문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 합금은 수소화된 실리콘-게르마늄 합금인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 디펙트 밀도가 8 × 1015 cm-3 미만인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 디펙트 밀도가 약 7 × 1015 cm-3 인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 합금의 수소 함량이 15% 미만인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 합금이 p-i-n 형의 광전 셀의 i 층을 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 15% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 합금이 삼중 정션 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 합금이 탠뎀 정션 구조의 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 15% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 반도체 재료의 적어도 일부가 마이크로보이드(microvoid)에 의해 분리된 복수의 기둥(column) 형태를 가진 마이크로 구조를 가지는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 합금은 수소화된 실리콘-게르마늄 합금인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 합금이 삼중 정션 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 14]
제11항에 있어서,상기 합금이 탠뎀 정션 구조의 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 15% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 15]
제11항에 있어서,상기 디펙트 밀도가 8 × 1015 cm-3 미만인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 16]
제11항에 있어서,상기 디펙트 밀도가 약 7 × 1015 cm-3 인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 17]
제11항에 있어서,상기 합금의 수소 함량이 15% 미만인, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
[청구항 18]
제11항에 있어서,상기 반도체 재료의 적어도 일부가 마이크로보이드에 의해 분리된 복수의 기둥 형태를 가진 마이크로 구조를 가지는, 수소화된실리콘계 반도체 합금.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
수소화된실리콘계 반도체 합금이 삼중 정션 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함할 때, 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출되는 조건 하에서 나타내는 광-유도성 분해의 기준은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation수소화된실리콘계 반도체 합금이 삼중 정션 광전 셀의 i 층을 포함할 때, 특정 조건(50℃, a.m. 1.5 일루미네이션, 1,000시간)에서의 광-유도성 분해 기준을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7과 청구항 13에서 삼중 정션 광전 셀의 i 층을 포함하는 경우에 대한 조건을 확인한다.
- 상기 합금이 삼중 정션 광전 셀의 i 층들 중 하나를 포함하는 경우, 상기 셀은 50℃에서 a.m. 1.5 일루미네이션에 1,000 시간 동안 노출될 때 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해를 나타내는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 제시한 조건과 일치하는 '개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해' 구절을 선택한다.
- 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해
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4논리 통합
logical_integration삼중 정션 광전 셀의 i 층을 포함하는 합금의 경우, 주어진 노출 조건 하에서 광-유도성 분해가 10% 미만이어야 한다는 기술적 한정 사항을 도출한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation광-유도성 분해의 기준은 개방 회로 조건 하에서 10% 미만이다.
- 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해
최종 답변 (final_answer)
개방 회로 조건 하에서 10% 미만의 광-유도성 분해
핵심 해석 (core_interpretation)
삼중 정션 광전 셀의 i 층으로 사용되는 수소화된실리콘계 반도체 합금의 광학적 안정성을 나타내는 기준(1,000시간 노출 시 10% 미만의 분해율)을 정의하고 있다.