문맥 (context)
[청구항 1]
탄탈 분말이 소결하여 형성된 칩소결체; 및
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 니오븀(nb)으로 형성된 양극 인출선
을 포함하는 탄탈 캐패시터
[청구항 2]
제1항에 있어서,결체의 표면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간(mno2) 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polyppyrrol), 폴리에틸렌 디옥시 티오펜 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene), pedot) 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나이상인탄탈 캐패시터.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 음극 보강층은 카본(carbon)과 은(ag)이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 6]
탄탈 분말이 소결하여 형성되며 실장면을 갖는 칩소결체
상기 칩소결체가 실장될 수 있는 음극 리드 프레임
상기 칩소결체 내부에 위치하는 삽입영역과 상기 칩소결체 외부에 위치하는 비삽입 영역을 갖는 니오븀(nb)으로 형성된 양극 인출선
상기 니오븀(nb)으로 형성된 양극 인출선의 비삽입 영역과 연결되는 양극 리드 프레임; 및
상기 칩소결체 및 상기 니오븀(nb)으로 형성된 양극 인출선을 둘러싸도록 형성된 수지 몰딩부
를 포함하는 탄탈 캐패시터
[청구항 7]
제6항에 있어서,결체의 표면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 고체 전해질층은 이산화망간(mno2) 및 전도성 고분자로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상형성된탄탈 캐패시터.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리피롤(polyppyrrol), 폴리에틸렌 디옥시 티오펜 (poly(3,4-ethylenedioxythiophene), pedot) 및 폴리아닐린(polyaniline)으로 구성된 군으로부터 선택된 하나이상인탄탈 캐패시터.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 음극 보강층은 카본(carbon)과 은(ag)이순차적도포되어형성된탄탈 캐패시터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
탄탈 캐패시터의 칩소결체 표면에 형성되는 층들의 구성 요소와 그 도포 순서는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation탄탈 캐패시터 칩소결체 표면에 형성되는 층의 구성 요소와 도포되는 순서를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2와 7에서 칩소결체 표면에 형성되는 층의 종류와 순서에 대한 정보를 확인한다.
- 결체의 표면에는 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된
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3근거 선택
evidence_selection층의 구성 요소인 유전체 산화피막층, 고체 전해질층, 음극 보강층과 이들의 순차적 도포 관계를 나타내는 구절을 선택한다.
- 유전체 산화피막층, 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층 및 음극 보강층이순차적도포되어형성된
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 1) 유전체 산화피막층, 2) 고체 전해질층, 3) 음극 보강층 순으로 도포됨을 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 구성 요소와 도포 순서를 정리하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 유전체 산화피막층
2. 음극의 극성을 갖는 고체 전해질층
3. 음극 보강층
핵심 해석 (core_interpretation)
탄탈 캐패시터의 칩소결체 표면에 유전체 산화피막층, 고체 전해질층, 음극 보강층이 순차적으로 도포되어 형성되는 적층 구조를 정의한다.