발광장치, 백라이트 유닛과 디스플레이 장치 및 그 제조방법 document_id 1020110078124

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 파장변환부는 상기 제1 양자점 및 제2 양자점과, 고분자 수지로 이루어진 수지부의 패턴이 번갈아 한번 이상 반복하여배치되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 파장변환부는 상기 양자점이 분산된유기용매또는고분자 수지더포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 유기용매는 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform) 및 에탄올(ethanol)중적어도하나포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 고분자 수지는 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene) 및 아크릴레이트(acrylate)중적어도하나포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 파장변환부는 상기 광투과부의 내측면형성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 파장변환부는필름형상인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 양자점은 si계 나노결정, ii-vi족계 화합물 반도체 나노결정, iii-v족계 화합물 반도체 나노결정, iv-vi족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느하나의나노결정포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기ii-vi족계 화합물 반도체 나노결정은 cds, cdse, cdte, zns, znse, znte, hgs, hgse, hgte, cdses, cdsete, cdste, znses, znsete, znste, hgses, hgsete, hgste, cdzns, cdznse, cdznte, cdhgs, cdhgse, cdhgte, hgzns, hgznse, hggznte, cdznses, cdznsete, cdznste, cdhgses, cdhgsete, cdhgste, hgznses, hgznsete 및 hgznste로 구성된 군으로부터 선택된하나인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기iii-v족계 화합물 반도체 나노결정은 gan, gap, gaas, aln, alp, alas, inn, inp, inas, ganp, ganas, gapas, alnp, alnas, alpas, innp, innas, inpas, gaalnp, gaalnas, gaalpas, gainnp, gainnas, gainpas, inalnp, inalnas, 및 inalpas로 구성된 군으로부터 선택된하나인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 11] 제8항에 있어서,상기iv-vi족계화합물반도체 나노결정인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 발광부는 백색, 청색,적색또는녹색발광다이오드 칩중적어도하나구성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛은 435nm 내지 470nm의 파장을 가지며, 상기 제1 양자점의 적색광의 색좌표는 4개의 꼭지점 (0.5448, 0.4544), (0.7200, 0.2800), (0.6427, 0.2905) 및 (0.4794, 0.4633)에 의해 둘러싸인 영역 내에 있고, 상기 제2 양자점의 녹색광의 색좌표는 cie 1931 색좌표계를 기준으로 4개의 꼭지점 (0.1270, 0.8037), (0.4117, 0.5861), (0.4197, 0.5316) 및 (0.2555, 0.5030)에 의해 둘러싸인영역내에있는것을특징으로 하는발광장치 [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 제1 양자점의 적색광의 색좌표는 4개의 꼭지점 (0.6000, 0.4000), (0.7200, 0.2800), (0.6427, 0.2905) 및 (0.6000, 0.4000)에 의해 둘러싸인 영역 내에 있고, 상기 제2 양자점의 녹색광의 색좌표는 cie 1931 색좌표계를 기준으로 4개의 꼭지점 (0.1270, 0.8037), (0.3700, 0.6180), (0.3700, 0.5800) 및 (0.2500, 0.5500)에 의해 둘러싸인영역내에있는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛은 10~30nm의 반치폭을 갖고, 상기 제1 양자점에서 방출된 빛은 30~80nm의 반치폭을 갖고, 상기 제2 양자점에서 방출된 빛은 10~60nm의반치폭갖는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 광투과부는유리또는고분자 수지포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 파장변환부는 각각의 패턴 사이에 광투과성 스페이서배치되는것을특징으로 하는발광장치 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 광투과성스페이서는유리또는고분자 수지포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 파장변환부 및 상기 광투과부가 외측면에 순차적으로 적층되어 형성되는도광판더포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 광투과부는 외측면 및 상기 발광부를 향하는 내측면을 구비하며, 상기 외측면 및 내측면은 상기 발광부의 상부를 향하여 볼록한형상가지는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 발광부는 상기 광투과부의 볼록한 형상의 내측면배치되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 발광부는 백열등이며, 상기 광투과부는 엘튜브(l-tube)의 확산판이며, 상기 파장변환부는상기확산판의내부봉입되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 23] 제20항에 있어서,상기 발광부는 백열등이며, 상기 광투과부는 엘튜브의 확산판이며, 상기 파장변환부는 상기 확산판의 내측면형성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 24] 제20항에 있어서,상기 광투과부에서 내측면에 의하여 정의되는 공간에 채워지는투명봉지재더포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 25] 발광부; 상기 발광부로부터 방출된 광 경로 상에 배치되며, 내부에 수용공간이 형성되도록 격벽을 가지는 광투과부 상기 