문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상에 배치되며 상기 기판에 수직인 수직 전극
상기 수직 전극에 인접하도록 배치되며 제 1 방향으로 연장되는 복수층의 워드라인들
상기 워드라인과 상기 수직 전극 사이에 개재되는 가변저항막
게이트 전극, 상기 게이트 전극의 일 측에 인접하며 상기 수직 전극과 전기적으로 연결되는 제 1 불순물 주입 영역, 및 상기 게이트 전극의 타 측에 인접하는 제 2 불순물 주입 영역을 포함하는 선택 트랜지스터; 및
상기 제 2 불순물 주입 영역에 전기적으로 연결되며, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 비트라인을 포함하되,
상기 비트라인은 상기 수직 전극과 수평적으로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 가변 저항 메모리 장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 비트라인 사이에 개재되는 제 1 절연막;상기 제 1 및 제 2 불순물 주입 영역이 배치되며 상기 게이트 전극과 상기 비트라인 사이에 배치되는 활성 패턴;상기 활성 패턴과 상기 비트라인 사이에 개재되는 제 2 절연막;상기 활성 패턴과 상기 게이트 전극을 덮는 제 3 절연막; 및 상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택더포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 워드라인들은 상기 제 3 절연막 상에 배치되며,상기 수직 전극은 상기 제 3 절연막을 관통하여 상기 제 1 불순물 주입 영역과 접하는 제 1 서브 수직 전극과 상기 제 3 절연막 상에서 상기 워드라인들에 인접하도록 배치되는제2서브수직전극포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 수직 전극은 상기 제 3 절연막 상에 배치되며 상기 제 1 서브 수직 전극과 상기 제 2 서브 수직 전극 사이에 개재되는 제 1 패드를 더 포함하며, 상기 메모리 장치는,상기 제 3 절연막 상에 배치되며 상기 비트라인 노드 콘택과 수직적으로 중첩되는 제 2 패드; 및상기 제 2 패드 상에 배치되며 이웃하는 워드라인들을 분리하는 매립 절연막을 더 포함하되,상기 제 2 패드 및 상기 매립 절연막은 상기 제 1 방향으로 연장되는라인형태가지는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 5]
제 2 항에 있어서,상기 비트라인 노드 콘택은 연장되어 상기 활성 패턴을 관통하여, 상기 비트라인 노드 콘택의 상부면은상기활성 패턴의상부면과공면이루는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 6]
제 2 항에 있어서,상기 제 2 불순물 주입 영역은 상기 활성 패턴의 하부면까지 연장되며,상기 비트라인 노드 콘택은상기활성 패턴부면과접하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 워드 라인들 중 최하위에 배치되는 워드라인과 상기 기판 사이에 배치되는 제 1 절연막;상기 워드 라인들 중 최상위에 배치되는 워드라인 상에 배치되는 제 2 절연막; 상기 제 2 절연막과 상기 게이트 전극 사이에 배치되며 상기 제 1 및 제 2 불순물 주입 영역이 배치되는 활성 패턴;상기 활성 패턴과 상기 비트라인 사이 그리고 상기 게이트 전극과 상기 비트라인 사이에 개재되는 제 3 절연막; 및 상기 제 3 절연막을 관통하여 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택더포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 수직 전극은 상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 제 1 불순물 주입 영역과 접하는 제 1 서브 수직 전극과 상기 제 1 서브 수직 전극 아래에서 상기 워드라인들에 인접하도록 배치되는제2서브수직전극포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 불순물 주입 영역들은 상기 기판에 배치되며,상기 게이트 전극은 상기 워드라인들 중에 최하위에 배치되는 워드라인 아래에 배치되며,상기 비트라인은 상기 워드라인들 중에 최상위에 배치되는 워드라인 위에 배치되며, 상기 메모리 장치는,상기 게이트 전극과 상기 기판을 덮는 제 1 절연막;상기 제 1 절연막을 관통하여 상기 제 2 불순물 주입 영역과 접하는 제 1 비트라인 노드 콘택; 및상기 제 1 비트라인 노드 콘택 상에서 복수층의 상기 워드라인들을 관통하되 상기 워드라인들로부터 절연된제2비트라인노드콘택더포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 비트라인nan은상기수직전극과수직적중첩되는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 2를 참조할 때, 비트라인 노드 콘택이 제 2 절연막을 관통하여 전기적으로 연결하는 두 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 2를 참조하여, 비트라인 노드 콘택이 제 2 절연막을 관통하여 전기적으로 연결하는 두 구성 요소가 무엇인지 찾아야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 비트라인 노드 콘택의 기능과 연결 대상에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택
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3근거 선택
evidence_selection비트라인 노드 콘택이 연결하는 두 구성 요소인 '제 2 불순물 주입 영역'과 '비트라인'을 근거로 선택한다.
- 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택
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4논리 통합
logical_integration비트라인 노드 콘택이 제 2 절연막을 관통하며, 이 콘택을 통해 제 2 불순물 주입 영역과 비트라인이 전기적으로 연결됨을 확인한다.
- 상기 제 2 절연막을 관통하여 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택
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5결론 도출
conclusion_formulation연결되는 두 구성 요소는 제 2 불순물 주입 영역과 비트라인이다.
- 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인을 전기적으로 연결시키는비트라인노드콘택
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6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 제 2 불순물 주입 영역과 상기 비트라인
최종 답변 (final_answer)
제 2 불순물 주입 영역, 비트라인
핵심 해석 (core_interpretation)
비트라인 노드 콘택을 통해 제 2 절연막을 관통하여 제 2 불순물 주입 영역과 비트라인 사이의 전기적 연결을 형성하는 구조에 관한 것이다.