문맥 (context)
[청구항 1]
탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체; 및
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 티탄으로 형성된 양극 인출선
을 포함하는 탄탈 캐패시터
[청구항 2]
제1항에 있어서,결체의 표면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 음극 보강층은 카본(carbon)과 은(ag)이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 5]
탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체
상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 티탄으로 형성된 양극 인출선
상기 티탄으로 형성된 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및
상기 칩소결체 및 상기 티탄으로 형성된 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부
를 포함하는 탄탈 캐패시터
[청구항 6]
제5항에 있어서,결체의 표면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 음극 보강층은 카본(carbon)과 은(ag)이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 5항에 따른 탄탈 캐패시터에서 양극 리드 프레임과 연결되는 티탄 양극 인출선의 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 5항을 바탕으로 양극 리드 프레임과 연결되는 티탄 양극 인출선의 구성 요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5항에서 티탄으로 형성된 양극 인출선의 구성 요소와 연결 관계를 확인한다.
- 티탄으로 형성된 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임
-
3근거 선택
evidence_selection양극 인출선의 구성 요소인 '삽입영역'과 '비삽입 영역'을 포함하는 구절을 선택한다.
- 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 티탄으로 형성된 양극 인출선
-
4논리 통합
logical_integration티탄 양극 인출선은 삽입영역과 비삽입 영역으로 구성되며, 그 중 비삽입 영역이 양극 리드 프레임과 연결됨을 파악한다.
- 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 티탄으로 형성된 양극 인출선
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 티탄 양극 인출선의 구성 요소는 삽입영역과 비삽입 영역이다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
삽입영역과 비삽입 영역
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 티탄 양극 인출선을 통해 양극 리드 프레임과 연결되는 탄탈 캐패시터 구조를 특징으로 한다.