인쇄기술을 이용한 낸드 플래시 유기메모리 및 이의 제조방법 document_id 1020110118627

[청구항 1] 기판과; 상기 기판위에 형성된 소스/드레인 전극과 상기 소스/드레인 전극위에 형성된 인쇄반도체와 상기 인쇄반도체위에 도포된 일렉트릿층과 상기 일렉트릿층 위에 도포된 게이트 절연층과 상기 게이트 절연층위에 형성된 게이트 전극 으로 구성되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 금속, 탄소화합물,전도성 고분자선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 금속은 금(au), 은(ag), 구리(cu), 니켈(ni), 팔라듐(pd), 백금(pt), 알루미늄(al), 칼슘(ca), 사마리움(sm), 티타늄(ti), 몰리브덴(mo), 텅스텐(w), 아연(zn), 인듐(in), 지르코늄(zr)으로부터 선택되며,상기 탄소화합물은 탄소나누튜브(cnt) 및 그래핀으로부터 선택되며,상기전도성고분자선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 인쇄반도체는 고분자 및 단분자 유기반도체, 금속산화물 반도체,탄소화합물 반도체선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 유기반도체는 pentacene, tetracene, rubrene, pcbm, tips-pentacene, tes-adt, p3ht, f8t2, f8bt, p(ndi2od-t2), pc12tv12t, ptvphi, dpp, pdi8-cn2, naphthalenediimide p형 및 n형,고분자및단분자유기반도체선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 6] 제 4항에 있어서,상기 산화물반도체는 아연산화물(znox), 인듐산화물(inox), 인듐갈륨아연산화물(igzo), 인듐주석산화물(ito)산화물반도체선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 7] 제 4항에 있어서,상기 탄소화합물 반도체는 반도체성 탄소나노튜브(cnt), 그래핀(graphene)나노리본선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 일렉트릿층nan은인것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 일렉트릿 층nan은단일층또는다층 구조선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 일렉트릿층의 도포에 사용된 용매는직교용매인것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기orthogonal용매선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층nan은선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 게이트 절연층인 p(vdf-trfe), pmma, pvp, 및 pvpyr의 orthogonal용매선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 14] 기판을 준비하는 단계와 상기 기판위에 소스/드레인 전극을 형성시키는 단계와 상기 소스/드레인 전극위에 인쇄반도체층을 형성시키는 단계와 상기 인쇄반도체위에 일렉트릿층 을 도포하는 단계와 상기 일렉트릿층 위에 게이트 절연층을 도포하는 단계와 상기 게이트 절연층위에 게이트 전극을 형성시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리를 제조하는 방법 [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 상기 소스/드레인 전극은 금속, 탄소화합물, 전도성고분자로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 16] 제 14항에 있어서,상기 금속은 금(au), 은(ag), 구리(cu), 니켈(ni), 팔라듐(pd), 백금(pt), 알루미늄(al), 칼슘(ca), 사마리움(sm), 티타늄(ti), 몰리브덴(mo), 텅스텐(w), 아연(zn), 인듐(in), 지르코늄(zr)으로부터 선택되며,상기 탄소화합물은 탄소나누튜브(cnt) 및 그래핀으로부터 선택되며,상기 전도성고분자는 pedot:pss 및 polyaniline (pani)로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 17] 제 14항에 있어서,상기 인쇄반도체는 고분자 및 단분자 유기반도체, 금속산화물 반도체, 탄소화합물 반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 유기반도체는 pentacene, tetracene, rubrene, pcbm, tips-pentacene, tes-adt, p3ht, f8t2, f8bt, p(ndi2od-t2), pc12tv12t, ptvphi, dpp, pdi8-cn2, naphthalenediimide p형 및 n형, 고분자 및 단분자 유기반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 19] 제 17항에 있어서,상기 산화물반도체는 아연산화물(znox), 인듐산화물(inox), 인듐갈륨아연산화물(igzo), 인듐주석산화물(ito) 산화물반도체로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 20] 제 17항에 있어서,상기 탄소화합물 반도체는 반도체성 탄소나노튜브(cnt), 그래핀(graphene) 나노리본으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 21] 제 14항에 있어서,상기 일렉트릿층은 poly(α-methylstyrene), polystyrene (ps), teflontm af, poly(2-vinlynaphthalene) (pvn), poly(4-vinylpyridine) (p4vpyr) 인 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 22] 제 14항에 있어서,상기 일렉트릿 층은 단일층 또는 다층 구조로 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 일렉트릿층의 도포에 사용된 용매는 직교(orthogonal) 용매인 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기orthogonal 용매는 n-butylacetate, 2-butanone, dimetyl sulfoxide, 2-ethoxyethanol, 2-methoxyethanol, acetonitrile, butanol, 2-propanol, anisole, n-methylpyrrolidone (nmp), acetone 으로부터 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 25] 제 22항에 있어서,상기 게이트 절연층은 p(vdf-trfe), poly(methyl methacrylate) (pmma), poly(4-vinylphenol) (pvp), poly(4-vinylpyridine) (pvpyr)로 선택되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 26] 제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층인 p(vdf-trfe), pmma, pvp, 및 pvpyr의 orthogonal용매선택되는것을특징으로 한nand 플래시 유기메모리 [청구항 27] 제 15항에 있어서,상기 소스/드레인 전극의 형성은 포토 리소그래피(photolithography)를 포함해 gravure, inkjet, screen, flexography, reverse-offset, nano-imprint, spray 프린팅 중 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 28] 제 17항에 있어서,상기 인쇄반도체층의 형성은 스핀코팅, spray, inkjet, flexography, bar-coating, slot-die coating, screen, dip-coating, gravure 중에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 29] 제 17항에 있어서,상기 인쇄반도체층의 형성 후 반도체 결정성 및 안정성 등의 소자 성능을 향상시키기 위해 열처리나 광학적 노출(exposure)을 수행하는 단계가 추가되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 30] 제 21항에 있어서,상기 일렉트릿층은 poly(α-methylstyrene), polystyrene (ps), teflontm af, poly(2-vinlynaphthalene) (pvn), poly(4-vinylpyridine)(p4vpyr) 에서 선택되는 고분자 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅이나 금속 쉐도우 마스크를 이용한 spray 프린팅, gravure, screen, flexography 에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 31] 제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층은 p(vdf-trfe), poly(methyl methacrylate) (pmma), poly(4-vinylphenol) (pvp), poly(4-vinylpyridine) (pvpyr)에서 선택되는 잉크를 사용하여 잉크젯 프린팅이나 금속 쉐도우 마스크를 이용한 spray 프린팅, gravure, screen, flexography에서 선택되는 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 32] 제 25항에 있어서,상기 게이트 절연층은 저전압 트랜지스터 구동 및 빠른 메모리 스위칭 소자 구현을 위해 저유전율/고유전율 이중게이트 절연층 구조로 도포하는 단계가 추가된 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 33] 제 32항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층에 사용되는 소재는 p(vdf-trfe)와 같은 고 유전상수 고분자 절연체 또는 졸-젤 방법으로 형성 가능한 zrox나 al2o3와 같은 금속산화물 절연체인 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 34] 제 32항 또는 제 33항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층은 스핀코팅, dipping, spray, flexography, gravure, screen 프린팅 중 선택되는 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 35] 제 32항에 있어서,상기 고 유전율 게이트 절연층에 사용되는 용매는 orthogonal 용매인 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법 [청구항 36] 제 35항에 있어서,상기orthogonal 용매는 acetonitrile 또는 nmp 인 것을 특징으로 한 nand 플래시 유기메모리제조하는방법