문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상부로 돌출된 수직 채널막들
상기 수직 채널막들을 감싸며 교대로 적층된 층간 절연막들 및 도전막 패턴들
이웃한 상기 수직 채널막들 사이에 위치되며 상기 층간 절연막들 및 상기 도전막 패턴들을 관통하는 슬릿; 및
상기 슬릿 하부의 상기 기판 표면에 형성된 식각 정지막을 포함하는 3차원 불휘발성 메모리 소자
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 식각nan정지막은상기 도전막 패턴과 식각 선택비가 다른 3차원 불휘발성 메모리 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 식각 정지막은 상기 기판을 산화시킨 산화막포함하는3차원 불휘발성 메모리 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 기판 내에 매립되어 한 쌍의 상기 수직 채널막들을 연결하는 파이프 채널막더 포함하는3차원 불휘발성 메모리 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 기판은 상기 파이프 채널막 상에 형성되며 상기 한 쌍의 수직 채널막들에 의해 관통되는캡핑부를포함하는3차원 불휘발성 메모리 소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 도전막 패턴을 감싸는 베리어 메탈막더 포함하는3차원 불휘발성 메모리 소자.
[청구항 14]
제 7 항에 있어서,상기 식각 정지막을 형성하는 단계는상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계포함하는3차원 불휘발성 메모리 소자의 제조방법..
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
3차원 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 중 식각 정지막을 형성하기 위해 수행되는 구체적인 단계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation3차원 불휘발성 메모리 소자의 제조방법 중 식각 정지막을 형성하는 구체적인 단계를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 식각 정지막을 형성하는 단계에 대한 구체적인 설명이 포함되어 있음을 확인한다.
- 상기 식각 정지막을 형성하는 단계는상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계포함하는
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3근거 선택
evidence_selection식각 정지막 형성 단계의 직접적인 근거가 되는 구절을 선택한다.
- 상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계
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4논리 통합
logical_integration식각 정지막은 기판의 산화막이며, 이를 형성하기 위해 슬릿을 통해 노출된 기판 표면을 산화시킨다는 논리를 연결한다.
- 상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 식각 정지막 형성 단계를 정리한다.
- 상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계
최종 답변 (final_answer)
상기 슬릿을 통해 노출된 상기 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 슬릿을 통해 노출된 기판 표면을 산화시켜 산화막 형태의 식각 정지막을 형성하는 제조 공정을 포함한다.