문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층에 가장 가까운 상기 양자 웰층은 상기 제3 질화물 반도체의 상기 격자 상수와 동일한 격자 간격갖는,반도체 발광 장치.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 양자 웰 층들 중 적어도 하나는 상기 제3 질화물 반도체의 상기 격자 상수와 동일한 격자 간격갖는,반도체 발광 장치.
[청구항 5]
제3항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층에 가장 가까운 상기 양자 웰층의 격자 간격과 상기 제3 질화물 반도체의 상기 격자 상수 간의 차근사하는,반도체 발광 장치.
[청구항 6]
제3항에 있어서,상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며,상기 발광층에 가장 가까운 상기 제2 반도체층의 상기 격자 간격은 상기 양자 웰층들의 격자 간격보다 넓은, 반도체 발광 장치.
[청구항 7]
제3항에 있어서,상기 다중-양자 웰 구조에 포함되는 복수의 상기 양자 웰층들의 격자 간격은 상기 제2 도전형 반도체층을 향하여 좁아지고, 상기 다중-양자 웰 구조에 포함되는 복수의 상기 배리어층들의 격자 간격은 상기 제2 도전형 반도체층지는,반도체 발광 장치.
[청구항 8]
제3항에 있어서,상기 초격자 구조 및 상기 발광층은연속하여배치되는,반도체 발광 장치.
[청구항 9]
제3항에 있어서,상기 제2 반도체층들의 격자 상수는 상기 초격자 구조의 적층 방향증가하는,반도체 발광 장치.
[청구항 10]
제3항에 있어서,상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 제2 반도체층들 중 제1층과 상기 제2 반도체층들 중 마지막층 사이최대로 되는,반도체 발광 장치.
[청구항 11]
제3항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층 내지 제4 질화물 반도체층은 각각 상이한 조성인,반도체 발광 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체는 inyga1-yn(0≤y≤1)이고, 상기 제3 질화물 반도체인,반도체 발광 장치.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 및 상기 제4 질화물 반도체는 gan인,반도체 발광 장치.
[청구항 15]
제13항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체는 0.2의 in 비율을 갖고, 상기 제3 질화물 반도체는 0.15의 in 비율갖는,반도체 발광 장치.
[청구항 16]
제13항에 있어서,상기 발광층은 450nm의 발광 파장을 갖고, 상기 제2 질화물 반도체는 0.24의 in 비율갖는,반도체 발광 장치.
[청구항 17]
제13항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체의 in 비율은 상기 초격자 구조의 적층 방향증가하는,반도체 발광 장치.
[청구항 18]
제13항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체의 in 비율은 상기 제2 반도체층들 중 제1층과 상기 제2 반도체층들 중 마지막층 사이최대로 되는,반도체 발광 장치.
[청구항 19]
제3항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 상기 발광층에 대향하는 측에 위치하는 기판; 및상기 기판과 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 배치되고, 상기 제1 질화물 반도체를 포함하며, 상기 제1 도전형 반도체층보다 높은 농도로 제1 도전형의 불순물로 도핑되어 있는 콘택트층더 포함하는,반도체 발광 장치.
[청구항 20]
제3항에 있어서,상기 제2 도전형 반도체층은 gan층, 및 상기 발광층과 상기 gan층사이배치되는포함하는,반도체 발광 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 발광 장치에서 초격자 구조에 포함되는 제1 반도체층들과 제2 반도체층들의 격자 간격이 발광층을 향하여 변화하는 양상은 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation초격자 구조 내 제1 반도체층들과 제2 반도체층들의 격자 간격이 발광층 방향으로 어떻게 변화하는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 제1 반도체층들과 제2 반도체층들의 격자 간격 변화에 대한 구체적인 기술 내용이 명시되어 있다.
- 상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며
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3근거 선택
evidence_selection제1 및 제2 반도체층 모두 발광층을 향해 격자 간격이 넓어진다는 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며
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4논리 통합
logical_integration제1 반도체층과 제2 반도체층 모두 발광층 방향으로 갈수록 격자 간격이 넓어지는 공통된 변화 양상을 보임을 확인한다.
- 상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며
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5결론 도출
conclusion_formulation두 종류의 반도체층 모두 발광층을 향하여 격자 간격이 넓어지는 양상을 가진다.
- 상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 제1 및 제2 반도체층 모두 발광층을 향하여 격자 간격이 넓어진다고 답변을 생성한다.
- 상기 초격자 구조에 포함되는 복수의 상기 제1 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지고, 상기 초격자 구조포함되는복수의 상기 제2 반도체층들의 격자 간격은 상기 발광층을 향하여 넓어지며
최종 답변 (final_answer)
초격자 구조에 포함되는 복수의 제1 반도체층들과 복수의 제2 반도체층들 모두 발광층을 향하여 격자 간격이 넓어지는 양상을 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 발광 장치의 초격자 구조에서 제1 및 제2 반도체층의 격자 간격을 발광층 방향으로 점진적으로 넓게 설계하여 구조적 특성을 제어한다.