파장변환층을 갖는 발광 소자 document_id 1020110138520

[청구항 1] 서로 전기적으로 연결된 복수의 반도체 적층 구조체 상기 복수의 반도체 적층 구조체를 덮는 파장변환층 적어도 하나의 반도체 적층 구조체에 전기적으로 접속된 전극; 및 상기 전극 상에 위치하고, 상기 파장변환층을 관통하여 외부에 노출되는 적어도 하나의 추가전극을 포함하는 발광 소자 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 복수의 반도체 적층 구조체는 커넥터를 통해 서로 전기적접속하는발광 소자. [청구항 3] 청구항 2에 있어서,상기 파장변환층은 상기 커넥터덮는발광 소자. [청구항 4] 청구항 1에 있어서,상기 추가전극은상기 발광소자로부터 전류가 출력되는 제1 추가전극; 및상기 발광소자로 전류가 입력되는 제2 추가전극포함하는발광 소자. [청구항 5] 청구항 2에 있어서,상기 커넥터들은 본딩 와이어포함하는발광 소자. [청구항 6] 청구항 1에 있어서,상기 복수의 반도체 적층 구조체 상호간의 공간적인 관계는상기파장변환층에의해유지되는발광 소자. [청구항 7] 청구항 1에 있어서,상기 복수의 반도체 적층 구조체는,제1 파장의 광을 방출하는 제1 반도체 적층 구조체; 및상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 제2 반도체 적층 구조체포함하는발광 소자. [청구항 8] 청구항 7에 있어서,복수의 발광 다이오드 칩을 더 포함하되,각 발광 다이오드 칩은 기판; 및 상기 기판 상에 위치하는 상기 반도체 적층 구조체포함하는발광 소자. [청구항 9] 청구항 8에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩은제1 파장의 광을 방출하는 제1 발광 다이오드 칩; 및상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 제2 발광 다이오드 칩포함하는발광 소자. [청구항 10] 청구항 9에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩은 지지기판 상배열된발광 소자. [청구항 11] 청구항 10에 있어서,상기 지지기판 상에 형성된 본딩 패턴더 포함하는발광 소자. [청구항 12] 청구항 8에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩 중 적어도 하나는 복수의 발광셀갖는발광 소자. [청구항 13] 청구항 1에 있어서,상기 복수의 반도체 적층 구조체 상호간의 공간적인 관계를 유지하는 지지기판더 포함하는발광 소자. [청구항 14] 청구항 1에 있어서,상기 파장변환층과 적어도 하나의 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 스페이서층더 포함하는발광 소자. [청구항 15] 청구항 14에 있어서,상기 스페이서층은 절연층형성된발광 소자. [청구항 16] 청구항 14에 있어서,상기 스페이서층은 분포 브래그 반사기포함하는발광 소자. [청구항 17] 청구항 16에 있어서,상기 스페이서층은 상기 분포 브래그 반사기와 상기 반도체 적층 구조체 사이에 개재된 응력 완화층더 포함하는발광 소자. [청구항 18] 청구항 1에 있어서,상기 추가 전극은 상기 전극에 비해 좁은 폭갖는발광 소자. [청구항 19] 청구항 18에 있어서,상기 추가전극은 상기 전극에서 멀어질수록 폭지는발광 소자. [청구항 20] 청구항 1에 있어서,상기 복수의 반도체 적층 구조체 중 적어도 하나는 복수의 발광셀들로 구성되고, 상기 복수의 발광셀들은 배선들에 의해 서로 전기적연결된발광 소자. [청구항 22] 청구항 21에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩은, 제1 파장의 광을 방출하는 제1 발광 다이오드 칩; 및상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 방출하는 제2 발광 다이오드 칩포함하는발광 소자. [청구항 23] 청구항 21에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 제1 리드 전극과 제2 리드 전극 사이에서 서로 직렬연결된발광 소자. [청구항 24] 청구항 23에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩을 전기적으로 연결하기 위한 본딩 와이어포함하는발광 소자. [청구항 25] 청구항 23에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드 칩은 상기 지지기판 상플립 본딩된발광 소자.