축전 결합 플라즈마용 전극 구조체 및 기판 처리 장치 document_id 1020110117128

[청구항 1] rf 전원으로부터 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 전력을 공급받고 진공 용기의 내부에 축전 결합 플라즈마 를 형성하는 사각형 전극; 및 상기 사각형 전극의 중심에 대하여 대칭적으로 배치되고 상기 사각형 전극을 관통하는 적어도 4개의 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 트렌치는 일정한 내반경 및 외반경을 가지고, 상기 트렌치는상기사각형전극의대각선방향서로분리된것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 트렌치는 일정한 내반경 및 외반경을 가지고,상기사각형전극의수평방향및수직방향서로분리된것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 외반경과 내반경의 차이는 10 밀리미터 내지 30 밀리미터이고,상기 rf 전원의 주파수는 30 mhz내지인것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 트렌치는 소정의 폭을 가지는 직선 슬롯 형상이고, 상기 트렌치는 상기 사각형 전극의 변을 따라 배열되고, 상기 트렌치는상기사각형전극의대각선방향서로분리된것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 트렌치는 소정의 폭을 가지는 직선 슬롯 형상이고, 상기 트렌치는 상기 사각형 전극의 대각선을 직교하도록 배열되고, 상기 트렌치는상기사각형전극의수평방향및수직방향서로분리된것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 7] rf 전원으로부터 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 전력을 공급받고 진공 용기의 내부에 축전 결합 플라즈마 를 형성하는 사각형 전극; 및 상기 사각형 전극의 중심에 대하여 일정한 수직거리를 가지고 상기 사각형 전극을 관통하는 적어도 4개의 직선 슬롯 형상의 트렌치를 포함하는 것을 특징으로 하는 축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체 [청구항 8] 제 7항에 있어서,상기 사각형 전극의 중심은 직각좌표계의 중심과 일치하고, 상기 사각형 전극의 변은 x-y 평면의 좌표축과 나란히 배치되고, 상기 트렌치는 제1 내지 제4 트렌치를 포함하고,상기 제1 트렌치는 양의 x축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근에서 양의 y축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근을 향하여 연장되고,상기 제2 트렌치는 양의 y축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근에서 음의 x축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근을 향하여 연장되고,상기 제3 트렌치는 음의 x축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근에서 음의 y축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근을 향하여 연장되고,상기 제4 트렌치는 음의 y축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는 지점 부근에서 양의 x축이 상기 사각형 전극의 변을 이등분하는지점연장되는것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 9] 제 8항에 있어서,상기 제1 트렌치 내지 제4 트렌치는각각2개분할되는것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 10] 제 7항에 있어서,상기 사각형 전극보다 작은 가상 사각형이 상기 사각형 전극의 중심점과 동일하게 배치되고, 상기 가상 사각형은 상기 사각형 전극에 대하여 0도 또는 45도로 회전하여 배치되고, 상기 트렌치는 상기 가상 사각형의 변을 따라형성되는것을특징으로 하는축전 결합 플라즈마 발생용 전극 구조체. [청구항 11] 진공 용기; 상기 진공 용기의 내부에 배치된 기판 홀더 rf 전원으로부터 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 전력을 공급받고 진공 용기의 내부에 축전 결합 플라즈마 를 형성하는 적어도 하나의 사각형 전극 상기 사각형 전극의 중심에 대하여 대칭적으로 배치되고 상기 사각형 전극을 관통하는 적어도 4개의 트렌치; 및 상기 트렌치를 채우는 절연부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치 [청구항 12] 제 11항에 있어서,상기 트렌치는 일정한 내반경 및 외반경을 가지고, 상기 트렌치는상기사각형전극의대각선방향서로분리된것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 13] 제 11항에 있어서,상기 트렌치는 일정한 내반경 및 외반경을 가지고,상기사각형전극의수평방향및수직방향서로분리된것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 14] 제 11항에 있어서,상기 외반경과 내반경의 차이는 10 밀리미터 내지 30 밀리미터이고,상기 rf 전원의 주파수는 30 mhz내지인것을특징으로 하는기판 처리 장치. [청구항 15] 진공 용기; 상기 진공 용기의 내부에 배치된 기판 홀더 rf 전원으로부터 임피던스 매칭 네트워크를 통하여 전력을 공급받고 진공 용기의 내부에 축전 결합 플라즈마 를 형성하는 적어도 하나의 사각형 전극 상기 사각형 전극의 중심에 대하여 일정한 수직거리를 가지고 상기 사각형 전극을 관통하는 적어도 4개의 직선 슬롯 형상의 트렌치; 및 상기 트렌치를 채우는 절연부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치