문맥 (context)
[청구항 1]
최상부층이 금속 실리사이드층으로 이루어지고 제1 간격으로 반도체 기판 상에 배열되는 제1 게이트 라인들
최상부층이 금속 실리사이드층으로 이루어지고 상기 제1 간격보다 넓은 제2 간격으로 상기 반도체 기판 상에 배열되는 제2 게이트 라인들
상기 제1 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성되고 에어갭을 포함하는 제1 절연막
상기 제2 게이트 라인들의 마주보는 측벽 상에 형성된 제2 절연막
상기 제2 절연막의 측벽에 형성된 식각 정지막
상기 제1 게이트 라인들 사이의 공간과 상기 제2 게이트 라인들 사이의 공간이 채워지도록 전체 구조 상에 형성된 제3 절연막
상기 제3 절연막 상부에 형성된 캡핑막; 및
상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그를 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 금속 실리사이드층은 텅스텐 실리사이드층, 코발트 실리사이드층 및 니켈 실리사이드층 중하나로 이루어지는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 식각 정지막과 상기 콘택 플러그 사이에 형성되는 제4 절연막더 포함하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 캡핑막이nan질화막으로 이루어지는반도체 소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 제1 절연막이 상기 제1 게이트 라인들보다 낮은 높이형성되는반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 제3 절연막이 상기 제1 및 제2 게이트 라인들의 금속 실리사이드층접촉하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 콘택 플러그가 연결되는 대상과, 콘택 플러그가 관통하여 지나가는 막층들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에서 콘택 플러그가 연결되는 대상과 콘택 플러그가 관통하는 막층들을 찾아내는 것이 과제이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1의 마지막 문장에서 콘택 플러그의 연결 대상과 관통하는 막층에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그
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3근거 선택
evidence_selection연결 대상인 '접합 영역'과 관통하는 막층인 '캡핑막' 및 '제3 절연막'을 근거로 선택한다.
- 상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그
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4논리 통합
logical_integration콘택 플러그는 캡핑막과 제3 절연막을 관통하며, 최종적으로 반도체 기판의 접합 영역과 연결됨을 통합한다.
- 상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 연결 대상은 접합 영역이고, 관통하는 막층은 캡핑막과 제3 절연막임을 결론짓는다.
- 상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 캡핑막 및 상기 제3 절연막을 관통하여 상기 제2 게이트 라인들 사이의 상기 반도체 기판에 형성된 접합 영역과 연결되는 콘택 플러그
최종 답변 (final_answer)
콘택 플러그가 연결되는 대상은 접합 영역이며, 콘택 플러그가 관통하여 지나가는 막층들은 캡핑막 및 제3 절연막이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 콘택 플러그가 캡핑막과 제3 절연막을 관통하여 반도체 기판 상의 접합 영역에 전기적으로 연결되는 구조를 특징으로 한다.