발광 소자 기판과 그 제조 방법, 면발광 소자, 조명 기구 및 백라이트 document_id 1020110135782

[청구항 1] 투명 전극, 유기 박막층 및 음극이 차례대로 적층된 면발광 소자의 기판으로서 사용되는 발광 소자 기판으로서, 투명한 지지 기판; 및 상기 지지 기판과 상기 투명 전극 사이에 배치되고 상기 지지 기판의 굴절률 이상의 굴절률을 가진 1 또는 2 이상의 층으로 이루어진 고굴절률층 을 포함하고, 상기 고굴절률층은 상기 투명 전극쪽에서 입사된 광을 산란시키는 광산란부와 상기 투명 전극과 접한 평탄면을 가지는 발광 소자 기판 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 고굴절률층을 구성하는 층 중 상기 투명 전극과 인접한 층의 헤이즈값은 5%이하임특징으로 하는발광 소자 기판. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 고굴절률층 안에 존재하는 기포의 직경은, 상기 고굴절률층을 구성하는 층 중 상기 투명 전극과 인접한 층의 두께의 1/10 이하이고, 상기 기포가 상기 투명 전극과 인접한 층안에 차지하는 비율은, 상기 투명 전극과 인접한 층의 수평 단면의 전면적에 대한 상기 기포의 수평 단면의 면적 비율로 0.5%이하 및 상기 투명 전극과 인접한 층의 수직 단면의 전면적에 대한 상기 기포의 수직 단면의 면적 비율이하인발광 소자 기판. [청구항 4] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 지지 기판과 상기 고굴절률층과의 계면요철면인발광 소자 기판. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 고굴절률층의 막두께가 상기 요철면의 평균 표면 조도ra의 30배 이상 40배이하인발광 소자 기판. [청구항 6] 제 4항 또는 제 5항에 있어서,상기 고굴절률층의 막두께가 상기 요철면의 최대 표면 조도rz의 1.3배 이상 20배이하인발광 소자 기판. [청구항 7] 제 4항에 있어서,상기 고굴절률층의 막두께가 3㎛이상이하인발광 소자 기판. [청구항 8] 제 4항에 있어서,상기 요철면의 평균 표면 조도ra가 0.7㎛이상이하인발광 소자 기판. [청구항 9] 제 4항에 있어서,상기 요철면의 요철 형상이 랜덤한 구조형성된발광 소자 기판. [청구항 10] 제 4항에 있어서,상기 요철면의 요철 형상이 균일한 구조형성된발광 소자 기판. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 요철면의 요철 형상이 피라미드 형상 또는 렌즈형상인발광 소자 기판. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 고굴절률층이 1층이루어지는발광 소자 기판. [청구항 13] 제 1항에 있어서,상기 고굴절률층은,상기 지지 기판과 인접하여 광산란부를 가진 광산란층; 및 상기 투명 전극과 인접하여 상기 평탄면을 가진 평탄화층;을 포함한 2 이상의층으로 이루어지는발광 소자 기판. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 광산란층은 유리 재료 및 상기 유리 재료와 다른 굴절률을 가진 산란 물질함유하는발광 소자 기판. [청구항 16] 제 1항에 있어서,상기 고굴절률층은 유리 프릿, 용제와 수지를 포함하는 유리 페이스트 조성물포함하는발광 소자 기판. [청구항 17] 제 16항에 있어서,상기 유리 프릿의 유리 전이 온도는 350℃ 이상이하인발광 소자 기판. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,상기 고굴절률층의 굴절률nd1과 상기 투명 전극의 굴절율 nd2는 부등식만족하는면발광 소자용 기판.