후면 조명된 이미지 센서들 document_id 1020117011521

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전층은 ito층, zo층, sno층 및 zto층으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 층을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 ito층을 포함하며, 상기 ito층은 co, ti, w, mo 및 cr로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 zo층을 포함하며, 상기 zo층은 mg, zr, 및 li으로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전층은 10 nm 내지 500 nm의 두께를 갖도록 형성되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전층은 폴리실리콘층, 귀금속층, 또는 둘 모두를 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 1 nm 내지 40 nm의 두께를 갖는 폴리실리콘층을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 귀금속층을 포함하며, 상기 귀금속층은 au 또는 pt를 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 0.1 nm 내지 1 nm의 두께를 갖는 귀금속층을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은 다중층 구조물을 포함하며, 상기 다중층 구조물은 상이한 굴절률들을 갖는 물질들로부터 형성되는 층들을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 후면 패시베이션층은 상기 제1 기판보다 낮은 굴절률을 갖는 층을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 제1 기판은 p-타입 도전성 물질을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 정렬 키는 도전성 금속을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 전면 패시베이션층에 결합되는 제2 기판을 더 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 각각은 벌크 기판, 에피택셜 기판, 또는 실리콘-온-절연체(soi: silicon-on-insulator) 기판을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 정렬 키에 음의 전압 (-)을 제공하도록 구성되는 전압 공급장치를 더 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 정렬 키에 양의 전압 (+)을 제공하도록 구성되는 전압 공급장치를 더 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 도전성 정렬 키는 상기 수광 엘리먼트로부터 측방으로 이동된 위치에 상기 기판을 통해 연장되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 상호접속층은 패터닝된 금속층들 및 패터닝된 절연층들의 적층된 구성을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 도전성 패드는 상기 상호접속층의 맨 뒤의 패터닝된 금속층에 배치되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 기판의 후면과 상기 투과성 도전성층 사이에 배치되는 패시베이션층을 더 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 ito층을 포함하며, 상기 ito층은 co, ti, w, mo 및 cr로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 24] 제18항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 zo층을 포함하며, 상기 zo층은 mg, zr 및 li로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 도전성 정렬 키는 상기 수광 엘리먼트로부터 측방으로 이동된 위치에 상기 기판을 통해 연장되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 상호접속층은 패터닝된 금속층들 및 패터닝된 절연층들의 적층된 구성물을 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 도전성 패드는 상기 상호접속층의 맨 뒤의 패터닝된 금속층에 배치되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 29] 제25항에 있어서,상기 기판의 후면과 상기 투과성 도전성층 사이에 배치되는 패시베이션층을 더 포함하는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 30] 제25항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 ito층을 포함하며, 상기 ito층은 co, ti, w, mo 및 cr로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서. [청구항 31] 제25항에 있어서,상기 투과성 도전성층은 zo층을 포함하며, 상기 zo층은 mg, zr 및 li로 구성되는 불순물들의 그룹으로부터 선택되는 불순물로 도핑되는, 후면조명된이미지 센서.