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탄탈 캐패시터 document_id 1020110078696

출원번호
1020110078696
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선 상기 칩소결체의 외부면에 형성되는 카본층; 및 상기 카본층의 상부면에 금(au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(au)층 을 포함하는 탄탈 캐패시터 [청구항 2] 제1항에 있어서,결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간형성된탄탈 캐패시터. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 금(au) 페이스트는 금(au) 분말과 바인더 및 용제포함하는탄탈 캐패시터. [청구항 5] 탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체 상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임 상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 양극 인출선 상기 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및 상기 칩소결체 및 상기 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부를 포함하며, 상기 칩소결체는 외부면에 형성되는 카본층 및 상기 카본층의 상부면에 금(au)을 포함하는 페이스트로 형성된 금(au)층을 포함하는 탄탈 캐패시터 [청구항 6] 제5항에 있어서,결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간형성된탄탈 캐패시터. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 금(au) 페이스트는 금(au) 분말과 바인더 및 용제포함하는탄탈 캐패시터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 내지 4의 구성요소를 모두 포함하는 탄탈 캐패시터에서, 칩소결체의 표면과 카본층 사이에 순차적으로 형성되는 층들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    탄탈 캐패시터의 구성요소 중 칩소결체의 표면과 카본층 사이에 순차적으로 형성되는 층들을 찾는다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2를 통해 칩소결체의 표면과 카본층 사이에 형성되는 층에 대한 정보를 추출한다.

    • 결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이순차적도포되어형성된
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 위치(칩소결체 표면과 카본층 사이)에 해당하는 구절을 선택한다.

    • 결체의 표면과 상기 카본층 사이에는 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이순차적도포되어형성된
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 바탕으로 칩소결체 표면에서 카본층 방향으로 순차적으로 형성되는 층의 순서를 정리한다.

    • 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층이순차적도포되어형성된
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    순차적으로 형성되는 층은 유전체 산화피막층과 고체 전해질층임을 도출한다.

    • 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변으로 유전체 산화피막층, 고체 전해질층을 나열한다.

    • 유전체 산화피막층 및 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층
최종 답변 (final_answer)
유전체 산화피막층, 고체 전해질층
핵심 해석 (core_interpretation)
탄탈 캐패시터의 칩소결체 표면과 카본층 사이에 유전체 산화피막층과 고체 전해질층이 순차적으로 적층되어 전기적 특성을 형성하는 구조를 나타낸다.