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고 종횡비 피쳐들을 식각하기에 적합한 식각 반응기 document_id 1020117009253

출원번호
1020117009253
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 동작들은:35퍼센트 내지 95퍼센트 듀티 사이클(duty cycle)에서 상기 rf 바이어스 전력을 펄싱하는 것더 포함하는,처리 챔버. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기rf 전력 소스와 상기 기판 지지 조립체 사이에 배치되는 적어도 하나의 필터더 포함하는,처리 챔버. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 기판 지지 조립체에 결합되는 제 3 rf 전력 소스더 포함하는,처리 챔버. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 동작들은:상기 샤워헤드 조립체 내에서 형성되는 각각의 상기 격리된 구획들로부터 상이한 유량(flow rate)으로처리가스들제공하는것을더 포함하는,처리 챔버. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기rf 전력 소스들은 1mhz 초과의 주파수에서전력생성하도록구성되는,처리 챔버. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 전력 소스는 50mhz 초과의 주파수에서전력생성하도록구성되는,처리 챔버. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 바이어스 전력 소스는 100mhz의 주파수에서전력생성하도록구성되는,처리 챔버. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 챔버 바디의 외부의 둘레에 배치되는 복수의 자기 코일들더 포함하는,처리 챔버. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 전문 증기 소스는 ticl4 가스포함하는,처리 챔버. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 챔버 바디에 결합되는 hbr, nf3, ar, o2 및 sicl4의 소스들더 포함하는,처리 챔버. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 동작들은식각 중에 nf3 가스를 공급함으로써 상기 실리콘층 내에서 형성되는 상기 피쳐들의 측벽(sidewall)으로부터 패시베이션물질제거하는것을더 포함하는,처리 챔버. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 동작들은35퍼센트 내지 95 퍼센트 듀티 사이클에서 상기 rf 바이어스 전력을 펄싱하는 것더 포함하는,처리 챔버. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 전문 증기 소스는 ticl4 가스포함하는,처리 챔버.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
식각 과정 중 NF3 가스를 공급하는 동작은 실리콘층 내 피쳐의 어느 부분에서 패시베이션 물질을 제거하기 위해 수행되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    식각 과정 중 NF3 가스 공급의 목적이 실리콘층 내 피쳐의 어느 부분에서 패시베이션 물질을 제거하기 위함인지 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 12에서 NF3 가스 공급과 관련된 동작 및 그 목적에 대한 정보를 추출한다.

    • 식각 중에 nf3 가스를 공급함으로써 상기 실리콘층 내에서 형성되는 상기 피쳐들의 측벽(sidewall)으로부터 패시베이션물질제거하는것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에 직접적으로 대응하는 'NF3 가스 공급', '패시베이션 물질 제거', '피쳐의 특정 부분'이 포함된 구절을 선택한다.

    • nf3 가스를 공급함으로써 상기 실리콘층 내에서 형성되는 상기 피쳐들의 측벽(sidewall)으로부터 패시베이션물질제거
  4. 4논리 통합logical_integration

    NF3 가스를 공급하는 동작은 피쳐의 측벽(sidewall)에 형성된 패시베이션 물질을 제거하기 위한 것임을 논리적으로 연결한다.

    • nf3 가스를 공급함으로써 상기 실리콘층 내에서 형성되는 상기 피쳐들의 측벽(sidewall)으로부터 패시베이션물질제거
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에서 요구하는 대상인 '피쳐의 어느 부분'에 대한 답은 '측벽(sidewall)'이다.

    • 상기 피쳐들의 측벽(sidewall)
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 측벽(sidewall)
최종 답변 (final_answer)
측벽(sidewall)
핵심 해석 (core_interpretation)
식각 공정 중 NF3 가스를 사용하여 실리콘층 피쳐의 측벽에 형성된 패시베이션 물질을 제거하는 기술적 수단을 정의함.