반도체 소자 document_id 1020110118462

[청구항 1] 반도체 기판 상부에 형성된 층간 절연막 패턴 상기 층간 절연막 패턴 사이의 상기 반도체 기판 상부에 형성되며, 상기 층간 절연막 패턴 상측보다 낮게 위치한 비트라인 콘택플러그; 및 상기 비트라인 콘택플러그 상부에 형성된 비트라인 을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 비트라인 콘택플러그는폴리실리콘포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 청구항 1에 있어서,상기 층간 절연막 패턴nan은질화막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 비트라인은 배리어 메탈층,비트라인도전층및하드마스크층의적층구조인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 청구항 4에 있어서,상기 배리어 메탈층nan은상기비트라인콘택플러그상부및상기층간 절연막 패턴측면형성된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 청구항 4에 있어서,상기 배리어 메탈층은 티타늄, 티타늄질화막, 텅스텐 질화막, 텅스텐 실리콘질화막 및 이들의 조합 중 어느하나포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 청구항 4에 있어서,상기 비트라인 도전층nan은텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 8] 청구항 1에 있어서,상기 비트라인을 포함하는 상기 층간 절연막 전체 표면에스페이서 절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 9] 청구항 1에 있어서,상기 비트라인의 선폭nan은상기비트라인콘택플러그상측의선폭동일한것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 10] 청구항 1에 있어서,상기 비트라인의 선폭이 상기 비트라인 콘택플러그 상측의 선폭보다 작은 경우, 상기 비트라인 콘택플러그 상부는 상기 배리어 메탈층 또는 비트라인 도전층으로 덮혀있는것을특징으로 하는반도체 소자.