전기를 생성시키기 위한 소자 및 방법 document_id 1020117005453

[청구항 5] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 중 하나는 가스 분자를 하전시키고, 다른 표면은 하전된가스분자중화시키는것을특징으로 하는소자. [청구항 6] 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 모두는 가스 분자를 하전시키고, 한쪽은 가스 분자를 양으로 하전시키고, 다른 쪽은가스분자를음하전시키는것을특징으로 하는소자. [청구항 7] 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면은 양전하 전달능을 가지며, 상기 제2 표면은음전하전달능갖는것을특징으로 하는소자. [청구항 9] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 중 1 이상nan은전기전도성기재표면인것을특징으로 하는소자. [청구항 10] 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 중 1 이상은 10-9 s/m 미만의 전기 전도도를 갖는기재표면인것을특징으로 하는소자. [청구항 12] 제11항에 있어서,인접 전지 소자의 상기 쌍은 직렬 및 평행 배열로 배열되어 있어서, 전원 소자의 전류가 임의의 단일 전지보다 크고 전원 소자의 전압이 임의의 하나의 전지 소자보다 큰 것특징으로 하는전원 소자. [청구항 14] 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전도체는 2개의 면을 갖는 전기 전도성 기재이며, 이 중 한 면은 하나의 전지 소자의 표면을 구성하고, 반대 면은인접전지소자의표면구성하는것을특징으로 하는소자. [청구항 15] 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전도체는 상기 기재의 제1 면과 상기 기재의 제2 면 사이의 전기 전도를 보장하기 위해 전도성 재료로 코팅된 기재이며;상기 코팅된 기재는 2개의 면을 가지며, 이 중 한 면은 하나의 전지 소자의 표면을 구성하고, 반대 면은인접전지소자의표면구성하는것을특징으로 하는소자. [청구항 16] 제11항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,전지의 표면은 규칙적인 또는 불규칙한 방식으로 서로 중첩되어, 단일 기재의 표면이 2 이상의 전지에 의해부분적공유되는것을특징으로 하는소자. [청구항 17] 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 매체의 누출을 방지하기 위한 밀봉된 인클로져더포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 밀봉된 인클로져 내 압력은 대기압보다 높은 것특징으로 하는소자. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 밀봉된 인클로져 내 상기 압력은 대기압보다 낮은 것특징으로 하는소자. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기 밀봉된 인클로져 내 상기 압력은 1.1 기압보다 높은 것특징으로 하는소자. [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 밀봉된 인클로져 내 상기 압력은 2 기압보다 높은 것특징으로 하는소자. [청구항 22] 제2항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서,외부인가 전압의 부재 하에 상기 전하 전달에 의해 상기 표면 사이에임의의전압발생하는것을특징으로 하는소자. [청구항 23] 제1항 및 제3항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극nan은미만인것을특징으로 하는소자. [청구항 24] 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극nan은미만인것을특징으로 하는소자. [청구항 25] 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극nan은미만인것을특징으로 하는소자. [청구항 26] 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극nan은미만인것을특징으로 하는소자. [청구항 27] 제1항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극nan은미만인것을특징으로 하는소자. [청구항 28] 제1항, 제2항, 제4항 내지 제7항 및 제9항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 제2 표면nan은이내인것을특징으로 하는소자. [청구항 29] 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면nan은이내인것을특징으로 하는소자. [청구항 30] 제1항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면nan은이내인것을특징으로 하는소자. [청구항 31] 제1항 내지 3항 및 제4항 내지 제 30항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면은 200℃미만온도에있는것을특징으로 하는소자. [청구항 32] 제1항 내지 제31항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면은 100℃미만온도에있는것을특징으로 하는소자. [청구항 33] 제1항 내지 제32항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면은 50℃미만온도에있는것을특징으로 하는소자. [청구항 34] 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 제2 표면은 실질적으로 평활하고, 스페이서에 의해이격되어있는것을특징으로 하는소자. [청구항 35] 제1항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서,상기 간극은 상기 표면 중 1 이상으로부터 외부로 돌출된 조도 특징부(roughness feature)에 의해유지되는것을특징으로 하는소자. [청구항 36] 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면 중 1 이상은 금속, 반금속, 합금, 고유 또는 도핑, 무기 또는 유기 반도체, 유전 재료, 층상 재료, 