문맥 (context)
[청구항 1]
linbo 3 또는 litao 3 로 이루어지고 상면에 오목부가 형성된 압전기판과,
상기 오목부에 충전된 전극재료로 이루어지는 idt 전극을 포함하는 탄성 표면파 공진자와,
상기 탄성 표면파 공진자에 접속된 가변 콘덴서를 포함하고,
상기 탄성 표면파 공진자가, 상기 압전기판의 상면을 덮도록 마련된 sio 2 막을 더 포함하며,
상기 idt 전극이 복수개의 전극지를 가지며, 적어도 전극지가 위치해 있는 부분의 위쪽에 있어서, sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 튜너블 필터
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 압전기판이오일러각3기판으로이루어지는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기idt 전극이 au, pt, cu 및 al 그리고 이들을 주체로 하는 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는전극층주체로하는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기idt 전극이 복수개의 전극지를 가지며 상기 전극지의 위쪽에 있어서 상기 sio2막의 표면이평탄화되어있는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 7]
제1항, 제3항, 제4항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 압전기판에 채워넣어진 전극의 듀티가 0.5보다 큰 것특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 압전기판이오일러각3기판으로이루어지는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기idt 전극이 au, pt, cu, w, ta, ag, mo, ni 및 al 그리고 이들을 주체로 하는 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는전극층주체로하는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기idt 전극이 복수개의 전극지를 가지며, sio2막의표면평탄한것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기idt 전극이 복수개의 전극지를 가지며, 적어도 전극지가 위치해 있는 부분의 위쪽에 있어서, sio2막의 표면에 전극지의 두께와 같은높이의볼록부가형성되어있는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 14]
제12항 또는 제13항에 있어서,전극의 주체가 되는 금속과, 전극막두께와 듀티와의 관계가 하기의 표 3에서 나타내는 관계로 되어 있고, 전극막두께 상한이 하기의 표 3에 나타내는 각값있는것을특징으로 하는튜너블 필터. [표 3]
[청구항 16]
제15항에 있어서,전극의 주체가 되는 금속과, 전극막두께 상한과 듀티와의 관계가 하기의 표 5에서 나타내는 대로이고, 전극막두께 하한이 하기의 표 5에 나타내는값있는것을특징으로 하는튜너블 필터. [표 5]
[청구항 17]
오일러각 (0°, 80°∼130°, 0°)의 linbo 3 로 이루어지고 상면에 오목부가 형성된 압전기판과,
au, pt, w, ta, ag, cu, mo, 및 ni로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종을 주체로 하는 금속재료가 상기 오목부에 채워넣어진 idt 전극을 가지고 있으며, 탄성 표면파의 파장을 λ라고 했을 경우, au, pt, w 또는 ta가 주체가 되는 전극두께(h/λ)가 0.006 이하, ag가 주체가 되는 전극두께(h/λ)가 0.01 이하, cu, mo 또는 ni가 주체가 되는 전극두께(h/λ)가 0.013 이하로 구성된 탄성 표면파 공진자와,
상기 탄성 표면파 공진자에 접속된 가변 콘덴서를 포함하는 것을 특징으로 하는 튜너블 필터
[청구항 18]
제1항, 제3항, 제4항, 제6항, 제12항, 제13항, 제15항 또는 제17항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄성 표면파 공진자로서 복수의 탄성 표면파 공진자를 가지며, 상기 복수의 탄성 표면파 공진자가 입력단자와 출력단자 사이에서 직렬로 접속되어 있고, 상기 가변 콘덴서로서 제1, 제2 가변 콘덴서를 가지며, 제1 가변 콘덴서가 상기 복수의 탄성 표면파 공진자 중 적어도 1개의 탄성 표면파 공진자에 직렬로 접속되어 있고, 상기 제2 가변 콘덴서가 상기 복수의 탄성 표면파 공진자 중 적어도 1개의 탄성 표면파 공진자에 병렬로 접속되어 있으며,복수의 탄성 표면파 공진자의 접속점과 그라운드 사이에 접속된 인덕턴스와,입력단자와 그라운드 사이 및 출력단자와 그라운드 사이에 접속된정합콘덴서더포함하는것을특징으로 하는튜너블 필터.
[청구항 19]
제18항에 있어서,정합 콘덴서 및 인덕턴스의 임피던스가 20∼100ω인것을특징으로 하는튜너블 필터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
튜너블 필터의 탄성 표면파 공진자 구성 요소 중, idt 전극이 위치한 부분의 SiO2 막 표면에 형성되는 구조적 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 튜너블 필터의 탄성 표면파 공진자 구성 요소 중, idt 전극이 위치한 부분의 SiO2 막 표면에 형성되는 구조적 특징을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 idt 전극의 위치와 SiO2 막 표면의 구조적 특징에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 idt 전극이 복수개의 전극지를 가지며, 적어도 전극지가 위치해 있는 부분의 위쪽에 있어서, sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 'idt 전극이 위치한 부분의 SiO2 막 표면 구조'를 직접적으로 설명하는 구절을 선택한다.
- sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
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4논리 통합
logical_integrationidt 전극의 전극지가 위치한 영역의 상부에 SiO2 막 표면이 전극지의 두께와 동일한 높이의 볼록부 형태로 형성되어 있음을 확인한다.
- sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 정보를 바탕으로 SiO2 막 표면에 형성되는 구조적 특징은 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부임을 도출한다.
- sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변을 추출된 문구 그대로 작성한다.
- sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
최종 답변 (final_answer)
sio 2 막의 표면에 전극지의 두께와 같은 높이의 볼록부가 형성되어 있는 것
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 idt 전극의 전극지 위치에 대응하여 SiO2 막 표면에 전극지 두께와 동일한 높이의 볼록부를 형성함으로써 튜너블 필터의 구조적 특징을 정의한다.