문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 활성 영역(102)은,상기 스위치를 통해 상기 전하 캐리어들의 흐름을 제어하는 상기 도펀트를 이송하기 위한 적어도 하나의 물질을 포함하는 적어도 하나의 일차 활성 영역; 및상기 적어도 하나의 일차 활성 영역에 대해 상기 도펀트의 소스/싱크(source/sink)를 제공하기 위한 적어도 하나의 물질을 포함하는 이차 활성 영역더 포함하는전자 스위치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 일차 활성 영역은 전자적으로 반도체성이거나, 공칭상 전자적으로 절연성이거나, 또는 약한 이온 전도성인 물질더 포함하는전자 스위치.
[청구항 4]
제2항에 있어서,적어도 하나의 일차 활성 영역은 상기 적어도 하나의 일차 활성 영역 내외로 드리프트를 통해 주입되는 도펀트들의 함수로서 상대적으로 낮은 전도도에서 상대적으로 높은 전도도로 반대로 변화될 수 있는 전기 전도도를 갖는 막더 포함하는스위치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 이차 활성 영역의 적어도 하나의 도펀트는 상기 적어도 하나의 일차 활성 영역의 전기 전도도를 상대적으로 낮은 전기 전도도에서 상대적으로 높은 전기 전도도로 또는 상대적으로 높은 전기 전도도에서 상대적으로 낮은전기전도도변화시키도록선택되는전자 스위치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 도펀트는 이온화된 극간(ionized interstitial) 또는 대체형 불순물 원자들, 양이온 도너 종(cation donor species), 음이온 공극(anion vacancies), 및 음이온 엑셉터 종으로 이루어진 그룹선택되는전자 스위치.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 도펀트는 수소, 알칼리 및 알칼리 토금속 양이온(alkaline earth cations), 전이 금속 양이온(transition metal cations), 희토류금속 양이온(rare earth cations), 산소 음이온 또는 공극, 칼코게나이드 음이온(chalcogenide anions) 또는 공극, 질소 음이온 또는 공극, 닉타이드(pnictide) 음이온 또는 공극, 또는 할로겐화물 음이온 또는 공극으로 이루어진 그룹선택되는전자 스위치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 일차 활성 영역에 대한 적어도 하나의 물질 및 상기 이차 활성 영역에 대한 물질은,(1) 전이 금속, 희토류 금속 및 알칼리 토금속의 산화물, 황화물, 셀렌화물(selenides), 질화물, 인화물, 비소화물, 및 브롬화물(bromides); (2) 리스트(1)로부터의 유사 화합물들 서로와의 합금; 및(3) 적어도 두 개의 상이한 금속 원자가 적어도 하나의 음전기 원소(electronegative element)와 혼합된 혼합 화합물로 이루어진 그룹선택되는전자 스위치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 일차 활성 영역에 대한 적어도 하나의 물질 및 상기 이차 활성 영역에 대한 물질은,티타네이트(titanates), 지르코네이트(zirconates), 하프네이트(hafnates), 이들 3개의 산화물들이 쌍으로 또는 3개 모두가 함께 존재하는 합금, 및 abo3 형태의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되며, 여기서 a는 적어도 하나의 2가 원소(divalent element)를 나타내며 b는 티타늄, 지르코늄, 및 하프늄 중 적어도 하나나타내는전자 스위치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 일차 활성 영역에 대한 적어도 하나의 물질 및 상기 이차 활성 영역에 대한 물질은,tio2/tio2-x;zro2/zro2-x; hfo2/hfo2-x; srtio2/srtio2-x;gan/gan1-x;cucl/cucl1-x; 및gan/gan:s의 리스트선택되는전자 스위치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,전극들은 금속이거나, 금속 화합물이거나, 또는 상기 전극들 중 한 전극은 금속이고 상기 전극들 중 다른 전극반도체인전자 스위치.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 활성 영역 내에서 상기 도펀트를 위치시키는 것은 상기 도펀트를 활성층의 특정 영역들 내로 또는 상기 특정 영역들로부터 멀리 드리프트시키는 적절한크기및극성의전압인가하는것을더 포함하는전자 스위치.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는전자 스위치.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 제1 층(505, 506) 내의 임의의 두개의 나노와이어는 제1항에 따라 구성된 전자 스위치를 형성하고, 상기 제2 층(510, 511) 내의 임의의 두개의 나노와이어는 제1항에 따라 구성된 전자 스위치형성하는나노와이어 크로스바.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 스위치의 활성 영역 내에서 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시켰을 때와 계면으로부터 멀리 위치시켰을 때, 각각의 계면은 어떤 형태로 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation도펀트의 위치(계면에 가까운 경우와 먼 경우)에 따라 전극/활성 영역 계면이 형성되는 형태를 찾는 질문이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 도펀트의 위치와 계면의 형태 사이의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 청구항 13의 구절을 선택한다.
- 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는
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4논리 통합
logical_integration도펀트가 계면에 가까우면 오믹형, 계면에서 멀면 쇼트키형이 된다는 인과 관계를 정리한다.
- 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문의 두 가지 조건에 대한 결과를 각각 도출한다.
- 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
- 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고 상기 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형되는
최종 답변 (final_answer)
도펀트를 전극/활성 영역 계면에 가까이 위치시키면 상기 계면이 오믹형(ohmic-like)으로 되고, 도펀트를 전극/활성 영역 계면으로부터 멀리 위치시키면 상기 계면이 쇼트키형이 된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
도펀트의 위치를 전극/활성 영역 계면과의 거리에 따라 조절함으로써 계면의 특성을 오믹형 또는 쇼트키형으로 제어할 수 있다.