광전변환소자 document_id 1020110121189

[청구항 1] 그리드 패턴을 포함하는 제1 전극이 형성된 제1 기판 상기 제1 기판과 마주하게 배치되며, 제2 전극이 형성된 제2 기판 상기 그리드 패턴의 개구 영역에 형성된 반도체층; 및 상기 그리드 패턴과 반도체층 사이에 형성된 도전성 박막 을 포함하는 광전변환소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 전극은, 상기 제1 기판과 그리드 패턴 사이에 형성된투명도전막더포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 그리드 패턴, 반도체층 및 도전성 박막은,상기투명도전막상함께형성되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 그리드 패턴의 외 표면을 덮는보호막더포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 보호막은 상기 그리드 패턴 상으로부터 상기 도전성 박막 위로 맞닿게연장형성되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 그리드 패턴은,일 방향을 따라 서로 나란하게 연장되는 다수의 휭거 전극들; 및 상기 휭거 전극들의 단부를 가로질러 연장되며 상기 휭거 전극들을 상호 연결시키는집전전극포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 그리드 패턴은 상기 집전 전극의 길이방향을 따라 소정 간격을 두고 돌출된 다수의 휭거 전극들을 갖춘콤형상형성되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 도전성 박막은, 상기 휭거 전극들과 집전 전극을 따라 반복적인굴절패턴연장되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 그리드 패턴은 상기 집전 전극의 길이방향을 따라 소정 간격을 두고 돌출된 다수의 휭거 전극들을 갖춘 콤 형상으로 패턴 형성되고, 상기 반도체층은 상기 그리드 패턴과 상보적인 콤 형상으로패턴형성되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 도전성 박막nan은티타늄포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기제1, 제2 기판 사이에 채워지는 전해질; 및 상기 제1, 제2 기판 사이에서 상기 전해질을 포위하도록 연장 형성된실링부재더포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 실링 부재는 상기 제1, 제2 기판 사이에서 복수의 광전 셀들을 구획하고, 상기 실링 부재들 사이에는 이웃한 광전 셀들을 상호 전기적으로 연결하는접속부재배치되어있는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 도전성 박막nan은상기접속부재연장되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 접속 부재와 이웃한 일 광전 셀은, 상기 그리드 패턴과 반도체층 사이에 형성된 도전성 박막을 포함하고, 상기 도전성 박막은 상기 접속 부재로 연장되며상기접속부재접촉되는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 실링 부재는,상기 제1 기판 또는 제2 기판 중 어느 일 기판상에 형성된 스페이서; 및 상기 스페이서의 적어도 일부를 둘러싸는 실런트포함하는것을특징으로 하는광전변환소자. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 접속 부재는, 상기 제1, 제2 기판상에 각각 형성된 제1, 제2 도전성 범프; 및 상기 제1, 제2 도전성 범프를 접속시키는연성도전체포함하는것을특징으로 하는광전변환소자.