고유 또는 도핑 중합체, 전도성 중합체, 세라믹, 산화물, 금속 산화물, 염, 크라운 에테르, 유기 분자, 4급 암모늄 화합물, 서멧(cermet), 유리 및 규산염 화합물로 구성된 군에서 선택되는1이상의자기또는비자기물질포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 37] 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면은 각각 독립적으로 알루미늄, 카드뮴, 크롬, 코발트, 구리, 가돌리늄, 금, 흑연, 그래핀, 하프늄, 철, 납, 마그네슘, 망간, 몰리브덴, 팔라듐, 백금, 니켈, 은, 탄탈, 주석, 티탄, 텅스텐, 아연; 안티몬, 비소, 비스무트; 흑연 산화물, 산화규소, 산화알루미늄, 이산화망간, 산화망간니켈, 이산화텅스텐, 삼산화텅스텐, 산화인듐주석, 산화칼슘, 산화이트륨, 산화지르코늄, 산화란탄, 산화스트론튬, 이트륨 칼슘 바륨 구리 산화물; 황동, 청동, 두랄루민, 인바(invar), 강철, 스테인레스강; 황화바륨, 황화칼슘; 고유 또는 도핑 실리콘 웨이퍼, 게르마늄, 규소, 비화알루미늄갈륨, 비화카드뮴, 비화갈륨망간, 텔루르화아연, 인화인듐, 비화갈륨 및 폴리아세틸렌; macor?, 질화알루미늄, 질화붕소, 질화티탄, 육붕화란탄; 탄화하프늄, 탄화티탄, 탄화지르코늄, 탄화텅스텐; 티탄산바륨, 불화칼슘, 칼슘 염, 희토류 염, 지르코늄 염, 망간 염, 납 염, 코발트 염, 아연 염; 규화크롬, cr3si-sio2, cr3c2-ni, tin-mo; 유리 및 플로고파이트 운모(phlogopite mica), 니그로신, 나트륨 페트로네이트(petronate), 폴리에틸렌 이민, 검 말라가(gum malaga), oloa 1200, 레시틴, 고유 및 도핑 니트로셀룰로오스계 중합체, 염화폴리비닐계 중합체 및 아크릴 수지로 구성된 군에서 선택되는1이상의자기또는비자기물질포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 38] 제1항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표면은 알루미늄, 크롬, 가돌리늄, 금, 마그네슘, 몰리브덴, 스테인레스강, 실리카, 이산화망간, 산화망간니켈, 삼산화텅스텐, 환원된 흑연 산화물, 흑연, 그래핀, 규화크롬 실리카, 불화세슘, hopg, 탄산칼슘, 염소산마그네슘, 유리, 플로고파이트 운모, 질화알루미늄, 질화붕소, 유리 세라믹, 도핑 니트로셀룰로오스, 붕소 도핑 실리콘 웨이퍼 및 인 도핑 실리콘 웨이퍼로 구성된 군에서 독립적으로 선택되는1이상의물질포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 39] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면 각각은 그래핀 기재에 의해지지되는것을특징으로 하는소자. [청구항 40] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면 각각은 흑연 기재에 의해지지되는것을특징으로 하는소자. [청구항 41] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면 각각은 개질된흑연또는그래핀기재인것을특징으로 하는소자. [청구항 42] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면 및 상기 제2 표면 중 하나는 개질된 흑연 또는 그래핀 기재이고, 나머지는 비개질된흑연또는그래핀기재인것을특징으로 하는소자. [청구항 43] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 표면은 금, 마그네슘, 불화세슘, hopg, 탄산칼슘, 알루미늄, 크롬, 가돌리늄, 몰리브덴, 스테인레스강, 실리카, 플로고파이트 운모, 이산화망간, 산화망간니켈, 삼산화텅스텐, 환원된 흑연 산화물, 흑연, 그래핀, 규화크롬 실리카, 붕소 도핑 실리콘 웨이퍼, 인 도핑 실리콘 웨이퍼 및 질화붕소로 구성된 군에서 선택되는1이상의물질포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 44] 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 표면은 금, 염소산마그네슘, 알루미늄, 유리 세라믹, 도핑 니트로셀룰로오스, 유리, 실리카, 질화알루미늄 및 인 도핑 실리콘 웨이퍼로 구성된 군에서 선택되는1이상의물질포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 45] 제1항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 매체는 할로겐, 질소, 황, 산소, 수소 함유 가스, 불활성 가스, 알칼리 가스 및 희가스로 구성된 군에서 선택되는1이상의요소포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 46] 제1항 내지 제45항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 매체는 at2, br2, cl2, f2, i2, wf6, pf5, sef6, tef6, cf4, asf5, bf3, ch3f, c5f8, c4f8, c3f8, c3f6o, c3f6, gef4, c2f6, cf3cocl, c2hf5, sif4, h2fc-cf3, chf3, chf3, ar, he, kr, ne, rn, xe, n2, nf3, nh3, no, no2, n2o, sf6, sf4, so2f2, o2, co, co2, h2, 중수소, i-c4h10, ch4, cs, li, na, k, cr, rb 및 yb로 구성된 군에서 선택되는1이상의가스포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 47] 제1항 내지 제46항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 매체는 육불화황, 아르곤, 헬륨, 크립톤, 네온, 크세논, 질소, 메탄, 사불화탄소, 옥타플루오로프로판(octafluoropropane), 수증기 및 공기로 구성된 군에서 선택되는1이상의가스포함하는것을특징으로 하는소자. [청구항 48] 제1항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스 매체는소자의작동동안소비되지않는것을특징으로 하는소자. [청구항 67] 제66항에 있어서,상기 1 이상의 전지 소자는복수의전지소자인것을특징으로 하는방법.