 제1 영역 내에서 상기 제1측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상갖는파워 반도체 소자. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 복수의 제2 비아홀은, 상기 캐소드 전극의 테이퍼 구조에 대응하여 상기 제2 영역 내에서 상기 제2측 방향으로 갈수록 폭이 넓어지는 사다리꼴 형상갖는파워 반도체 소자. [청구항 16] 제11항에 있어서,상기 에피 구조물은, 기판 상에 순차적으로 형성된 버퍼층, 언도프드(undopped) 질화물 반도체층, 질화물 반도체층 및 캡층포함하는파워 반도체 소자. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 애노드 전극은 상기 캡층에 접합되고, 상기 캐소드 전극은 상기 캡층을 통해 노출된 상기 질화물 반도체층 상에 형성되며 상기 애노드 전극과 일정한 간격이격되는파워 반도체 소자. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 질화물 반도체층은,상기 언도프드 질화물 반도체층 상에 형성된 제1 질화물 반도체층; 및상기 제1 질화물 반도체층 상에 형성된 제2 질화물 반도체층포함하는파워 반도체 소자. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 알루미늄 질화물(aluminum nitride, aln)을 포함하고, 상기 제2 질화물 반도체층은 갈륨 알루미늄 질화물포함하는파워 반도체 소자. [청구항 20] 제11항에 있어서,상기 애노드 전극 및 상기 캐소드 전극은,니켈(ni), 알루미늄(al), 티타늄(ti), 티타늄 질화물(tin), 백금(pt), 금(au), 이산화루테늄(ruo2), 바나듐(v), 텅스텐(w), 텅스텐 질화물(wn), 하프늄(hf), 하프늄 질화물(hfn), 몰리브덴(mo), 니켈 실리사이드(nisi), 코발트 실리사이드(cosi2), 텅스텐 실리사이드(wsi), 백금 실리사이드(ptsi), 이리듐(ir), 지르코늄(zr), 탄탈늄(ta), 탄탈늄 질화물(tan), 구리(cu), 루테늄(ru), 코발트(co) 중 적어도 하나 이상의 금속 물질포함하는파워 반도체 소자.