광투과부의 수용공간에 형성되며, 상기 발광부로부터 방출된 광의 파장을 변환시키는 양자점을 포함하는 파장변환부; 및 상기 파장변환부를 덮도록 상기 광투과부의 격벽 위에 형성되는 커버부 를 포함하는 발광장치 [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 파장변환부는 광의 파장을 적색광으로 변환시키는 제1 양자점과, 광의 파장을 녹색광으로 변환시키는제2양자점의패턴배치되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 파장변환부는 상기 제1 양자점 및 제2 양자점과, 고분자 수지로 이루어진수지부의패턴배치되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 파장변환부는 상기 양자점이 분산된유기용매또는고분자 수지더포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 유기용매는 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform) 및 에탄올(ethanol)중적어도하나포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 고분자 수지는 에폭시(epoxy), 실리콘(silicone), 폴리스틸렌(polysthylene), 및 아크릴레이트(acrylate)중적어도하나포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 31] 제25항에 있어서,상기 양자점은 si계 나노결정, ii-vi족계 화합물 반도체 나노결정, iii-v족계 화합물 반도체 나노결정, iv-vi족계 화합물 반도체 나노결정 및 이들의 혼합물 중 적어도 어느하나의나노결정포함하는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기ii-vi족계 화합물 반도체 나노결정은 cds, cdse, cdte, zns, znse, znte, hgs, hgse, hgte, cdses, cdsete, cdste, znses, znsete, znste, hgses, hgsete, hgste, cdzns, cdznse, cdznte, cdhgs, cdhgse, cdhgte, hgzns, hgznse, hggznte, cdznses, cdznsete, cdznste, cdhgses, cdhgsete, cdhgste, hgznses, hgznsete 및 hgznste로 구성된 군으로부터 선택된하나인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 33] 제31항에 있어서,상기iii-v족계 화합물 반도체 나노결정은 gan, gap, gaas, aln, alp, alas, inn, inp, inas, ganp, ganas, gapas, alnp, alnas, alpas, innp, innas, inpas, gaalnp, gaalnas, gaalpas, gainnp, gainnas, gainpas, inalnp, inalnas, 및 inalpas로 구성된 군으로부터 선택된하나인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 34] 제31항에 있어서,상기iv-vi족계화합물반도체 나노결정인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 35] 제26항에 있어서,상기 발광부는 상기 광투과부의 하부에 배치되는발광다이오드패키지인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 발광다이오드 패키지에서 방출된 빛은 435nm 내지 470nm의 파장을 가지며, 상기 제1 양자점의 적색광의 색좌표는 4개의 꼭지점 (0.5448, 0.4544), (0.7200, 0.2800), (0.6427, 0.2905) 및 (0.4794, 0.4633)에 의해 둘러싸인 영역 내에 있고, 상기 제2 양자점의 녹색광의 색좌표는 cie 1931 색좌표계를 기준으로 4개의 꼭지점 (0.1270, 0.8037), (0.4117, 0.5861), (0.4197, 0.5316) 및 (0.2555, 0.5030)에 의해 둘러싸인영역내에있는것을특징으로 하는발광장치 [청구항 37] 제35항에 있어서,상기 제1 양자점의 적색광의 색좌표는 4개의 꼭지점 (0.6000, 0.4000), (0.7200, 0.2800), (0.6427, 0.2905) 및 (0.6000, 0.4000)에 의해 둘러싸인 영역 내에 있고, 상기 제2 양자점의 녹색광의 색좌표는 cie 1931 색좌표계를 기준으로 4개의 꼭지점 (0.1270, 0.8037), (0.3700, 0.6180), (0.3700, 0.5800) 및 (0.2500, 0.5500)에 의해 둘러싸인영역내에있는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 38] 제35항에 있어서,상기 발광다이오드 패키지에서 방출된 빛은 10~30nm의 반치폭을 갖고, 상기 제1 양자점에서 방출된 빛은 30~80nm의 반치폭을 갖고, 상기 제2 양자점에서 방출된 빛은 10~60nm의반치폭갖는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 39] 제35항에 있어서,상기 광투과부는 하면에 상기 발광다이오드 패키지가 내측에 수용되도록하부격벽더형성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 40] 제25항에 있어서,상기 광투과부는유리 재질형성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 41] 제25항에 있어서,을 포함하는 것을특징으로 하는발광장치 [청구항 42] 발광부; 상기 발광부로부터 방출된 광 경로 상에 배치되며, 상기 발광부로부터 방출된 광의 파장을 변환시키는 파장변환부 및 상기 파장변환부의 적어도 일측에 형성되는 광투과부 를 포함하며, 상기 파장변환부는 광의 파장을 적색광으로 변환시키는 제1 양자점과, 광의파장을 녹색광으로 변환시키는 제2 양자점의 패턴이 번갈아 한번 이상 반복하여 배치되는 발광장치; 및 상기 발광부가 설치되는 도광판 을 포함하는 백라이트 유닛 [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 발광부는 도광판에에지형방식설치되는것을특징으로 하는백라이트 유닛. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 발광부는 도광판에직하형방식설치되는것을특징으로 하는백라이트 유닛. [청구항 45] 발광부; 상기 발광부로부터 방출된 광 경로 상에 배치되며, 상기 발광부로부터 방출된 광의 파장을 변환시키는 파장변환부 및 상기 파장변환부의 적어도 일측에 형성되는 광투과부 를 포함하며, 상기 파장변환부는 광의 파장을 적색광으로 변환시키는 제1 양자점과, 광의파장을 녹색광으로 변환시키는 제2 양자점의 패턴이 번갈아 한번 이상 반복하여 배치되는 발광장치; 및 상기 발광장치에서 방출된 빛을 받아 화상을 표시하는 화상패널 을 포함하는 디스플레이 장치