반도체 웨이퍼 공정을 위한 음향 보조 단일 웨이퍼 습식 세정 document_id 1020117010010

[청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 트랜스듀서는 상기 제 1 외부 탱크의 베이스에 제공되고, 상기 트랜스듀서로부터의 상기 음향 에너지는 상기 제 1 외부 탱크 내의 상기 제 1 액상 매체를 통해 상기 제 2 내부 탱크 내의 상기 침지된 기판 및 상기 제 2 액상 매체전달되는,기판 세정 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 트랜스듀서는 적어도 제 1 및 제 2 트랜스듀서로 이루어지며, 상기 제 1 및 제 2 트랜스듀서들은 상기 제 1 외부 탱크의 베이스에 제공되어 상기 제 1 외부 탱크 내의 상기 제 1 액상 매체를 통해 상기 제 2 내부 탱크 내의 상기 제 2 액상 매체 및 상기 기판으로 음향 에너지생성하는,기판 세정 장치. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 제 2 액상 매체 및 상기 기판으로 인도되는 음향 에너지의 양을 제어하도록 상기 제 1 및 제 2 액상 매체를 선택하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 액상 매체 및 상기 기판으로 인도되는 음향 에너지의 양은 상기 기판 및 상기 제 1 및 제 2 액상 매체와 연관되는 본질적 특성들기초하는,기판 세정 장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 제 2 액상 매체는 상기 제 2 액상 매체의 화학 구조가 상기 반도체 기판의 표면으로부터 분리된 입자 오염물들과 적어도 부분적인연결또는상호작용가능하게선택되는,기판 세정 장치. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 제 2 내부 탱크는 깨끗하고 신선한 제 2 액상 매체를 상기 제 2 내부 탱크 내로 보충하기 위한 유입구와 상기 제 2 내부 탱크로부터 오염된 입자들과 함께 상기 제 2 액상 매체를 제거하기 위한 유출구를 포함하며, 상기 제 1 외부 탱크는 세정 공정 중에 상기 제 2 내부 탱크로부터의 상기 오염된 입자들을 갖는 상기 제 2 액상 매체수령하는,기판 세정 장치. [청구항 17] 제 11 항에 있어서,상기 캐리어 메커니즘은 세정 공정 중에 상기 제 2 내부 탱크 내에 복수의 기판들을 지지 및 침지시키는 위치들을 포함하도록 구성되며, 상기 제 2 내부 탱크 내에 침지된 상기 복수의 기판들 각각에 음향 에너지를 인가하도록 단일 또는 복수 중 하나의 트랜스듀서들이용되는,기판 세정 장치. [청구항 18] 제 11 항에 있어서,상기 기판 및 상기 액상 매체에 인가되는 결합된 음향 에너지가 약 10 khz 내지 약 10 mhz 사이의 주파수들갖는,기판 세정 장치. [청구항 19] 제 11 항에 있어서,상기 기판 및 상기 액상 매체에 인가되는 결합된 음향 에너지의 주파수는 상기 액상 매체의 완화시간의 역수 (reciprocal time of relaxation) 에 기초하여정해지는,기판 세정 장치. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 디스펜스 헤드 어셈블리와 상기 린스 헤드 어셈블리는 선형 근접 헤드들인,기판 세정 장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 린스 헤드 어셈블리 내의 상기 트랜스듀서의 기하학적 형상(geometry) 은 상기 린스 헤드 어셈블리의 기하학적 형상선택되는,기판 세정 장치. [청구항 23] 제 20 항에 있어서,제 2 린스 헤드 어셈블리를 더 포함하며, 상기 제 2 린스 헤드 어셈블리는 상기 기판의 표면에 린스 화학약품을 공급하는 적어도 하나의 유입 도관, 상기 기판의 표면으로부터 상기 린스 화학약품과 액상 매체를 제거하는 적어도 하나의 유출 도관, 및 적어도 하나의 트랜스듀서를 구비하고, 상기 제 2 린스 헤드 어셈블리 내의 상기 트랜스듀서는 상기 제 2 린스 헤드 어셈블리의 기하학적 형상에 맞는 기하학적 형상을 가지고, 상기 기판의 표면에 대향하는 상기 제 2 린스 헤드 어셈블리의 표면 근처에 위치되며,상기 제 2 린스 헤드 어셈블리 내의 상기 트랜스듀서는 상기 린스 화학약품을 통해 상기 기판 및 상기 액상 매체의 메니스커스에 음향 에너지를 공급하도록 구성되고, 상기 린스 화학약품에 인가되는 상기 음향 에너지의 양은 상기 액상 매체 내에 도입되는 음파에 최대의 음파 변위차를 제공하고 상기 액상 매체 내에캐비테이션방지하도록선택되는,기판 세정 장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 제 2 린스 헤드 어셈블리는, 상기 기판의 후면을 통해 상기 기판과 상기 액상 매체에 상기 음향 에너지를 제공하도록, 상기 기판의 후면에 대해 근접하게 위치하며, 상기 제 2 린스 헤드 어셈블리 내의 상기 트랜스듀서는 상기 기판의 표면의 하측에 대해 근위부에 있는 상기 린스 헤드 어셈블리의 표면 근처위치하는,기판 세정 장치. [청구항 25] 제 20 항에 있어서,상기 액상 매체는 그 화학 구조가 상기 분리된 입자 오염물들과 적어도 부분적인 연결 또는 상호작용을 가능하게 하도록 선택되며,상기 액상 매체는 부분 가수분해된 폴리아크릴아미드인,기판 세정 장치. [청구항 26] 제 20 항에 있어서,상기 기판의 표면 및 상기 액상 매체에 인가되는 결합된 음향 에너지가 약 10 khz 내지 약 10 mhz 사이의 주파수갖는,기판 세정 장치. [청구항 28] 제 27 항에 있어서,상기 트랜스듀서는 상기 캐리어 메커니즘 내에 제공되며, 상기 트랜스듀서는 전원에 연결되고 상기 전원을 통해 공급된 전력으로부터음향에너지생성하도록구성되는,기판 세정 장치. [청구항 29] 제 27 항에 있어서,상기 트랜스듀서는, 상기 트랜스듀서를 상기 기판 표면에 대해 근접하게 위치시키는 것이 가능하도록 상기 트랜스듀서를 상하좌우로 이동시키도록 구성된 가동형 암 메커니즘 상장착되는,기판 세정 장치. [청구항 30] 제 27 항에 있어서,상기 린스 메커니즘은, 상기 린스 메커니즘을 상기 기판 표면에 대해 근접하게 위치시키는 것이 가능하도록 상기 린스 메커니즘을 상하좌우로 이동시키도록 구성된 가동형 암 메커니즘 상에 장착되며, 상기 린스 메커니즘의 상기 이동은린스제어메커니즘사용하여제어되는,기판 세정 장치. [청구항 31] 제 27 항에 있어서,상기 캐리어 메커니즘이 상하 및 회전축을 따라 이동할 수 있도록 상기 캐리어 메커니즘에 연결되는 모터 메커니즘더 포함하는,기판 세정 장치. [청구항 32] 제 27 항에 있어서,상기 린스 화학약품을 공급하고, 세정 및 린스 작업들 후 상기 기판의 표면에서 제거되는 상기 액상 매체 및 상기 린스 화학약품을 수집하는 개별 용기들을 더 포함하되,상기 용기는 세정 공정 중에 상기 용기로부터 상기 액상 매체를 제거하는 개별 유출 도관들포함하는,기판 세정 장치.