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방사상 배리어를 갖는 자기 메모리 셀 document_id 1020117013494

출원번호
1020117013494
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 보호층은포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 분리층은포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 분리층은 상기 배리어층 및 상기 자유층방사상 둘러싸는자기 터널 정션 셀. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 분리층은 상기 배리어층, 상기 자유층, 및 적어도 상기 보호층의 적어도 일부방사상 둘러싸는자기 터널 정션 셀. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 분리층과 상기 절연 재료 사이의 환형층(annular layer)을더 포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 환형층은 비강자성적으로 정렬된(ordered) 재료, 이의 산화물 또는 질화물포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,드층에 인접한 피닝층(pinning layer)을 더 포함하며,상기 피닝층은 비강자성적으로 정렬된 재료를 포함하고,상기 환형층은 비강자성적으로 정렬된 재료, 이의 산화물 또는 질화물포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 배리어층에 마주하는 상기 자유층에 인접한 금속층더 포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 보호층은 상기 자유층으로부터 재료의 방사형 이동방지하는자기 터널 정션 셀. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 보호층은 상기 자유층 안팎으로 임의의 mn, o, mg, n2 및 h2o 재료의 방사상 이동 또는 확산방지하는자기 터널 정션 셀. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 보호층은 상기 자유층 안팎으로 임의의 mn, o, mg, n2 및 h2o 재료의 방사상 이동 또는 확산방지하는자기 터널 정션 셀. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 보호층은포함하는자기 터널 정션 셀. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,층을 방사상둘러싸며 상기 배리어층과 상기 절연 재료 사이에 있는 전기적 절연 분리층더 포함하는자기 터널 정션 셀.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제 4 항 및 제 5 항을 참조할 때, 분리층이 방사상으로 둘러싸는 대상 구성 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    제 4 항과 제 5 항을 참조하여 분리층이 방사상으로 둘러싸는 대상 구성 요소들을 모두 찾아낸다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    제 4 항에서 분리층이 방사상으로 둘러싸는 구성 요소인 '배리어층'과 '자유층'을 추출한다.

    • 상기 분리층은 상기 배리어층 및 상기 자유층방사상 둘러싸는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제 5 항에서 분리층이 방사상으로 둘러싸는 구성 요소인 '배리어층', '자유층', '적어도 상기 보호층의 적어도 일부'를 추출한다.

    • 상기 분리층은 상기 배리어층, 상기 자유층, 및 적어도 상기 보호층의 적어도 일부방사상 둘러싸는
  4. 4논리 통합logical_integration

    제 4 항과 제 5 항의 내용을 통합하여 중복을 제외한 모든 대상 구성 요소를 정리한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    분리층이 둘러싸는 대상은 배리어층, 자유층, 그리고 보호층의 적어도 일부임을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변으로 배리어층, 자유층, 보호층의 적어도 일부를 나열한다.

최종 답변 (final_answer)
배리어층, 자유층, 보호층의 적어도 일부
핵심 해석 (core_interpretation)
자기 터널 정션 셀에서 분리층이 배리어층, 자유층 및 보호층의 일부를 방사상으로 둘러싸는 구조를 형성함을 나타낸다.