불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 document_id 1020110076685

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 불소를 함유한 금속화합물은 메탈플루오라이드, 메탈플루오라이드하이드레이트, 메탈플루오로염, 메탈플루오로알콕사이드, 메탈플루오로옥소-올리고머 및 메탈플루오로옥소-폴리머로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘이상인불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 금속 화합물의 금속은 li, na, k, rb, sc, be, mg, ca, sr, ba, ti, zr, hf, v, nb, ta, cr, mo, w, mn, te, re, fe, ru, os, co, rh, ir, ni, pd, pt, cu, ag, au, zn, cd, hg, b, al, ga, in, tl, si, ge, sn, pb, p, as, sb 및 bi 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘이상인불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 금속 화합물은 alf3, agf, baf2, bif3, bif5, cdf2, caf2, cef3, cef5, csf2, crf3, cof2, cof3, cuf2, dyf3, erf3, euf2, gaf3, gdf3, gef2, gef4, hff4, hof3, inf3, fef3, laf3, pbf2, prf3, lif, mgf2, mnf2, mnf3, hg2f2, hgf2, hgf4, naf, nbf4, ndf3, nif2, mof6, kf, rbf, sbf3, sbf5, scf3, sif4, snf2, snf4, srf2, taf5, tbf3, tif3, tif4, tlf, tmf3, vf3, wf5, yf3, ybf3, znf2, zrf4, alf3·zh2o, alf3·3h2o, crf3·4h2o, cof2·4h2o, cuf2·zh2o, fef3·3h2o, fef2·4h2o, inf3·3h2o, kf·2h2o, gaf3·3h2o, znf2·zh2o, zrf4·zh2o, snf2(acac)2, snf(oc2h5)(acac)2, snf(och(ch3)2)(acac)2, snf(oc(ch3)2c2h5)(acac)2, (cf3cochcoch3)2-sn, c33h70f2sn2, [(ch3)2chch2]2alf, 및 [(ch3ch2ch2ch2)3snf]n(여기서 z및 n은 각각 1 이상의 자연수) 으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘이상인불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 불소를 함유하는 유기물은 hf, nh4f, nh4f·hf, nh4hf2, c6h5f, c2h2f2, c3f3n3, cf3cooh, cf3cf2cf2co2h, cf3ch2oh, chf2chf2, chf2cf3, chf2ch3, cf3ch2cf, ch3cf3, cbr2f2, chf2ch2f, cf3ch2cf3, cf3cfcf2, cf3ch2f, (ch3)4nf, ch3(ch2)6f, ch3(ch2)7f, ch3(ch2)4f, (ch3)3sif, (o2n)2c6h3f, cf3c6h4nh2, c6h4fno, (c2h5)3n·3hf, c8h9fn2o2s·hcl, c7h8fno3s, ch3cof, c6h5so2f, c6h5cof, c5h5n·(hf)x, ch3c6h4so2f, cf3(cf2)3so2f, cf3(cf2)7so2f, c7h7fo2s, c6h5ch2n(ch3)3f·zh2o, [ch3(ch2)3]4nf, [ch3(ch2)3]4nf·zh2o, [ch3(ch2)3]4nf·3h2o, (ch3)4n(f)·4h2o, (c2h5)4n(f)·2h2o, (c2h5)4nf·zh2o, h2nc6h3(cl)so2f, icf2cf2ocf2cf2so2f, 및 [2,4,6-(ch3)3c6h2]2bf (여기서 x 및 z 는 각각 1 이상의 자연수) 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘이상인불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물은 금속염포함하는불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 금속염의 음이온은 하이드록사이드, 나이트레이트, 아세테이트, 프로피오네이트, 아세틸아세토네이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트, 메톡사이드, 2차-부톡사이드, 3차-부톡사이드, n-프로폭사이드, i-프로폭사이드, 에톡사이드, 포스페이트, 알킬포스페이트, 퍼클로라이트, 설페이트, 아이오디데, 알킬설포네이트, 페녹사이드, 브로마이드, 및 클로라이드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 둘이상인불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물은 상기 불소 화합물 전구체가 상기 물 또는 촉매를 포함하는 수용액 내에서 착물을 형성하거나, 가수분해 및 축합반응하는불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 가수 분해 및 축합반응은 불소 화합물 전구체와 상기 물 또는 촉매를 포함하는 수용액 간의 반응에 의한 불소 금속 산화물 모노머 및 올리고머포함하는불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 10] 제 8항에 있어서,착물 형성은 금속이온을 중심으로 물, 하이드록시기, 아민기, 카르보닐기, 할로겐기, 및 시아노기에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 리간드가 배위결합하는불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 촉매를 포함하는 수용액으로 염산 수용액, 황산 수용액, 질산 수용액, 불산 수용액, 붕산 수용액, 인산 수용액, 탄산 수용액, 과산화수소 수용액, 아세트산 수용액, 암모니아수, 요소 수용액으로 이루어진 군으로부터 하나이상선택된불소 금속 산화물 반도체 수용액 조성물.